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公开(公告)号:KR1020160018789A
公开(公告)日:2016-02-17
申请号:KR1020167000627
申请日:2014-07-08
Applicant: 레이던 컴퍼니
Inventor: 구치,롤랜드,더블유. , 디엡,부,큐. , 케네디,애덤,엠. , 블랙,스티븐,에이치. , 코시안,토마스,에이.
IPC: H01L23/10 , H01L23/26 , H01L23/498 , H01L27/146 , H01L21/52 , H01L21/768 , B81B7/00 , B81C1/00
CPC classification number: H01L23/10 , B81B7/0038 , B81B2201/0207 , B81C1/00269 , B81C2203/035 , H01L21/52 , H01L21/76841 , H01L23/26 , H01L23/49866 , H01L27/14618 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14683 , H01L27/1469 , H01L2224/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 전자디바이스및 그제조방법들. 하나이상의방법들은공동및 공동을둘러싸는표면을갖는뚜껑웨이퍼와, 검출기디바이스및 레퍼런스디바이스를갖는디바이스웨이퍼를제공하는단계를포함할수 있다. 특정예들에서, 티타늄물질의솔더배리어층은뚜껑웨이퍼의표면위에피착될수 있다. 티타늄물질의솔더배리어층은또한게터로서기능하기위해활성화될수 있다. 다양한예들에서, 뚜껑웨이퍼와디바이스웨이퍼는솔더를이용하여결합될수 있고, 티타늄물질의솔더배리어층은솔더가뚜껑웨이퍼의표면에접촉하는것을방지할수 있다.
Abstract translation: 电子装置及其制造方法。 一种或多种方法可以包括提供具有空腔和围绕空腔的表面的盖晶片和具有检测器装置和参考装置的装置晶片。 在某些实例中,可以将钛材料的阻焊层沉积到盖晶片的表面上。 可以进一步激活钛材料的阻焊层作为吸气剂。 在各种示例中,盖晶片和器件晶片可以使用焊料接合在一起,并且钛材料的阻焊层可以防止焊料接触盖晶片的表面。
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公开(公告)号:KR102114561B1
公开(公告)日:2020-05-22
申请号:KR1020187003636
申请日:2016-05-19
Applicant: 레이던 컴퍼니
Inventor: 블랙,스테판,에이치. , 케네디,애덤,엠.
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公开(公告)号:KR101752107B1
公开(公告)日:2017-06-28
申请号:KR1020167000627
申请日:2014-07-08
Applicant: 레이던 컴퍼니
Inventor: 구치,롤랜드,더블유. , 디엡,부,큐. , 케네디,애덤,엠. , 블랙,스티븐,에이치. , 코시안,토마스,에이.
IPC: H01L23/10 , H01L23/26 , H01L23/498 , H01L27/146 , H01L21/52 , H01L21/768 , B81B7/00 , B81C1/00
CPC classification number: H01L23/10 , B81B7/0038 , B81B2201/0207 , B81C1/00269 , B81C2203/035 , H01L21/52 , H01L21/76841 , H01L23/26 , H01L23/49866 , H01L27/14618 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14683 , H01L27/1469 , H01L2224/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 전자디바이스및 그제조방법들. 하나이상의방법들은공동및 공동을둘러싸는표면을갖는뚜껑웨이퍼와, 검출기디바이스및 레퍼런스디바이스를갖는디바이스웨이퍼를제공하는단계를포함할수 있다. 특정예들에서, 티타늄물질의솔더배리어층은뚜껑웨이퍼의표면위에피착될수 있다. 티타늄물질의솔더배리어층은또한게터로서기능하기위해활성화될수 있다. 다양한예들에서, 뚜껑웨이퍼와디바이스웨이퍼는솔더를이용하여결합될수 있고, 티타늄물질의솔더배리어층은솔더가뚜껑웨이퍼의표면에접촉하는것을방지할수 있다.
Abstract translation: 电子装置及其制造方法。 一种或多种方法可以包括提供具有空腔和围绕该空腔的空腔的盖晶片,以及具有检测器装置和参考装置的器件晶片。 在某些情况下,可以在盖晶片的表面上沉积钛材料的焊料阻挡层。 钛材料的阻焊层也可以被激活以用作吸气剂。 在各种示例中,盖晶片和器件晶片可以使用焊料接合,并且钛材料的焊料阻挡层可以防止焊料接触盖晶片的表面。
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