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公开(公告)号：KR1020170094027A
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：KR1020160014731
申请日：2016-02-05
Applicant: 대구가톨릭대학교산학협력단
IPC: H01L31/0352 , H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 본발명의광검출기는기판상에형성되며 InGaN/InAlN 적층된양자우물구조를포함하는광검출기에있어서, 상기양자우물구조는적어도하나의서로교대로적층된우물층과장벽층의적층구조를포함하며, 상기장벽층과우물층에각각 In을첨가하되, 스트레스ε는0.3% 내지 0.8%인범위에서, 상기우물층의두께가 10Å내지 14Å의범위를가지는광검출기를제공한다.
Abstract translation: 本发明的光检测器包括形成在衬底上并包括InGaN / InAlN堆叠量子阱结构的量子阱结构，其中量子阱结构包括至少一个交替堆叠的阱层和势垒层的堆叠结构 其中In被添加到阻挡层和阱层中的每一个中，并且应力ε在0.3到0.8％的范围内，阱层的厚度在10到14埃的范围内。
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公开(公告)号：KR101944636B1
公开(公告)日：2019-01-31
申请号：KR1020170182379
申请日：2017-12-28
Applicant: 대구가톨릭대학교산학협력단
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