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公开(公告)号：KR1020120096502A
公开(公告)日：2012-08-30
申请号：KR1020127014814
申请日：2010-12-23
Applicant: 뵈스트알파인 그롭레흐 게엠베하
CPC classification number: C21D1/42 , B21B1/26 , B21B45/004 , B21B45/0218 , B21B2201/06 , C21D8/02 , C21D8/0226 , C21D9/46 , Y02P10/253
Abstract: 후판(1)의 인성, 특히 저온 인성을 증대시키기 위해 1차 재료로 이루어진 후판(1)의 제조를 위한 열기계적 처리 방법이 설명되되, 상기 방법에서 후판(1)은 가열되고, 압연에 의해 부분 변형 및 엔드 변형되고, 주변 온도에서의 냉각에 비해 가속화 냉각되고, 이 때 부분 변형을 위해 Ac3 초과 온도로 가열된 후판(1)은 상기 후판의 엔드 변형 이후에 가속화 냉각된다. 후판의 유리한 특성을 얻기 위해, 후판(1)을 부분 변형과 엔드 변형 사이에 가속화되어 Ar3 미만 온도로 냉각하고, 이어서 유도적으로 Ac3 초과 온도로 가열하는 것이 제안된다.
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公开(公告)号：KR101506257B1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：KR1020127014814
申请日：2010-12-23
Applicant: 뵈스트알파인 그롭레흐 게엠베하
CPC classification number: C21D1/42 , B21B1/26 , B21B45/004 , B21B45/0218 , B21B2201/06 , C21D8/02 , C21D8/0226 , C21D9/46 , Y02P10/253
Abstract: 후판(1)의 인성, 특히 저온 인성을 증대시키기 위해 1차 재료로 이루어진 후판(1)의 제조를 위한 열기계적 처리 방법이 설명되되, 상기 방법에서 후판(1)은 가열되고, 압연에 의해 부분 변형 및 엔드 변형되고, 주변 온도에서의 냉각에 비해 가속화 냉각되고, 이 때 부분 변형을 위해 Ac3 초과 온도로 가열된 후판(1)은 상기 후판의 엔드 변형 이후에 가속화 냉각된다. 후판의 유리한 특성을 얻기 위해, 후판(1)을 부분 변형과 엔드 변형 사이에 가속화되어 Ar3 미만 온도로 냉각하고, 이어서 유도적으로 Ac3 초과 온도로 가열하는 것이 제안된다.
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