公开(公告)号：KR1020160091443A

公开(公告)日：2016-08-02

申请号：KR1020167019837

申请日：2011-11-28

Applicant: 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 ,  삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 미키아야 ,  모리타신야 ,  구기미야도시히로 ,  야스노사토시 ,  박재우 ,  이제훈 ,  안병두 ,  김건희

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C01G19/006 ,  C01P2006/10 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/548 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/06

Abstract: 본발명에관한박막트랜지스터의반도체층용산화물은, Zn, Sn 및 In을포함하고, 산화물에포함되는금속원소의함유량(원자%)을각각, [Zn], [Sn] 및 [In]으로하였을때, 하기수학식 1 내지 3을만족하는것이다. [수학식 1][수학식 2][수학식 3]본발명에따르면, 높은이동도를실현할수 있고, 또한, 스트레스내성(스트레스인가전후의임계값전압시프트량이적은것)도우수한박막트랜지스터용산화물을제공할수 있었다.

公开(公告)号：KR1020140033348A

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：KR1020137025547

申请日：2012-03-08

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 다오히로아키 ,  미키아야 ,  모리타신야 ,  야스노사토시 ,  구기미야도시히로 ,  박재우 ,  이제훈 ,  안병두 ,  김건희

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L21/02554 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/06 ,  H01L29/26 ,  H01L29/66742 ,  H01L51/50

Abstract: An oxide for a thin film transistor of the present invention is an In-Zn-Sn-based oxide including at least In, Zn, and Sn. When the contents (atomic percent) of metal elements included in the In-Zn-Sn-based oxide are represented by ′Zn′, ′Sn′, and ′In′, respectively, the following formulas 2 and 4 are satisfied when ′In′ / (′In′+′Sn′) 0.5. Formula 1: ′In′ / (′In′ + ′Zn′ + ′Sn′)

Abstract translation: 本发明的薄膜晶体管用氧化物是至少含有In，Zn，Sn的In-Zn-Sn系氧化物。 当In-Zn-Sn类氧化物中包含的金属元素的含量（原子百分比）分别由'Zn'，'Sn'和'In'表示时，当In '/（'In'+'Sn'）<= 0.5，当'In'/（'In'+'Sn'）> 0.5时，满足下列公式1,3和4。 式1：'In'/（'In'+'Zn'+'Sn'）<= 0.3，式2：'In'/（'In'+'Zn'+'Sn'）<= 1.4×{ Zn'/（'Zn'+'Sn'）} -0.5，式3：'Zn'/（'In'+'Zn'+'Sn'）<= 0.83，式4：0.1 <=' （'In'+'Zn'+'Sn'）根据本发明，用于薄膜晶体管的氧化物薄膜具有优异的TFT开关特性，溅射期间的高溅射速率和适当控制的蚀刻速率 可以获得湿蚀刻。

公开(公告)号：KR101509115B1

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：KR1020137025547

申请日：2012-03-08

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 다오히로아키 ,  미키아야 ,  모리타신야 ,  야스노사토시 ,  구기미야도시히로 ,  박재우 ,  이제훈 ,  안병두 ,  김건희

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L21/02554 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 본발명의박막트랜지스터용산화물은 In, Zn 및 Sn을적어도포함하는 In-Zn-Sn계산화물이며, In-Zn-Sn계산화물에포함되는금속원소의함유량(원자%)을각각 [Zn], [Sn] 및 [In]으로했을때, [In]/([In]+[Sn])≤0.5일때에는하기식2, 4를만족시키고; [In]/([In]+[Sn])>0.5일때에는하기식1, 3, 4를만족시키는것이다. [식 1][식 2][식 3][식 4]본발명에따르면, TFT의스위칭특성이우수하고, 스퍼터링시의스퍼터레이트가높고, 또한웨트에칭시의에칭레이트가적절하게제어된박막트랜지스터용산화물박막이얻어진다.

Abstract translation: 用于薄膜晶体管的本发明的氧化物是含有In，Zn和Sn的In-Zn-Sn系氧化物，其中，当In-Zn-Sn系中含有的金属元素的含量（原子％ 当[In] /（[In] + [Sn]）[Zn]，[In] + [Sn]表示[Zn]，[Sn]和[In]时，In-Zn-Sn系氧化物满足下述（2） ]）≦0.5; 当[In] /（[In] + [Sn]）> 0.5时，或以下表达式（1），（3）和（4）。 [In] /（[In] + [Zn] + [Sn]）≤0.3 - - - （1），[In] /（[In] + [Zn] + [Sn]）≤1.4×{[Zn] /([Zn]+[Sn])}-0.5 - - - （2），[Zn] /（[In] + [Zn] + [Sn]）≤0.83 - - - （3）和0.1≤[ In] /（[In] + [Zn] + [Sn]） - - - （4）。 根据本发明，可以获得用于薄膜晶体管的氧化物薄膜，其提供具有优异的开关特性的TFT，并且在溅射中具有高溅射速率并且在湿蚀刻中具有适当控制的蚀刻速率。

