公开(公告)号：KR1019980006497A

公开(公告)日：1998-03-30

申请号：KR1019960020335

申请日：1996-06-07

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이성필

IPC: H01L29/772

公开(公告)号：KR100225788B1

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019960020335

申请日：1996-06-07

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이성필

IPC: H01L29/772

Abstract: 본 발명은 습도감지 전계효과트랜지스터에 관한 것으로서, n형(100) 실리콘 기판(1)에 소자의 전기적 분리를 위해 p형웰(2)을 만들고 p형웰(2) 안에 n채널 MISFET를 제조하여 게아트절연영역에 Si3N4(3)를 증착시켜 Si3N4(3)/Si02막(4)을 형성시키는 단계와, 상기 Si3N4(3)/Si02막(4) 위에 스퍼터로 Ti02막(5)을 증착시키고 리프트-오프 후 열처리 하는 단계, 열처리 후 물분자가 투과할 수 있는 다공질크롬(Cr; 6)과 다공질금(Au; 7)을 다공질 금속층으로 증착하는 단계 및, 게이트의 습도감지영역을 제외한 게이트전극, 소스 및 드레인에 1~2㎛의 2차 Au(8)를 증착하는 단계로 이루어져마이크로 테크놀리지를 이용하여 만든 전계효과트랜지스터 습도센서로서 규격화가 쉽고, 응답속도가 빠르며, 열적으로 안정성이 뛰어나고, 집적화되어 있기 때문에 멀티센서가 용이하여 널리 이용 될 수 있는 장점이 있는 습도감지 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법이다.