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公开(公告)号:KR1020030032153A
公开(公告)日:2003-04-26
申请号:KR1020010063730
申请日:2001-10-16
Applicant: 대우전자부품(주)
Inventor: 홍인철
IPC: H01G13/00
CPC classification number: H01G9/00
Abstract: PURPOSE: An apparatus for preventing abnormal viscosity of silver paste is provided to prevent the absorption of the moisture of atmosphere to the silver paste by installing a heater at a silver paste bath. CONSTITUTION: A heater(2) is installed at one side of the inside of a silver paste bath(1). A temperature control unit(3) is connected to the heater(2) in order to adjust the internal temperature of the silver paste bath(1) to the temperature of atmosphere. A saturated vapor pressure of the silver paste bath(1) is increased since the internal temperature of the silver paste bath(1) corresponds to the temperature of atmosphere. A transfer of moisture is prevented by increasing the saturated vapor pressure of the silver paste bath(1). The temperature control unit(3) is used for heating the heater(2) until the internal temperature of the silver paste bath(1) is equal to the temperature of atmosphere.
Abstract translation: 目的:提供一种用于防止银膏异常粘度的装置,以通过在银膏浴上安装加热器来防止大气吸收到银膏上。 构成:在银膏池(1)的内侧的一侧安装有加热器(2)。 温度控制单元(3)连接到加热器(2),以便将银膏浴(1)的内部温度调节到大气温度。 银膏浴(1)的内部温度对应于大气温度,银膏浴(1)的饱和蒸汽压增加。 通过增加银膏浴(1)的饱和蒸气压来防止水分转移。 温度控制单元(3)用于加热加热器(2),直到银膏浴(1)的内部温度等于大气温度。
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公开(公告)号:KR1020060021173A
公开(公告)日:2006-03-07
申请号:KR1020040070037
申请日:2004-09-02
Applicant: 대우전자부품(주)
Inventor: 홍인철
Abstract: 본 발명은 탄탈콘덴서 재화성을 위한 재화성액 공급구조에 관한 것으로, 전해액조(10)의 전해액과 순수가 액공급조(20)로 공급되어 공급관과 연결된 재화성조(30)로 재화성액이 공급되는 탄탈콘덴서 재화성을 위한 재화성액 공급구조에 있어서, 상기 전해액조(10)와 액공급조(20)를 연결하고 있는 전해액공급관(11)과 순수공급관(12)의 중간에 오토밸브(13)를 설치하고 상기 액공급조(20)의 내측에 재화성액의 농도를 측정하기 위한 농도측정계(22)를 설치하여 상기 액공급조(20)로 공급된 재화성액이 항상 일정농도의 액비전도도를 유지할 수 있도록 오토밸브(13)와 농도측정계(22)를 콘트롤러(40)와 유기적으로 연결하며 액공급조(20)와 재화성조(30)의 공급관(23) 사이에 재화성액의 량을 결정하는 오토플로우미터(24)를 설치하되, 재화성조(30)는 그 내측에 공급관(23) 으로부터 공급된 재화성액이 자연스럽게 오버플로우 될 수 있도록 하기 위한 격벽(31)을 설치하여 신규한 재화성액이 계속적으로 공급될 수 있도록 한 구조로 탄탈콘덴서의 재화성(Renodizing)공정에서 필요로 하는 재화성액의 공급을 원활히하여 재화성조내의 액비전도도를 항상 일정하게 유지할 수 있도록 함으로서 공정 안정화 및 공정불량률 억제에 의한 탄탈콘덴서의 품질을 일층 향상시킬 수 있는 매우 유용한 발명이다.
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公开(公告)号:KR1020020027825A
公开(公告)日:2002-04-15
申请号:KR1020000058521
申请日:2000-10-05
Applicant: 대우전자부품(주)
Inventor: 홍인철
IPC: H01G4/00
CPC classification number: H01G9/0029 , H01G13/04
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a tantalum chip condenser is provided to improve the efficiency of manufacture by coating a negative terminal only after manufacturing the tantalum chip condenser in a mold type. CONSTITUTION: A connecting unit(41) is formed on the center of lateral of respective products(40) to form a built-in type mold. An upper plate(42) is sticked fast to the center of the mold product. A negative terminal of the mold product is plated in a plating bath with Pd(palladium) and Ni(nickel). The negative terminal of the mold product is further plated in a plating bath with Sn(tin) and Pb(plumbum). Thereafter, the upper plate(42) is removed and the connecting unit(41) is cut. Then, a positive terminal of the mold product is formed.
