피드백을 이용한 저잡음 증폭 회로
    1.
    发明授权
    피드백을 이용한 저잡음 증폭 회로 有权
    低噪声放大器使用反馈

    公开(公告)号:KR101344052B1

    公开(公告)日:2013-12-24

    申请号:KR1020120070880

    申请日:2012-06-29

    Inventor: 남일구 임동구

    CPC classification number: H03F1/26 H03F1/223 H03F1/347 H03F3/193 H03F2200/294

    Abstract: A low noise amplifier circuit which uses a feedback according to an embodiment of the present invention includes: an amplifying unit which outputs an amplified signal by receiving a predetermined signal and amplifying the signal depending on a predetermined trans-conductance value; a push-pull source follower unit which includes an NMOS transistor (MN2) in which a gate is connected to the output of the amplifying unit and a drain is connected to a power source (VDD) and a PMOS transistor (MP2) in which a gate is connected to an output of the amplifying unit, a drain is connected to a grounding, and a source is connected to the source of the NMOS transistor (MN2) and forms an output end in the source of the NMOS transistor (MN2) and a node to which the PMOS transistor (MP2) is connected; and a feedback unit which includes a feedback resistance (RF) and a feedback capacitor (CF) which are connected in series and provides an output from the output end of the push-pull source follower unit for the input (IN) of the amplifying unit.

    Abstract translation: 使用根据本发明的实施例的反馈的低噪声放大器电路包括:放大单元,其通过接收预定信号来输出放大信号并根据预定的反电导值放大信号; 推挽源极跟随器单元,其包括NMOS晶体管(MN2),其中栅极连接到放大单元的输出端,漏极连接到电源(VDD)和PMOS晶体管(MP2),其中, 栅极连接到放大单元的输出,漏极连接到接地,源极连接到NMOS晶体管(MN2)的源极,并在NMOS晶体管(MN2)的源极中形成输出端,并且 连接PMOS晶体管(MP2)的节点; 以及反馈单元,其包括串联连接的反馈电阻(RF)和反馈电容器(CF),并且提供来自用于放大单元的输入(IN)的推挽源跟随器单元的输出端的输出 。

    잡음과 왜곡 특성을 개선시키는 상보적 회로
    2.
    发明授权
    잡음과 왜곡 특성을 개선시키는 상보적 회로 有权
    用于改善噪声和失真特性的互补电路

    公开(公告)号:KR101055850B1

    公开(公告)日:2011-08-09

    申请号:KR1020090034443

    申请日:2009-04-21

    Inventor: 남일구 임동구

    Abstract: 본 발명은 발룬 사용없이 상보 소자와 노이즈 캔슬링 기법을 사용하여 싱글엔드형 광대역 수신 회로의 선형성과 잡음 특성이 향상된 저전력 수신회로를 제공하기 위한 것으로서, 전류미러를 갖는 공동 게이트 증폭기와 공통 소스 증폭기를 결합한 노이즈 제거회로 및 상기 노이즈 제거 회로의 상보적 회로를 결합하여 형성된 저잡음 증폭기와, 제 5 NMOS 트랜지스터(Mn5) 및 제 5 PMOS 트랜지스터 (Mp5)의 상보적인 전류 미러 트랜스컨덕턴스단 및 제 6 NMOS 트랜지스터(Mn6) 및 제 7 NMOS 트랜지스터(Mn7)가 차동구조로 이루어진 N 채널형 차동소자 스위칭 단으로 구성된 믹서 회로를 포함하여 구성되는데 있다.
    싱글엔드형 구조, 공통 소스 증폭기, 공통 게이트 증폭기, 저잡음 증폭기, 광대역 무선 수신기,

    Abstract translation: 本发明使用的噪声消除技术的互补元件,用于提供一个单端宽带接收电路的线性度和噪声特性得到改善低功率接收电路,而不使用平衡 - 不平衡变换器,其结合了共源极放大器的公共栅放大器与电流镜像 和低噪声放大器的噪声消除电路,并通过组合所述噪声减小电路的互补型电路构成,第五NMOS晶体管(MN5)和PMOS晶体管(秒回蓝)镜跨导级的第五互补电流和6 NMOS晶体管(MN6 )并且第七NMOS晶体管Mn7具有差分结构,以及N沟道型差分元件切换级。

    잡음과 왜곡 특성을 개선시키는 상보적 회로
    3.
    发明公开
    잡음과 왜곡 특성을 개선시키는 상보적 회로 有权
    补充电路提高噪声和失真特性

    公开(公告)号:KR1020100115843A

    公开(公告)日:2010-10-29

    申请号:KR1020090034443

    申请日:2009-04-21

    Inventor: 남일구 임동구

    Abstract: PURPOSE: A complementary circuit is provided to improve the linearity of a single end type broadband reception circuit and a noise property by applying a current amplification concept to a noise canceling structure. CONSTITUTION: A mixer circuit(600) is composed of a current mirror transconductacne stage(610) and a N channel type differential device switching stage(620). The current mirror transconductacne stage comprises a fifth NMOS transistor and a fifth PMOS transistor. The N channel type differential device switching stage is formed into the differential structure of a 6 NMOS transistor and a 7 NMOS transistor. By mixing a variable gain low noise amplifier with the mixer circuit, a reception circuit or a transmission circuit is formed.

    Abstract translation: 目的:提供一种互补电路,通过将电流放大概念应用于噪声消除结构来提高单端宽带接收电路的线性度和噪声特性。 构成:混频器电路(600)由电流镜跨导级(610)和N沟道型差分器件切换级(620)组成。 电流镜跨导级包括第五NMOS晶体管和第五PMOS晶体管。 N沟道型差分器件切换级形成6MnMOS晶体管和7MnMOS晶体管的差分结构。 通过将可变增益低噪声放大器与混频器电路混合,形成接收电路或发送电路。

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