公开(公告)号：KR1020120069529A

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：KR1020110087276

申请日：2011-08-30

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김상희 ,  배효근 ,  츠요시스기우라

IPC: H03K17/693 ,  H04B1/44

CPC classification number: H03K17/693 ,  H03K17/6871 ,  H04B1/44

Abstract: PURPOSE: A high frequency switch is provided to reduce power consumption of a transmission power amp of a transmission circuit in a multimode system by removing insertion loss characteristics of a switch connected to a FDM(Frequency Division Multiplex) communication system. CONSTITUTION: A high frequency switch comprises one or more first ports(10) and second ports(20), a common port(30), a first series switch(40), and a second series switch(50). The first port is connected to the TDM(Time Division Multiplex) communication system. The second port is connected to the FDM(Frequency Division Multiplex) communication system. The common port transmits or receives a high frequency signal which is inputted and outputted through the first port or the second port. The first series switch includes one or more first field effect transistors. The second series switch includes one or more second field effect transistors.

Abstract translation: 目的：提供一种高频开关，通过消除连接到FDM（频分复用）通信系统的开关的插入损耗特性来降低多模系统中传输电路的发射功率放大器的功耗。 构成：高频开关包括一个或多个第一端口（10）和第二端口（20），公共端口（30），第一串联开关（40）和第二串联开关（50）。 第一个端口连接到TDM（时分复用）通信系统。 第二个端口连接到FDM（频分复用）通信系统。 公共端口发送或接收通过第一端口或第二端口输入和输出的高频信号。 第一串联开关包括一个或多个第一场效应晶体管。 第二串联开关包括一个或多个第二场效应晶体管。

公开(公告)号：KR101228742B1

公开(公告)日：2013-02-04

申请号：KR1020110087276

申请日：2011-08-30

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김상희 ,  배효근 ,  츠요시스기우라

IPC: H03K17/693 ,  H04B1/44

Abstract: 본 발명의 과제는 멀티 모드 시스템에 있어서 SOI 기판 상에 형성된 고주파 스위치의 삽입 손실 특성을 개선하는 것이다. 본 발명의 고주파 스위치는 적어도 하나의 제1 포트(10) 및 제2 포트(20), 공통 포트(30), 제1 시리즈 스위치(40) 및 제2 시리즈 스위치(50)를 갖는다. 제1 포트는 시분할 다중 통신 시스템에 연결되고, 제2 포트는 주파수 분할 다중 통신 시스템에 연결되어, 각각 고주파 신호를 입력 또는 출력한다. 공통 포트는 제1 포트 또는 제2 포트를 통해 입출력되는 고주파 신호를 송신 또는 수신한다. 제1 시리즈 스위치는 적어도 하나의 제1 전계 효과 트랜지스터를 구비하며, 제1 전계 효과 트랜지스터의 게이트에 연결되는 제1 게이트 저항으로의 인가 전압에 따라 제1 포트와 공통 포트 사이를 도통 또는 차단한다. 제2 시리즈 스위치는 적어도 하나의 제2 전계 효과 트랜지스터를 구비하며, 제2 전계 효과 트랜지스터의 게이트에 연결되며 제1 게이트 저항보다 큰 저항값을 갖는 제2 게이트 저항으로의 인가 전압에 따라 제2 포트와 공통 포트 사이를 도통 또는 차단한다.

Abstract translation: 发明内容本发明的一个目的是改善在多模系统中在SOI衬底上形成的高频开关的插入损耗特性。 本发明的高频开关具有至少一个第一端口10和第二端口20，公共端口30，第一串联开关40和第二串联开关50。 第一端口连接到时分多路复用通信系统，第二端口连接到频分多路复用通信系统，以分别输入或输出高频信号。 公共端口通过第一端口或第二端口发送或接收高频信号输入/输出。 第一系列开关包括至少一个第一场效应晶体管和，第一场效应传导或所述第一端口，并且如果施加到第二到第一栅极电阻器上的电压被连接到所述晶体管的栅极的公共端口之间的粘连。 第二串联开关包括至少一个第二场效应晶体管并且连接到第二场效应晶体管的栅极并具有大于第一栅极电阻的电阻值， 和普通的港口。

公开(公告)号：KR1020120067275A

公开(公告)日：2012-06-25

申请号：KR1020110087271

申请日：2011-08-30

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김상희 ,  배효근 ,  코키탄지 ,  츠요시스기우라

