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公开(公告)号：KR100564078B1
公开(公告)日：2006-03-24
申请号：KR1020030095169
申请日：2003-12-23
Applicant: 김대열
Inventor： 현정주
IPC: G01J3/50
Abstract: 본 발명은 칼라 센서 구조 및 그것의 제조 방법에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼에 형성되어 각 파장 대역의 광량을 전기적 신호로 변환시키는 광 검출용 칩과; 상기 반도체 웨이퍼의 수광면에 형성되어 가시광 영역의 특정 대역의 파장을 갖는 광만을 선택적으로 투과하는 칼라 박막과; 상기 칼라 박막 상에 형성되어 가시광선 영역에서 고투과율을 갖고 적외선은 차단시키는 적외선 차단막을 포함하여 구성됨으로써, 특정 파장대의 칼라만을 정확하게 감지하여 고감도 센싱 기능을 수행할 수 있고 전체적인 칼라 센서의 구조가 간단하여 제조 공정을 줄이고, 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1020050063922A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：KR1020030095169
申请日：2003-12-23
Applicant: 김대열
Inventor： 현정주
IPC: G01J3/50
Abstract: 제조 원가가 감소되는 단색광 센서 제조 방법 및 칼라 센서 제조 방법이 개시되어 있다. 반도체 웨이퍼에 각 파장 대역의 광량을 전기적 신호로 변환시키는 광 검출용 칩을 형성한다. 상기 웨이퍼의 수광면에, 가시광 영역의 특정 대역 파장 광만을 선택적으로 투과하는 칼라 박막을 스핀 코팅 방식에 의해 형성한다. 이어서, 상기 칼라 박막 상에 적외선을 차단시키기 위한 적외선 차단막을 스핀 코팅 방식에 의해 형성시켜 단색광 센서를 제조한다. 상기 스핀 코팅 방식에 의하면, 저비용으로 칼라 박막을 형성할 수 있다.
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