Abstract translation: 目的:提供一种用于制造钽芯片冷凝器的方法,用于通过在制造模具类型的钽芯片冷凝器之后涂覆负极端子来提高制造效率。 构成:连接单元(41)形成在各个产品(40)的侧面的中心,以形成内置型模具。 上板(42)快速地贴在模具产品的中心。 用Pd(钯)和Ni(镍)将模具产品的负极端子镀在镀浴中。 将模具产品的负极端子进一步镀在具有Sn(锡)和Pb(铅)的镀浴中。 此后,去除上板(42)并切断连接单元(41)。 然后,形成模具产品的正极端子。
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公开(公告)号:KR1020060062282A
公开(公告)日:2006-06-12
申请号:KR1020040101060
申请日:2004-12-03
Applicant: 대우전자부품(주)
Inventor: 홍인철
Abstract: 본 발명은 탄탈콘덴서용 전도성 고분자 콜로이드 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 탄탈콘덴서의 전해질을 구성하는 전도성 고분자 중합공정에 있어서, 콘덴서의 고체전해질 역할을 하는 전도성 고분자 파우더에 분산매로 H
2 O를 적용한 콜로이드상의 혼합액을 적용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 탄탈콘덴서의 전해질을 구성하는 전도성 고분자 중합공정에 있어서, 전도성 고분자 콘덴서의 내전압 강화 및 신뢰성 향상은 물론 고분자 중합시간을 효과적으로 단축시킬 수 있다. 또한 본 발명은 공정시간의 손실단축은 물론 중합완료된 전도성 고분자 파우더 사용으로 인해 시간에 따른 액의 물성변화가 없으며 솔벤트로 H
2 O를 적용하였기 때문에 공정적용이 매우 쉬울뿐 아니라 분산매 건조방식이므로 기존중합방식과는 달리 건조조건에 대한 중합층의 불균일성을 해소할 수 있다.-
公开(公告)号:KR1020060062281A
公开(公告)日:2006-06-12
申请号:KR1020040101059
申请日:2004-12-03
Applicant: 대우전자부품(주)
Inventor: 홍인철
Abstract: 본 발명은 탄탈콘덴서용 전도성 고분자 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 탄탈콘덴서의 전해질을 구성하는 전도성 고분자를 제조함에 있어서, 전기화학적인 방법으로 제조된 전도성 고분자 파우더와, 레진, 솔벤트+Additive를 믹싱하여 이를 페이스트형태로 제공하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 탄탈콘덴서의 전해질을 구성하는 전도성 고분자를 제조함에 있어서, 이를 페이스트(Paste) 형태 즉, 레진타입(Resin type) 형태로 제조하여 전도성 고분자 콘덴서의 내전압 강화 및 신뢰성 향상은 물론 고분자 중합시간을 효과적으로 단축시킬 수 있고 중합완료된 전도성 고분자 파우더의 사용으로 인해 시간에 따른 페이스트의 성생변화가 없을 뿐 아니라 솔벤트 농도에 따라 다양한 농도의 페이스트제조가 가능하며 페이스트 건조방식이므로 기존 방식 적용시 문제가 되었던 중합조건에 따른 도막의 불균일 문제를 개선할 수 있는 매우 유용한 발명이다.-
公开(公告)号:KR1020060062283A
公开(公告)日:2006-06-12
申请号:KR1020040101061
申请日:2004-12-03
Applicant: 대우전자부품(주)
Inventor: 홍인철
Abstract: 본 발명은 탄탈콘덴서용 전도성 고분자 콜로이드 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 탄탈콘덴서의 전해질을 구성하는 전도성 고분자 중합공정에 있어서, 콘덴서의 고체전해질 역할을 하는 전도성 고분자 미세 파우더와 콘덴서의 버퍼역할을 수행하는 카본 파우더에 분산매로 H
2 O를 적용한 콜로이드상의 혼합액을 적용하여 전해질 및 버퍼층 형성이 동시에 진행될 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 탄탈콘덴서의 전해질을 구성하는 전도성 고분자 중합공정에 있어서, 전도성 고분자 콘덴서의 내전압 강화 및 신뢰성 향상은 물론 고분자 중합시간을 효과적으로 단축시킬 수 있으며 특히 카본 도포공정을 생략하여 공정을 단순화 할 수 있고 또한 본 발명은 공정시간의 손실단축은 물론 중합완료된 전도성 고분자 파우더 및 카본 파우더의 동시 사용으로 인해 시간에 따른 액의 물성변화가 없으며 분산매 건조방식이므로 기존중합방식과는 달리 건조조건에 대한 중합층의 불균일성을 해소할 수 있다.
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