IPC: H03K17/693 ,  H04B1/44

CPC classification number: H03K17/693 ,  H01L29/0653 ,  H03K17/6871 ,  H04B1/44

Abstract: PURPOSE: A high frequency switch is provided to maintain a harmonic characteristic at a transmission path of a high frequency signal by using a MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) formed on a SOI(Silicon On Insulator) substrate. CONSTITUTION: A high frequency switch includes one or more transmission ports(10), one or more receiving ports(20), and a common port(30). The high frequency switch comprises a series switch(40) of a transmission side, a shunt switch(50) of the transmission side, a series switch(60) of a receiving side, and a shunt switch(70) of the receiving side. The transmission port inputs a transmission signal. The receiving port outputs a received signal. The common port transmits the transmission signal or receives the received signal. The series switch on the transmission side includes a body contact type FET(Field Effect Transistor). The series switch on the transmission side is connected between the transmission port and the common port. The shunt switch on the transmission side includes the body contact type FET. The shunt switch on the transmission side is connected between the transmission port and a ground terminal.

Abstract translation: 目的：通过使用形成在SOI（绝缘体上硅）衬底上的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），提供高频开关，以保持高频信号传输路径的谐波特性。 构成：高频开关包括一个或多个传输端口（10），一个或多个接收端口（20）和公共端口（30）。 高频开关包括发送侧的串联开关（40），发送侧的并联开关（50），接收侧的串联开关（60）和接收侧的分流开关（70）。 传输端口输入传输信号。 接收端口输出接收信号。 公共端口发送发送信号或接收接收到的信号。 传输侧的串联开关包括体接触型FET（场效应晶体管）。 传输端的串联开关连接在传输端口和公共端口之间。 传输侧的分流开关包括主体接触型FET。 传输侧的分流开关连接在传输端口和接地端子之间。

公开(公告)号：KR101288239B1

公开(公告)日：2013-07-26

申请号：KR1020110087274

申请日：2011-08-30

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김상희 ,  배효근 ,  츠요시스기우라

IPC: H01L29/78 ,  H03K17/693 ,  H01L21/336

Abstract: 본 발명의 과제는 게이트 배선에 양호한 전압 분포를 형성하여, 삽입 손실 특성 및 하모닉 특성을 향상시킨 고주파 반도체 스위치를 제공하는 것이다. 본 발명의 전계 효과형 트랜지스터는 무선 통신을 절환하기 위한 고주파 반도체 스위치에 포함되는 전계 효과형 트랜지스터(50)로서, 기판에 형성된 소스 영역(100)과 전기적으로 연결되고, 일방향으로 연장되는 소스 배선(60)과, 기판에 형성된 드레인 영역(110)과 전기적으로 연결되고, 소스 배선(60)과 대략 평행하게 연장되는 드레인 배선(70)과, 소스 배선(60) 및 드레인 배선(70) 사이에서 소스 배선(60) 및 드레인 배선(70)과 대략 평행하게 연장되는 평행 부분(122)을 갖는 게이트(120)와, 게이트(120)에 전압을 인가하기 위한 게이트 배선(80)과, 게이트(120) 및 게이트 배선(80)을 전기적으로 연결하는 게이트 비아(82)를 가지며, 평행 부분(122)이 2개의 단부(126)를 가지고 있고, 게이트 비아(82)로부터 2개의 단부(126)에 각각 전압의 인가 경로가 형성된다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种高频半导体开关，其中在栅极布线中形成良好的电压分布，并且提高插入损耗特性和谐波特性。 本发明的场效应晶体管被电连接到形成为场效应晶体管50中，包含在高频半导体开关用于切换的基板的无线电通信，在一个方向上延伸的源极布线（源极区域100 与形成在基板中的漏极区域110电连接并且与源极布线60和电连接到源极布线60和漏极布线70的源极布线60基本平行地延伸的漏极布线70， 具有基本上平行于布线60和漏极布线70延伸的平行部分122的栅极120，用于向栅极120施加电压的栅极布线80， 并且将栅极线80和具有两个端部126的平行部分122和栅极通孔82电连接到两个端部126的栅极过孔82， 正在形成。

公开(公告)号：KR1020120069528A

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：KR1020110087275

申请日：2011-08-30

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김상희 ,  츠요시스기우라

IPC: H03K17/693 ,  H04B1/44

CPC classification number: H03K17/693

Abstract: PURPOSE: A high frequency semiconductor switch is provided to have a FET(Field Effect Transistor) with properties to be required for a transmission terminal and a receiving terminal. CONSTITUTION: A high frequency semiconductor switch includes a plurality of field effects transistors. A source region and a drain region are formed on a substrate while leaving an interval. A gate(160) is formed on the substrate while leaving an interval. A source contact(172) is connected to the source region on the substrate. A drain contact(182) is connected to the drain region on the substrate. The distance between a source contact and a drain contact of a transistor(50a) on a receiving terminal is longer than the distance between a source contact and a drain contact of a transistor(50c) on a transmission terminal.

