公开(公告)号：KR101055029B1

公开(公告)日：2011-08-05

申请号：KR1020067000711

申请日：2004-06-15

Applicant: 로베르트 보쉬 게엠베하

Inventor： 룻츠마르쿠스 ,  패트리지아론

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B81C1/0096 ,  B81B3/0005 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 본원에는 여러가지 발명이 개시 및 도시되어 있다. 일 태양에서, 본 발명은 박막 또는 웨이퍼 캡슐화된 MEMS, 및 본 발명의 점착방지 기술을 채용한 박막 또는 웨이퍼 캡슐화된 MEMS의 제작 또는 제조 기술에 관한 것이다. 일 실시예에서는, MEMS의 캡슐화 이후, 점착-방지 채널이 형성됨으로써 MEMS의 기계 구조물의 능동 부재 또는 전극의 일부 또는 전부를 수용하는 챔버에 대한 "접근"을 제공한다. 이후, 점착-방지 채널을 통해서 점착-방지 유체(예를 들면, 가스 또는 가스-증기)가 챔버 내로 도입된다. 점착-방지 유체는 기계 구조물의 능동 부재 또는 전극의 하나, 일부 또는 전부에 증착됨으로써, 그러한 부재 또는 전극 상에 점착-방지층(예를 들면, 단일층 코팅 또는 자기집합된 단일층) 및/또는 가스방출 분자를 제공한다. 점착-방지 유체의 도입 및/또는 적용 이후, 점착-방지 채널은 챔버 내의 기계적 감쇠 환경을 한정 및 제어하기 위해 밀봉, 캐핑, 플러깅 및/또는 폐쇄될 수 있다. 이와 관련하여, 챔버의 밀봉, 캐핑 및/또는 폐쇄는 기계 구조물을 수납 및/또는 수용하는 환경을 챔버 내에 형성한다. 이 환경은 기계 구조물의 소정의, 소망의 및/또는 선택된 기계적 감쇠뿐 아니라 적절한 밀폐성을 제공한다. 기계 구조물이 작동되는 최종 캡슐화된 유체(예를 들면, 가스 또는 가스 증기)의 변수(예를 들면, 압력)는 소망의 및/또는 소정의 작동 환경을 제공하도록 제어, 선택 및/또는 설계될 수 있다.
캡슐화 층, 밀봉 챔버, 점착-방지 채널, 점착-방지 유체, 이방성 에칭, 점착-방지 플러그, 트렌치, 절연층, 확산 배리어, 양극 접합, 캡 웨이퍼, 트랩

Abstract translation: 这里已经公开并示出了各种发明。 在一个方面，本发明涉及薄膜或晶片封装的MEMS，并涉及采用本发明的抗粘连技术的薄膜或晶片封装的MEMS的制造或制造技术。 在一个实施例中，在MEMS封装之后，形成防粘附通道以向容纳MEMS的机械结构的一些或全部有源构件或电极的腔室提供“通路”。 然后通过防粘连通道将防粘流体（例如气体或气体蒸汽）引入腔室中。 抗粘附流体可沉积在机器结构的一个，一些或全部活性构件或电极上，使得抗粘附层（例如，单层涂层或自组装单层）和/ Lt。 在引入和/或施加防污液之后，防污通道可以被密封，封盖，堵塞和/或封闭以限定和控制室内的机械阻尼环境。 在这方面，腔室的密封，封盖和/或封闭在腔室内产生环境以接收和/或接收机器结构。 该环境提供足够的气密性以及机器结构的预定的，期望的和/或选择的机械衰减。 可以控制，选择和/或设计其中机器结构被操作的最终包封流体（例如，气体或气体蒸汽）的压力（E.G.，压力）以提供期望的和/ 有。

公开(公告)号：KR101145095B1

公开(公告)日：2012-05-11

申请号：KR1020117008540

申请日：2004-03-30

Applicant: 로베르트 보쉬 게엠베하

Inventor： 패트리지아론 ,  룻츠마르쿠스 ,  크론뮐러실비아

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/44

CPC classification number: B81C1/00261 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00333 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0136 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 명세서에서 다수의 발명들이 설명되고 도시된다. 일 태양에서, 본 발명은 MEMS 장치, 및 최종 패키징 전에 챔버에 캡슐화된 기계 구조물을 갖는 MEMS 장치의 제조 및 생산 기술에 관한 것이다. 증착될 때 기계 구조물을 캡슐화하는 재료는 하기의 속성들 중 하나 이상을 포함한다: 낮은 인장 응력, 우수한 단계 적용 범위, 후속 처리를 받을 때의 완전성의 유지, 챔버 내에서의 기계 구조물의 성능 특성에 상당한 및/또는 악영향을 미치지 않음(증착 동안 재료로 코팅되는 경우), 및/또는 고성능 집적 회로의 집적 용이성. 일 실시예에서, 기계 구조물을 캡슐화하는 재료는, 예를 들어 (도핑된 또는 도핑되지 않은 다결정, 비결정 또는 다공성) 실리콘, 실리콘 카바이드, 실리콘-게르마늄, 게르마늄 또는 갈륨 비소이다.

