公开(公告)号：KR101299952B1

公开(公告)日：2013-08-26

申请号：KR1020110104399

申请日：2011-10-13

Applicant: 부산대학교 산학협력단

Inventor： 송풍근 ,  방준호 ,  정재헌

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 기판; 상기 기판의 상부에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극의 상부에 형성된 절연층; 상기 절연층 상부에 형성되고 인듐(In), 알루미늄(Al), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하는 IAZO 박막으로서, 상기 알루미늄(Al)의 함량이 0.1 내지 10 중량%인 채널층; 및 상기 채널층 상부에 형성된 소오스/드레인 전극;을 포함하는 투명 박막 트랜지스터를 개시한다. 본 발명에 따르면, 가격이 저렴하면서도 널리 존재하는 알루미늄을 박막 트랜지스터의 채널층에 도핑하여 IAZO층을 형성함으로써 투명하면서도 소자특성이 우수하며, 기존의 IGZO에서 고가의 갈륨(Ga)를 대체할 수 있어 제조비용을 낮출 수 있다는 장점이 있다. 또한 스퍼터링 공법 하나로 공정이 가능하여 공정의 간소화할 수 있으며, 연속 공정이 가능하여 대량생산에 가능하고 모든 공정이 상온에서 가능하여 비용절감 및 에너지 절약 측면에서도 유리하다.

公开(公告)号：KR1020130039815A

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：KR1020110104399

申请日：2011-10-13

Applicant: 부산대학교 산학협력단

Inventor： 송풍근 ,  방준호 ,  정재헌

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/34 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor using an In-Al-Zn-O thin film and a method for preparing a thin film are provided to form an IAZO layer by doping Al in a channel layer of a thin film transistor and to secure a transparent and excellent thin film transistor. CONSTITUTION: A gate electrode is formed in the upper part of a substrate. An insulating layer is formed in the upper part of the gate electrode. A channel layer is formed in the upper part of the insulating layer. The channel layer is made of an oxide semiconductor IAZO. The aluminum content of the channel layer is 0.1 to 10 weight %. A source/drain electrode is formed in the upper part of the channel layer.

Abstract translation: 目的：提供使用In-Al-Zn-O薄膜的薄膜晶体管和制备薄膜的方法，以通过在薄膜晶体管的沟道层中掺杂Al来形成IAZO层，并且确保透明和 优秀的薄膜晶体管。 构成：在基板的上部形成栅电极。 绝缘层形成在栅电极的上部。 沟道层形成在绝缘层的上部。 沟道层由氧化物半导体IAZO制成。 通道层的铝含量为0.1〜10重量％。 源极/漏极形成在沟道层的上部。