公开(公告)号：KR101738182B1

公开(公告)日：2017-05-29

申请号：KR1020117031593

申请日：2010-07-22

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 황충호 ,  베누고팔비자야쿠마르씨 ,  램코니 ,  포드레스닉드라간

IPC: H01L21/67 ,  G05B19/418 ,  G06F9/50 ,  G06F11/20

CPC classification number: G06F9/5027 ,  G05B19/4184 ,  G05B2219/31202 ,  G05B2219/31293 ,  G05B2219/31318 ,  G05B2219/31481 ,  G05B2219/32209 ,  G05B2219/45031 ,  G06F11/2035 ,  G06F11/2043 ,  Y02P90/14 ,  Y02P90/18

Abstract: 플라즈마프로세싱시스템내의기판프로세싱을용이하게하도록구성된 PLTA (process-level troubleshooting architecture) 가제공된다. 이아키텍쳐는프로세스모듈제어기를포함한다. 이아키텍쳐는또한, 복수의센서를포함하며, 복수의센서들의각각의센서는하나이상의프로세스파라미터에대한센싱된데이터를수집하도록프로세스모듈제어기와통신한다. 이아키텍쳐는프로세스모듈레벨분석서버를더 포함하며, 이프로세스모듈레벨분석서버는복수의센서및 프로세스모듈제어기와직접통신한다. 프로세스모듈레벨분석서버는데이터를수신하도록구성되며, 이데이터는복수의센서로부터의센싱된데이터및 프로세스모듈제어기로부터의프로세스모듈및 챔버데이터중 적어도하나를포함한다. 프로세스모듈레벨분석서버는또한, 기판프로세싱동안에문제를식별한경우, 데이터를분석하고금지데이터 (interdiction data) 를프로세스모듈제어기에직접전송하도록구성된다.

公开(公告)号：KR1020110063832A

公开(公告)日：2011-06-14

申请号：KR1020117008695

申请日：2009-07-13

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 미하일리첸코카트리나 ,  사바이즈하크 ,  포드레스닉드라간

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 포스트 식각 세정 공정 동안 기판 표면에 형성된 금속 게이트 구조물 주변으로부터 폴리머 잔류물을 제거하기 위한 시스템 및 방법은 금속 게이트 구조물 및 제거될 폴리머 잔류물과 관련된 복수의 공정 파라미터들을 결정하는 것을 포함한다. 복수의 제조 층들은 금속 게이트 구조물을 정의하고 공정 파라미터들은 제조층들 및 폴리머 잔류물의 특성들을 정의한다. 제 1 세정 화학물 및 제 2 세정 화학물이 식별되고 제 1 및 제 2 세정 화학물과 관련된 복수의 공급 파라미터들은 공정 파라미터들에 기초하여 정의된다. 게이트 구조물의 구조적 무결성을 보존하면서 폴리머 잔류물을 실질적으로 제거하기 위해 제 1 및 제 2 공급 화학물들은 공급 파라미터들을 이용하여 제어된 방식으로 순차적으로 공급된다.

公开(公告)号：KR101291346B1

公开(公告)日：2013-07-30

申请号：KR1020117008695

申请日：2009-07-13

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 미하일리첸코카트리나 ,  사바이즈하크 ,  포드레스닉드라간

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 포스트 식각 세정 공정 동안 기판 표면에 형성된 금속 게이트 구조물 주변으로부터 폴리머 잔류물을 제거하기 위한 시스템 및 방법은 금속 게이트 구조물 및 제거될 폴리머 잔류물과 관련된 복수의 공정 파라미터들을 결정하는 것을 포함한다. 복수의 제조 층들은 금속 게이트 구조물을 정의하고 공정 파라미터들은 제조층들 및 폴리머 잔류물의 특성들을 정의한다. 제 1 세정 화학물 및 제 2 세정 화학물이 식별되고 제 1 및 제 2 세정 화학물과 관련된 복수의 공급 파라미터들은 공정 파라미터들에 기초하여 정의된다. 게이트 구조물의 구조적 무결성을 보존하면서 폴리머 잔류물을 실질적으로 제거하기 위해 제 1 및 제 2 공급 화학물들은 공급 파라미터들을 이용하여 제어된 방식으로 순차적으로 공급된다.

公开(公告)号：KR1020130023025A

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：KR1020117031593

申请日：2010-07-22

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 황충호 ,  베누고팔비자야쿠마르씨 ,  램코니 ,  포드레스닉드라간

IPC: H01L21/67 ,  G05B19/418 ,  G06F9/50 ,  G06F11/20

CPC classification number: G06F9/5027 ,  G05B19/4184 ,  G05B2219/31202 ,  G05B2219/31293 ,  G05B2219/31318 ,  G05B2219/31481 ,  G05B2219/32209 ,  G05B2219/45031 ,  G06F11/2035 ,  G06F11/2043 ,  Y02P90/14 ,  Y02P90/18 ,  H01L21/67253

Abstract: 플라즈마 프로세싱 시스템 내의 기판 프로세싱을 용이하게 하도록 구성된 PLTA (process-level troubleshooting architecture) 가 제공된다. 이 아키텍쳐는 프로세스 모듈 제어기를 포함한다. 이 아키텍쳐는 또한, 복수의 센서를 포함하며, 복수의 센서들의 각각의 센서는 하나 이상의 프로세스 파라미터에 대한 센싱된 데이터를 수집하도록 프로세스 모듈 제어기와 통신한다. 이 아키텍쳐는 프로세스 모듈 레벨 분석 서버를 더 포함하며, 이 프로세스 모듈 레벨 분석 서버는 복수의 센서 및 프로세스 모듈 제어기와 직접 통신한다. 프로세스 모듈 레벨 분석 서버는 데이터를 수신하도록 구성되며, 이 데이터는 복수의 센서로부터의 센싱된 데이터 및 프로세스 모듈 제어기로부터의 프로세스 모듈 및 챔버 데이터 중 적어도 하나를 포함한다. 프로세스 모듈 레벨 분석 서버는 또한, 기판 프로세싱 동안에 문제를 식별한 경우, 데이터를 분석하고 금지 데이터 (interdiction data) 를 프로세스 모듈 제어기에 직접 전송하도록 구성된다.