公开(公告)号：KR101773886B1

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：KR1020127010081

申请日：2010-09-20

Applicant: 디킨 유니버시티

Inventor： 천잉 ,  리루화

IPC: C01B21/064 ,  C01B35/14 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C10M103/06 ,  C30B29/40 ,  C30B29/60 ,  C23C24/08 ,  C23C26/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C01B35/146 ,  B82Y30/00 ,  C01B21/0641 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/13 ,  C01P2004/16 ,  C04B35/6229 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6265 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/5284 ,  C04B2235/5454 ,  C10M103/06 ,  C10M2201/061 ,  C10M2201/087 ,  C10N2220/082 ,  C23C24/08 ,  C23C26/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/602 ,  Y10T428/25

Abstract: 본발명은질화붕소나노튜브들과나노튜브필름들을제조하는방법을제공하며, 붕소입자들과금속화합물을포함하는액체조성물을가열하는단계를포함하며, 가열은질화붕소나노튜브들을성장시키는질소를포함하는가스분위기에서 800-1300℃의온도로일어나며, 붕소입자들은 100nm 미만의평균입자크기를가지며금속화합물은가열하는동안질화붕소나노튜브들의성장을촉진하도록선택된다.

Abstract translation: 本发明提供了一种制备氮化硼纳米管和纳米管薄膜的方法，包括加热包含硼颗粒和金属化合物的液体组合物，其中加热在氮存在下进行以生长氮化硼纳米管 在含有气体的气氛中，在800-1300℃的温度下，平均粒径小于100nm的硼颗粒和选择的金属化合物促进氮化硼纳米管在加热过程中的生长。

公开(公告)号：KR1020120135186A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：KR1020127010081

申请日：2010-09-20

Applicant: 디킨 유니버시티

Inventor： 천잉 ,  리루화

IPC: C01B21/064 ,  C01B35/14 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C10M103/06 ,  C30B29/40 ,  C30B29/60 ,  C23C24/08 ,  C23C26/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C01B35/146 ,  B82Y30/00 ,  C01B21/0641 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/13 ,  C01P2004/16 ,  C04B35/6229 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6265 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/5284 ,  C04B2235/5454 ,  C10M103/06 ,  C10M2201/061 ,  C10M2201/087 ,  C10N2220/082 ,  C23C24/08 ,  C23C26/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/602 ,  Y10T428/25

Abstract: 본 발명은 질화붕소 나노튜브들과 나노튜브 필름들을 제조하는 방법을 제공하며, 붕소 입자들과 금속 화합물을 포함하는 액체 조성물을 가열하는 단계를 포함하며, 가열은 질화붕소 나노튜브들을 성장시키는 질소를 포함하는 가스 분위기에서 800-1300℃의 온도로 일어나며, 붕소 입자들은 100nm 미만의 평균 입자 크기를 가지며 금속 화합물은 가열하는 동안 질화붕소 나노튜브들의 성장을 촉진하도록 선택된다.