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公开(公告)号：KR1019970005674B1
公开(公告)日：1997-04-18
申请号：KR1019930029501
申请日：1993-12-24
Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 , 만도기계 주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: A method for masking amorphous silicon is described that can protect a device region at the final step of semiconductor device fabrication and provide an amorphous silicon layer capable of anode reaction. The method includes the steps of forming an insulating layer 7 of SiO2 or Si3N4 over a substrate where aluminium electrodes are made and then forming an intrinsic or N types of an amorphous silicon layer 8 by CVD of sputtering, patterning the parts where a poly-silicon layer 9 is formed to etch the amorphous silicon layer 8 of the parts, and selectively forming the poly-silicon layer 9 by the anode reaction in HF liquid. Thereby, it is possible to easily form a fine structure of the semiconductor device and allow the amorphous silicon layer 8 to serve as a protection layer so that the aluminium electrodes can be kept completely after the anode reaction.
Abstract translation: 描述了一种掩蔽非晶硅的方法，其可以在半导体器件制造的最后步骤中保护器件区域，并提供能够进行阳极反应的非晶硅层。 该方法包括以下步骤：在形成铝电极的基板上形成SiO 2或Si 3 N 4绝缘层7，然后通过溅射CVD形成本征或N型非晶硅层8，对多晶硅 形成层9以蚀刻部件的非晶硅层8，并且通过HF液体中的阳极反应选择性地形成多晶硅层9。 因此，可以容易地形成半导体器件的精细结构，并且允许非晶硅层8用作保护层，使得在阳极反应之后可以完全保持铝电极。
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公开(公告)号：KR1019950021043A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930029501
申请日：1993-12-24
Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 , 만도기계 주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 아몰피스 실리콘 마스킹방법에 관한 것으로서, 반도체 집적회로 제조공정에 있어서 금속화공정(알루미늄 금속전극 형성공정)까지 완전히 끝난 기판위에 SiO₂혹은 Si₃N₄ 절연막(7)을 CDV(Chemical Vapor Deposition)법으로 형성한후 진성(intrinsic)이나 저농도의 N형 아몰퍼스 실리콘층ㅊ(8)을 CDV(Chemical Vapor Deposition)법이나 스피터링(sputtering)법으로 형성하며, 포토레지스트로 다공질 실리콘을 형성할 부위를 패턴화하여 다공질 실리콘을 형성할 부위만의 아몰피스 실리콘층(8)을 형성함으로써 아몰피스 실리콘층을 보호막으로 이용하여 알루미늄 금속선까지도 완전한 형태로 보호할 수 있으면서도 간단하게 미세구조를 정확히 형성할 수 있는 다공질 실리콘의 선택형성을 위한 아몰피스 실리콘 마스킹 방법이다.
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公开(公告)号：KR100118636B1
公开(公告)日：1997-07-22
申请号：KR1019930029501
申请日：1993-12-24
Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 , 만도기계 주식회사
IPC: H01L21/027
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