公开(公告)号：KR1020130091771A

公开(公告)日：2013-08-19

申请号：KR1020137016522

申请日：2011-11-28

Applicant: 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 ,  삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 미키아야 ,  모리타신야 ,  구기미야도시히로 ,  야스노사토시 ,  박재우 ,  이제훈 ,  안병두 ,  김건희

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C01G19/006 ,  C01P2006/10 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/548 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/06

Abstract: PURPOSE: An oxide for the semiconductor layer of a thin film transistor, a sputtering target, and the thin film transistor are provided to improve electric conductance by lowering gas pressure in a sputtering process for forming a layer. CONSTITUTION: Oxide includes Zn, Sn, and In. The oxide is changed into an oxide layer by a sputtering method. The thickness of the oxide layer is 35 to 80 nm. The oxide is used for the semiconductor layer (4) of a thin film transistor. The density of the semiconductor layer is 5.8 g/cm3 or higher.

Abstract translation: 目的：提供用于薄膜晶体管，溅射靶和薄膜晶体管的半导体层的氧化物，以通过在用于形成层的溅射工艺中降低气体压力来改善导电性。 构成：氧化物包括Zn，Sn和In。 通过溅射法将氧化物变成氧化物层。 氧化物层的厚度为35〜80nm。 氧化物用于薄膜晶体管的半导体层（4）。 半导体层的密度为5.8g / cm 3以上。

公开(公告)号：KR101648684B1

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：KR1020157004247

申请日：2013-06-06

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 ,  가부시키가이샤 고베 세이코쇼

Inventor： 고토히로시 ,  미키아야 ,  기시도모야 ,  히로세겐타 ,  모리타신야 ,  구기미야도시히로 ,  안병두 ,  김건희 ,  김연홍

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 이동도가양호하며, 스트레스내성도우수함과함께, 웨트에칭특성도양호한산화물반도체층을갖는박막트랜지스터를제공한다. 본발명의박막트랜지스터는, 기판위에적어도게이트전극, 게이트절연막, 산화물반도체층, 소스-드레인전극및 보호막을이 순서로갖는박막트랜지스터로서, 상기산화물반도체층은, 제1 산화물반도체층(IGZTO)과, 제2 산화물반도체층(IZTO)을갖는적층체이며, 상기제2 산화물반도체층은, 상기게이트절연막위에형성되어있음과함께, 상기제1 산화물반도체층은, 상기제2 산화물반도체층과상기보호막의사이에형성되어있으며, 또한상기제1 산화물반도체층중, 산소를제외한전체금속원소에대한각 금속원소의함유량은, Ga: 5% 이상, In: 25% 이하(0%를포함하지않음), Zn: 35 내지 65% 및 Sn: 8 내지 30%이다.

公开(公告)号：KR1020150094783A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：KR1020157020425

申请日：2011-11-28

Applicant: 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 ,  삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 미키아야 ,  모리타신야 ,  구기미야도시히로 ,  야스노사토시 ,  박재우 ,  이제훈 ,  안병두 ,  김건희

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C01G19/006 ,  C01P2006/10 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/548 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78693

Abstract: 본 발명에 관한 박막 트랜지스터의 반도체층용 산화물은, Zn, Sn 및 In을 포함하고, 산화물에 포함되는 금속 원소의 함유량(원자％)을 각각, [Zn], [Sn] 및 [In]으로 하였을 때, 하기 수학식 1 내지 3을 만족하는 것이다.
[수학식 1]

[수학식 2]

[수학식 3]

본 발명에 따르면, 높은 이동도를 실현할 수 있고, 또한, 스트레스 내성(스트레스 인가 전후의 임계값 전압 시프트량이 적은 것)도 우수한 박막 트랜지스터용 산화물을 제공할 수 있었다.