Abstract translation: 目的：提供高频半导体开关以具有传输终端和接收终端所需的特性的FET（场效应晶体管）。 构成：高频半导体开关包括多个场效应晶体管。 源极区域和漏极区域形成在衬底上，同时留下间隔。 栅极（160）形成在衬底上，同时留下间隔。 源极触点（172）连接到衬底上的源极区域。 漏极接触件（182）连接到衬底上的漏极区域。 接收端子上的晶体管（50a）的源极触点和漏极接触点之间的距离比传输端子上的晶体管（50c）的源极触点和漏极触点之间的距离长。

公开(公告)号：KR1020120069527A

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：KR1020110087274

申请日：2011-08-30

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김상희 ,  배효근 ,  츠요시스기우라

IPC: H01L29/78 ,  H03K17/693 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1075 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/10 ,  H01L29/772 ,  H01L29/7802 ,  H03K17/693

Abstract: PURPOSE: A high frequency semiconductor switch is provided to reduce an insertion loss by uniformly distributing a voltage in gate wiring. CONSTITUTION: Drain wiring(70) is extended in parallel to source wiring(60). A gate has a parallel part. The parallel part is extended in parallel to the source wiring and the drain wiring. Gate wiring(80) applies a voltage to a gate. A gate via(82) electrically connects the gate and the gate wiring.

Abstract translation: 目的：提供高频半导体开关，通过均匀分布栅极布线中的电压来减少插入损耗。 构成：漏极布线（70）与源极布线（60）并联延伸。 门有一个平行的部分。 并联部分与源极布线和漏极布线并联延伸。 栅极布线（80）向栅极施加电压。 栅极通孔（82）电连接栅极和栅极布线。

公开(公告)号：KR1020120069526A

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：KR1020110087273

申请日：2011-08-30

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김상희 ,  박성환 ,  츠요시스기우라

IPC: H03K17/693 ,  H04B1/44

CPC classification number: H03K17/693 ,  H01L29/0653 ,  H03K17/6871 ,  H04B1/44

Abstract: PURPOSE: A high frequency switch is provided to improve harmonic characteristics and reducing insertion loss characteristics by mixing each switch part commonly connected to a common port with a body contact type FET(Field Effect Transistor) and a floating body type FET. CONSTITUTION: A high frequency switch(1) includes a first switch part(100A) and a second switch part(100B) commonly connected to an antenna(110) through a common port(CX). The first switch part maintains a conduction state or a non-conduction state according to a control signal inputted to a first common gate terminal. The first switch part applies a first transmission signal inputted to a first transmission port(TX1) to an antenna through the common port. The second switch part maintains the conduction state or the non-conduction state according to the control signal inputted to a second common gate terminal. The second switch part applies a second transmission signal inputted to a second transmission port(TX2) to the antenna through the common port.

Abstract translation: 目的：通过将共同连接到公共端口的开关部分与体接触型FET（场效应晶体管）和浮体型FET混合来提供高频开关，以改善谐波特性并降低插入损耗特性。 构成：高频开关（1）包括通过公共端口（CX）共同连接到天线（110）的第一开关部分（100A）和第二开关部分（100B）。 第一开关部分根据输入到第一公共栅极端子的控制信号保持导通状态或非导通状态。 第一开关部通过公共端口将输入到第一传输端口（TX1）的第一传输信号应用于天线。 第二开关部分根据输入到第二公共栅极端子的控制信号保持导通状态或非导通状态。 第二开关部通过公共端口将输入到第二传输端口（TX2）的第二传输信号应用于天线。

公开(公告)号：KR1020120069525A

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：KR1020110087272

申请日：2011-08-30

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김상희 ,  박성환 ,  츠요시스기우라 ,  이치로오토베 ,  코키탄지 ,  노리히사오타니

IPC: H03K17/693 ,  H04B1/44 ,  H01L27/04

CPC classification number: H03K17/693

Abstract: PURPOSE: A high frequency switch is provided to prevent the conduction of a parasitic diode by allowing a transmission signal of large power, which is inputted from a common port, to feed forward a body terminal. CONSTITUTION: A high frequency switch(1) includes a first switch part(100A) and a second switch part(100B) commonly connected to an antenna(110) through a common port(CX). The first switch part is connected between a first transmission port(TX1) and the common port. The second switch part is connected between a second transmission port(TX2) and the common port. The first switch part conducts or blocks a first transmission signal from the first transmission port according to a control signal inputted into a first common gate terminal. The second switch part conducts or blocks a second transmission signal from the second transmission port according to the control signal inputted into a second common gate terminal.