公开(公告)号：KR1020110042392A

公开(公告)日：2011-04-26

申请号：KR1020117008540

申请日：2004-03-30

Applicant: 로베르트 보쉬 게엠베하

Inventor： 패트리지아론 ,  룻츠마르쿠스 ,  크론뮐러실비아

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/44

CPC classification number: B81C1/00261 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00333 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0136 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: There are many inventions described and illustrated herein. In one aspect, the present invention is directed to a MEMS device, and technique of fabricating or manufacturing a MEMS device, having mechanical structures encapsulated in a chamber prior to final packaging. The material that encapsulates the mechanical structures, when deposited, includes one or more of the following attributes: low tensile stress, good step coverage, maintains its integrity when subjected to subsequent processing, does not significantly and/or adversely impact the performance characteristics of the mechanical structures in the chamber (if coated with the material during deposition), and/or facilitates integration with high-performance integrated circuits. In one embodiment, the material that encapsulates the mechanical structures is, for example, silicon (polycrystalline, amorphous or porous, whether doped or undoped), silicon carbide, silicon-germanium, germanium, or gallium-arsenide.

公开(公告)号：KR1020060113630A

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：KR1020067000711

申请日：2004-06-15

Applicant: 로베르트 보쉬 게엠베하

Inventor： 룻츠마르쿠스 ,  패트리지아론

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B81C1/0096 ,  B81B3/0005 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00

Abstract: There are many inventions described and illustrated herein. In one aspect, present invention is directed to a thin film or wafer encapsulated MEMS, and technique of fabricating or manufacturing a thin film or wafer encapsulated MEMS employing the antistiction techniques of the present invention. In one embodiment, after encapsulation of the MEMS, an anti-stiction channel is formed thereby providing "access" to the chamber containing some or all of the active members or electrodes of the mechanical structures of the MEMS. Thereafter, an anti-stiction fluid (for example, gas or gas- vapor) is introduced into the chamber via the anti-stiction channel. The anti-stiction fluid may deposit on one, some or all of the active members or electrodes of the mechanical structures thereby providing an anti- stiction layer (for example, a monolayer coating or self-assembled monolayer) and/or out-gassing molecules on such members or electrodes. After introduction and/or application of the anti-stiction fluid, the anti-stiction channel may be sealed, capped, plugged and/or closed to define and control the mechanical damping environment within the chamber. In this regard, sealing, capping and/or closing the chamber establishes the environment within the chamber containing and/or housing the mechanical structures. This environment provides the predetermined, desired and/or selected mechanical damping of the mechanical structure as well as suitable hermeticity. The parameters (for example, pressure) of the final encapsulated fluid (for example, a gas or a gas vapor) in which the mechanical structures are to operate may be controlled, selected and/or designed to provide a desired and/or predetermined operating environment.

Abstract translation: 这里描述和说明了许多发明。 一方面，本发明涉及薄膜或晶片封装的MEMS，以及使用本发明的抗静电技术制造或制造薄膜或晶片封装的MEMS的技术。 在一个实施例中，在MEMS的封装之后，形成抗静电通道，从而提供“接入”室，其包含MEMS的机械结构的一些或全部有源部件或电极。 此后，抗静电液体（例如，气体或气体蒸汽）经由抗静电通道引入腔室。 抗静电液体可以沉积在机械结构的一个，一些或所有活性构件或电极上，从而提供抗静电层（例如，单层涂层或自组装单层）和/或排气分子 在这些构件或电极上。 在引入和/或施加抗静电流体之后，防静电通道可被密封，封盖，堵塞和/或关闭以限定和控制室内的机械阻尼环境。 在这方面，腔室的密封，封盖和/或闭合在室内建立包含和/或容纳机械结构的环境。 该环境提供机械结构的预定的，期望的和/或选择的机械阻尼以及合适的气密性。 可以控制，选择和/或设计机械结构将要运行的最终封装流体（例如，气体或气体蒸气）的参数（例如压力），以提供期望的和/或预定的操作 环境。

公开(公告)号：KR1020060015633A

公开(公告)日：2006-02-17

申请号：KR1020057023053

申请日：2004-03-30

Applicant: 로베르트 보쉬 게엠베하

Inventor： 패트리지아론 ,  룻츠마르쿠스 ,  크론뮐러실비아

IPC: B81B7/02 ,  H01L21/44

CPC classification number: B81C1/00261 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00333 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0136 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: There are many inventions described and illustrated herein. In one aspect, the present invention is directed to a MEMS device, and technique of fabricating or manufacturing a MEMS device, having mechanical structures encapsulated in a chamber prior to final packaging. The material that encapsulates the mechanical structures, when deposited, includes one or more of the following attributes: low tensile stress, good step coverage, maintains its integrity when subjected to subsequent processing, does not significantly and/or adversely impact the performance characteristics of the mechanical structures in the chamber (if coated with the material during deposition), and/or facilitates integration with high-performance integrated circuits. In one embodiment, the material that encapsulates the mechanical structures is, for example, silicon (polycrystalline, amorphous or porous, whether doped or undoped), silicon carbide, silicon-germanium, germanium, or gallium-arsenide.

Abstract translation: 这里描述和说明了许多发明。 在一个方面，本发明涉及MEMS器件，以及制造或制造MEMS器件的技术，其具有在最终封装之前封装在腔室中的机械结构。 当沉积时，封装机械结构的材料包括以下属性中的一个或多个：低拉伸应力，良好的阶梯覆盖，在进行后续加工时保持其完整性，不会显着和/或不利地影响 室中的机械结构（如果在沉积期间涂覆材料）和/或促进与高性能集成电路的集成。 在一个实施例中，封装机械结构的材料是例如硅（多晶，无定形或多孔，无论掺杂或未掺杂），碳化硅，硅 - 锗，锗或砷化镓。