公开(公告)号：KR1020160076479A

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：KR1020150183273

申请日：2015-12-21

Applicant: 델프멤스

Inventor： 로빈,르노 ,  로르펠랑,니콜라스 ,  세그니,카임

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0188 ,  H01H49/00 ,  H01H2059/0027 ,  H01H2059/0036 ,  H01H2227/004

Abstract: 본발명은 MEMS 디바이스, 특히, MEMS 스위치를제조하는방법에관한것으로, 상기방법은, 기판위에포스트들및 전도(전송)선을형성하는단계및 상기포스트들및 전도선위에멤브레인을형성하는단계를포함하되, 상기멤브레인을형성하는단계는제2 멤브레인층이형성되는영역에인접한해당제2 멤브레인층이형성되지않는영역을제1 멤브레인층이갖도록포스트들중 하나의포스트위의영역및/또는전도선위의영역에제1 멤브레인층을그리고해당제1 멤브레인층위에제2 멤브레인층을형성하는단계를포함한다. 또한, MEMS 디바이스, 특히, MEMS 스위치가제공되되, 해당디바이스는기판위에형성된포스트들및 전도(전송)선; 및상기포스트들및 전도선위의멤브레인을포함한다. 멤브레인은제2 멤브레인층이형성되는영역에인접한해당제2 멤브레인층이형성되지않는영역을제1 멤브레인층이갖도록포스트들중 하나의포스트위의영역및/또는전도선위의영역에제1 멤브레인층및 해당제1 멤브레인위에형성된제2 멤브레인층을포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及MEMS器件的制造方法，更具体地说，涉及MEMS开关的制造方法。 该方法包括在基板上形成支柱和导电（转移）线的步骤; 以及在柱和导电线上形成膜的步骤。 形成膜的步骤包括在一个柱上和/或导电线上的区域中的区域中形成第一膜层的步骤，使得第一膜层具有不具有对应的第二膜的区域 层附近具有第二膜层。 MEMS器件包括形成在基板上的柱和导电（转移）线; 和柱上的膜和导线。 所述膜包括在所述柱中的一个区域和/或所述导电线上的区域中的区域中的第一膜层，以及形成在所述第一膜上的所述第二膜层，使得所述第一膜层具有不具有 在具有第二膜层的区域附近的相应的第二膜层。