Abstract translation: 目的：提供一种高频开关，通过允许从公共端口输入的大功率的传输信号向前馈身体终端来防止寄生二极管的传导。 构成：高频开关（1）包括通过公共端口（CX）共同连接到天线（110）的第一开关部分（100A）和第二开关部分（100B）。 第一开关部分连接在第一传输端口（TX1）和公共端口之间。 第二开关部分连接在第二传输端口（TX2）和公共端口之间。 第一开关部根据输入到第一公共栅极端子的控制信号，对第一发送端口的第一发送信号进行导频或阻塞。 第二开关部根据输入到第二公共栅极端子的控制信号，从第二传输端口导通或阻断第二传输信号。

公开(公告)号：KR101309445B1

公开(公告)日：2013-09-23

申请号：KR1020110087273

申请日：2011-08-30

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김상희 ,  박성환 ,  츠요시스기우라

IPC: H03K17/693 ,  H04B1/44

Abstract: 본 발명은 삽입 손실 특성 및 고조파 특성이 모두 양호한 고주파 스위치를 실현하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 따른 고주파 스위치는, 안테나로 송신 신호가 출력되는 공통 포트와, 송신 신호가 입력되는 송신 포트와, 복수의 상기 송신 포트와 상기 공통 포트 사이에 각각 연결되어, 각 송신 포트와 상기 공통 포트를 도통 또는 차단하는 복수의 스위치부를 갖고, 상기 스위치부는, 실리콘 기판에 형성되어 직렬로 연결된 복수의 MOSFET를 가지며, 상기 복수의 MOSFET는 바디 콘택트형 FET 및 플로팅 바디형 FET 중 어느 하나로서, 각 스위치부는 바디 콘택트형 FET 및 플로팅 바디형 FET를 모두 포함한다.

公开(公告)号：KR101309384B1

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：KR1020110087271

申请日：2011-08-30

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김상희 ,  배효근 ,  코키탄지 ,  츠요시스기우라

IPC: H03K17/693 ,  H04B1/44

Abstract: 본 발명은 고주파 신호의 전달경로에서의 고조파 특성을 양호하게 유지하면서, 회로 규모가 축소된 고주파 스위치에 관한 것이다. 본 발명의 고주파 스위치는, 적어도 하나의 송신 포트(10)와, 적어도 하나의 수신 포트(20)와, 공통 포트(30)와, 송신측 시리즈 스위치(40)와, 송신측 션트 스위치(50)와, 수신측 시리즈 스위치(60)와, 수신측 션트 스위치(70)를 갖는다. 송신 포트는, 송신 신호를 입력하고, 수신 포트는, 수신 신호를 출력하고, 공통 포트는, 송신 신호를 송신하거나 또는 수신 신호를 수신한다. 송신측 시리즈 스위치는, 바디 콘택트형 FET를 구비하며, 송신 포트와 공통 포트 사이에 접속된다. 송신측 션트 스위치는, 바디 콘택트형 FET를 구비하며, 송신 포트와 접지단 사이에 접속된다. 수신측 시리즈 스위치는, 바디 콘택트형 FET를 구비하며, 수신 포트와 공통 포트 사이에 접속된다. 수신측 션트 스위치는, 적어도 하나의 플로팅 바디형 FET를 구비하며, 수신 포트와 상기 접지단 사이에 접속된다.

Abstract translation: 本发明涉及在高频信号的传输路径中令人满意地保持谐波特性的同时具有减小的电路规模的高频开关。 本发明的高频开关，至少一个发射端口（10），以及至少一个接收端口20，以及公共端口30，发送串联开关40和发送侧分流开关50 接收侧串联开关60和接收侧分流开关70。 发送端口输入发送信号，接收端口输出接收信号，公共端口发送发送信号或接收接收信号。 发送侧串联开关具有体接触型FET，并连接在发送端口和公共端口之间。 发射分路开关包括体接触型FET，并且连接在发射端口和接地端子之间。 接收侧串联开关包括体接触型FET并连接在接收端口和公共端口之间。 接收分路开关包括至少一个浮体型FET，并且连接在接收端口和接地端子之间。