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公开(公告)号：KR101793233B1
公开(公告)日：2017-11-20
申请号：KR1020160091286
申请日：2016-07-19
Applicant: 부산대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은접착력이향상된 BDD 전극체의제조방법및 이에의해제조된접착력이향상된 BDD 전극체에관한것으로서, 구체적으로는Ti, W 및 Si 중어느하나로된 전극체용모재; 상기모재위에형성된 Nb 박막층; 및상기박막위에형성된 BDD(Boron-Doped Diamond)층;을포함하는전극체이고, 상기 Nb 박막층은 sp구조를갖고, 상기모재의확산에의한화합물의형성을억제시키는것을특징으로하는, 접착력이향상된 BDD 전극체에관한것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR20180000532A
公开(公告)日：2018-01-03
申请号：KR20160078631
申请日：2016-06-23
Applicant: 부산대학교 산학협력단
CPC classification number: H05B3/84 , H01B1/023 , H01B1/026 , H01B1/08 , H01B5/14 , H05B3/03 , H05B3/141 , H05B2203/01 , H05B2203/017
Abstract: 본발명은하이브리드투명면상발열체에관한것으로서, 상세하게는투명기판; 상기투명기판상부에증착되는발열층; 및상기기판상부양단에형성되거나또는상기기판상부양단에형성되어발열층양단을포함하는전극;을포함하고, 상기발열층은, 상기기판상부에 2단으로형성된투명전도성산화물층과, 상기투명전도성산화물층사이에삽입된금속층으로이루어지는것을특징으로하는, 하이브리드투명면상발열체에관한것이다.
Abstract translation: 混合透明平面加热元件技术领域本发明涉及混合透明平面加热元件，更具体地讲， 沉积在透明衬底上的加热层; 以及形成在所述基板的两端或所述基板的两端并且包括所述加热层的两端的电极，其中所述加热层包括在所述基板上方两级形成的透明导电氧化物层， 以及夹在氧化层之间的金属层。本发明还涉及混合透明表面加热元件。
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公开(公告)号：KR101900695B1
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：KR1020160078631
申请日：2016-06-23
Applicant: 부산대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은하이브리드투명면상발열체에관한것으로서, 상세하게는투명기판; 상기투명기판상부에증착되는발열층; 및상기기판상부양단에형성되거나또는상기기판상부양단에형성되어발열층양단을포함하는전극;을포함하고, 상기발열층은, 상기기판상부에 2단으로형성된투명전도성산화물층과, 상기투명전도성산화물층사이에삽입된금속층으로이루어지는것을특징으로하는, 하이브리드투명면상발열체에관한것이다.
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公开(公告)号：KR102198394B1
公开(公告)日：2021-01-07
申请号：KR1020200010669
申请日：2020-01-29
Applicant: 부산대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은본 발명은 ITO와수소도핑된 ITO로이루어진다층구조를이용한열전소재및 그제조방법에관한것으로본 발명의일면에따른 ITO와수소의다층구조를이용한열전소재제조방법은기판상에아르곤가스를스퍼터링가스로하여스퍼터링법에의해 ITO층을형성하는단계, ITO층상에아르곤-수소혼합가스를스퍼터링가스로하여스퍼터링법에의해비정질층을형성하는단계및 비정질층상에아르곤가스를스퍼터링가스로하여스퍼터링법에의해 ITO층을형성하는단계를포함하고, ITO층상에비정질층을형성하는단계와비정질층상에 ITO층을형성하는단계를반복하여다층구조를형성한다.
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5.发明授权
公开(公告)号：KR101854428B1
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：KR1020160068566
申请日：2016-06-02
Applicant: 부산대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은 Sn이도핑된 In-Zn 산화물계재료를이용한열전박막제조방법및 이에의해제조된열전박막에관한것으로서, 구체적으로는 Si를포함하는기판을전처리하는제1단계; Sn이도핑된 In-Zn 산화물계열전재료를준비하는제2단계; 상기열전재료를기상증착법으로상기기판에증착하여비정질구조의필름을제조하는제3단계; 및상기증착된필름을 200 내지 500℃의온도에서열처리하는제4단계;를포함하여제조되고, 상기 Sn이도핑된 In-Zn 산화물계열전박막의두께는 380 내지 420nm이며, 역률은 250 내지 300 ㎼/m·K인것을특징으로하는 Sn이도핑된 In-Zn 산화물계열전박막의제조방법에관한것이다.
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6.发明公开
公开(公告)号：KR1020170136723A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：KR1020160068566
申请日：2016-06-02
Applicant: 부산대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은 Sn이도핑된 In-Zn 산화물계재료를이용한열전박막제조방법및 이에의해제조된열전박막에관한것으로서, 구체적으로는 Si를포함하는기판을전처리하는제1단계; Sn이도핑된 In-Zn 산화물계열전재료를준비하는제2단계; 상기열전재료를기상증착법으로상기기판에증착하여비정질구조의필름을제조하는제3단계; 및상기증착된필름을 20 내지 500℃의온도에서열처리하는제4단계;를포함하여제조되는비정질구조의 Sn이도핑된 In-Zn 산화물계열전박막의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用Sn掺杂的In-Zn氧化物基材料制造热电薄膜的方法以及通过该方法制造的热电薄膜，更具体地说， 制备Sn掺杂的基于In-Zn氧化物的预制材料的第二步骤; 通过气相沉积法在基板上沉积热电材料以产生非晶膜的第三步骤; 本发明涉及用于Sn的伊平的In-Zn氧化物系薄膜由包括以前生产的无定形结构的制备方法;和热处理中的沉积膜20的温度至500℃的第四步骤。
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