公开(公告)号：KR1020080058046A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：KR1020060132104

申请日：2006-12-21

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 레자예프올레그 ,  박기호 ,  이시혁 ,  이수민

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/02

CPC classification number: C30B25/18 ,  C30B29/403

Abstract: A growth method of a III group nitride single crystal and a III group nitride single crystal manufactured by using the same are provided to manufacture a nonpolar surface gallium nitride having improved surface roughness by performing a high temperature gallium nitride growth process using a repeated modulation of V/III group ratio. A growth method of a III group nitride single crystal includes providing an r surface substrate(S11); heat-treating the substrate at a temperature ranging from 1000 to 1200 °C(S13); forming a nitride nuclear growth layer on the substrate for a growth of a high quality gallium nitride at a temperature ranging from 500 to 600 °C(S15); and growing a nonpolar surface gallium nitride single crystal on the nitride nuclear growth layer while repeatedly modulating increase and decrease of V/III group ratio so that a horizontal growth mode and a vertical growth mode are repeatedly changed(S17).

Abstract translation: 提供了通过使用它们制造的III族氮化物单晶和III族氮化物单晶的生长方法来制造具有改善的表面粗糙度的非极性表面的氮化镓，其通过使用V的重复调制进行高温氮化镓生长工艺 / III组比例。 III族氮化物单晶的生长方法包括提供r面衬底（S11）; 在1000〜1200℃的温度下对基板进行热处理（S13）; 在基板上形成氮化物核生长层，以在500-600℃的温度范围内生长高质量的氮化镓（S15）; 并且在氮化物核生长层上生长非极性表面氮化镓单晶，同时重复地调制V / III组比的增加和减小，从而重复改变水平生长模式和垂直生长模式（S17）。

公开(公告)号：KR100856287B1

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：KR1020070020304

申请日：2007-02-28

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 양종인 ,  레자예프올레그 ,  장성환 ,  이시혁 ,  박기호 ,  이수민 ,  김태형

IPC: H01L33/02 ,  H01L21/20

Abstract: 본 발명은, HVPE 공정을 이용한 특정 도전형을 갖는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 제조방법에 관한 것으로서, 반응챔버의 소스공급영역 및 성장영역에 기판과 적어도 하나의 Ⅲ족 금속소스을 각각 배치하는 단계와, 상기 기판과 상기 적어도 하나의 Ⅲ족 금속소스를 각각 가열하고, 상기 가열과정에서 상기 Ⅲ족 금속소스 중 적어도 하나를 용융시키는 단계와, 상기 용융된 Ⅲ족 금속소스 내에 특정 도전형을 부여하기 위한 불순물 금속원소를 공급하는 단계와, 상기 소스공급영역에 염화물 반응가스를 주입함으로써 불순물 금속원소가 함유된 Ⅲ족 금속 염화물을 형성하는 단계와, 상기 불순물 금속원소가 함유된 Ⅲ족 금속 염화물과 상기 Ⅴ족 원소를 함유한 가스를 상기 성장영역에 공급하는 단계와, 상기 불순물 금속원소가 함유된 Ⅲ족 금속 염화물과 상기 � ��족 원소를 함유한 가스를 반응시킴으로써 상기 기판 상에 특정 도전형을 갖는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체를 성장시키는 단계를 포함하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 제조방법을 제공한다.
하이드라이드 기상 에피택시법(Hydride Vapor Phase Epitaxy), 질화물(nitride),

公开(公告)号：KR100843474B1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：KR1020060132104

申请日：2006-12-21

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 레자예프올레그 ,  박기호 ,  이시혁 ,  이수민

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/02

CPC classification number: C30B25/18 ,  C30B29/403

Abstract: 본 발명의 일 측면은, 유기금속화학기상증착(MOCVD)공정을 이용한 Ⅲ족 질화물 단결정 성장방법에 있어서, r면 (1-102) 기판을 마련하는 단계와, 상기 기판 상에 질화물 핵성장층을 형성하는 단계와, 수평성장모드와 수직성장모드가 반복적으로 변경되도록 Ⅴ/Ⅲ족 비의 증감을 변조시키면서 상기 질화물 핵성장층 상에 비극성 a면 (11-20) 질화물 갈륨 단결정을 성장시키는 단계를 포함하는 Ⅲ족 질화물 단결정 성장방법을 제공한다.
Ⅲ족 질화물 단결정(Ⅲ group nitride single crystal), a면 질화갈륨(a-plane GaN), 유기금속화학기상증착(MOCVD), r면 사파이어(r-plane sapphire)

公开(公告)号：KR1020080079819A

公开(公告)日：2008-09-02

申请号：KR1020070020304

申请日：2007-02-28

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 양종인 ,  레자예프올레그 ,  장성환 ,  이시혁 ,  박기호 ,  이수민 ,  김태형

IPC: H01L33/02 ,  H01L21/20

Abstract: A method for fabricating a III-V group compound semiconductor is provided to secure a uniform impurity concentration distribution by supplying impurity metal to a III group metal source in advance. A III group metal source and a substrate are arranged in a source supplying region and a growing region of a reactive chamber(S11). The substrate and the III group metal source are heated, and then the III group metal source is melted(S12). Impurity metal element is supplied to allow the melted III group metal source to have a specific conductive property(S14). Chloride reactive gas is injected into the source supplying region to form a III group metal chloride containing the impurity metal element(S15). The III group metal chloride containing the impurity metal element and gas containing a V group element are supplied to the growing region(S16). The III group metal chloride containing the impurity metal element and the gas containing a V group element are reacted with each other to grow a III-V group compound semiconductor having the specific conductive property(S18).

Abstract translation: 提供了一种制备III-V族化合物半导体的方法，用于通过预先向III族金属源提供杂质金属来确保均匀的杂质浓度分布。 III族金属源和基板布置在反应室的源供应区域和生长区域中（S11）。 将基板和III族金属源加热，然后III族金属源熔化（S12）。 供给杂质金属元素以使熔融的III族金属源具有特定的导电性能（S14）。 将氯化物反应气体注入到源供应区域中以形成含有杂质金属元素的III族金属氯化物（S15）。 将含有杂质金属元素的III族金属氯化物和含有V族元素的气体供给生长区域（S16）。 含有杂质金属元素的III族金属氯化物和含有V族元素的气体彼此反应以生长具有特定导电性的III-V族化合物半导体（S18）。