公开(公告)号：KR1020150053994A

公开(公告)日：2015-05-19

申请号：KR1020157009414

申请日：2013-10-15

Applicant: 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 ,  삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 다오히로아키 ,  마에다다케아키 ,  미키아야 ,  구기미야도시히로 ,  안병두 ,  구소영 ,  김건희

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 본발명의과제는산화물반도체층과보호막의계면에형성되는돌기의형태가적절하게제어되어, 안정된특성을발휘하는박막트랜지스터를제공하는것이다. 해당박막트랜지스터는금속원소로서 In, Zn 및 Sn을적어도포함하는산화물로이루어지는산화물반도체층과, 해당산화물반도체층과직접접촉하는보호막을갖고, 상기산화물반도체층의, 상기보호막과직접접촉하는면에형성되는돌기의최대높이가 5㎚미만인점에특징을갖는다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是在其中在氧化物半导体层和所述保护层之间的界面处形成被适当地控制的凸起的形式，以提供薄膜晶体管表现出稳定的特性。 薄膜晶体管是具有在与氧化物半导体层，包含In，Zn和Sn的至少一种氧化物构成的氧化物半导体层直接接触的保护膜的表面上的金属元件，在与氧化物半导体层的保护膜直接接触 并且形成的突起的最大高度小于5nm。

公开(公告)号：KR1020150038351A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：KR1020157004919

申请日：2013-08-30

Applicant: 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 ,  삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 미키아야 ,  모리타신야 ,  고토히로시 ,  다오히로아키 ,  구기미야도시히로 ,  안병두 ,  김건희 ,  박진현 ,  김연홍

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L27/3262 ,  H01L2924/13069

Abstract: 산화물반도체층박막을구비한박막트랜지스터에있어서, 광이나바이어스스트레스등에대해임계값전압의변화량이작고, 스트레스내성이우수한박막트랜지스터를제공한다. 본발명의박막트랜지스터는, 게이트전극과, 채널층에사용되는단층의산화물반도체층과, 산화물반도체층의표면을보호하기위한에치스토퍼층과, 소스·드레인전극과, 게이트전극과채널층사이에배치되는게이트절연막을구비한박막트랜지스터이며, 산화물반도체층을구성하는금속원소는, In, Zn 및 Sn으로구성됨과함께, 상기산화물반도체층과직접접촉하는게이트절연막내의수소농도는 4원자% 이하로제어된것이다.

Abstract translation: 提供了一种薄膜晶体管，其包括氧化物半导体薄膜层，并且具有由于光，偏压应力等而不会变化太大的阈值电压，从而表现出优异的应力稳定性。 本发明的薄膜晶体管具有：栅电极; 用作沟道层的两个或更多个氧化物半导体层; 蚀刻停止层，用于保护氧化物半导体层的表面; 源极 - 漏极电极; 以及插入在栅电极和沟道层之间的栅绝缘膜。 构成与栅极绝缘膜直接接触的氧化物半导体层的金属元素为In，Zn和Sn。 与氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜的氢浓度被控制在4原子％以下。

公开(公告)号：KR101459983B1

公开(公告)日：2014-11-07

申请号：KR1020137015876

申请日：2011-11-28

Applicant: 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 ,  삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 미키아야 ,  모리타신야 ,  구기미야도시히로 ,  야스노사토시 ,  박재우 ,  이제훈 ,  안병두

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/548 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78693

Abstract: 본 발명에 관한 박막 트랜지스터의 반도체층용 산화물은, Zn, Sn 및 In과 ; Si, Hf, Ga, Al, Ni, Ge, Ta, W 및 Nb로 이루어지는 X군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소(X군 원소)를 포함하는 것이다. 본 발명에 따르면, 높은 이동도를 실현할 수 있고, 또한 스트레스 내성(스트레스 인가 전후의 임계값 전압 시프트량이 적은 것)도 우수한 박막 트랜지스터용 산화물을 제공할 수 있었다.

公开(公告)号：KR1020130091770A

公开(公告)日：2013-08-19

申请号：KR1020137015876

申请日：2011-11-28

Applicant: 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 ,  삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 미키아야 ,  모리타신야 ,  구기미야도시히로 ,  야스노사토시 ,  박재우 ,  이제훈 ,  안병두

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/548 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/26

Abstract: PURPOSE: Oxide for the semiconductor layer of a thin film transistor, a sputtering target, and the thin film transistor are provided to improve the stability for light stress by increasing the density of the semiconductor layer of the thin film transistor. CONSTITUTION: Oxide is used for the semiconductor layer (4) of a thin film transistor. The density of the semiconductor layer is 5.8 g/cm^3 or more. The oxide includes Zn, Sn, In, and an X group element. The X group element is selected from an X group. The X group includes Si, Hf, Ga, Al, Ni, Ge, Ta, and Nb.

Abstract translation: 目的：提供用于薄膜晶体管，溅射靶和薄膜晶体管的半导体层的氧化物，以通过增加薄膜晶体管的半导体层的密度来提高光应力的稳定性。 构成：氧化物用于薄膜晶体管的半导体层（4）。 半导体层的密度为5.8g / cm 3以上。 氧化物包括Zn，Sn，In和X族元素。 从X组中选择X组元素。 X基团包括Si，Hf，Ga，Al，Ni，Ge，Ta和Nb。