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公开(公告)号：KR1020110071810A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020090128465
申请日：2009-12-21
Applicant: 삼성전기주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0022 , H01L51/0005 , H01L51/0014 , H01L51/0545 , H01L51/0096 , H01L51/055 , H01L51/105
Abstract: PURPOSE: An organic thin film transistor and a method of manufacturing the same are provided to improve electrical characteristic by forming grooves for a source, drain, and gate electrode at the same time to reduce parasitic capacitance due to gate overlap. CONSTITUTION: In an organic thin film transistor and a method of manufacturing the same, a plurality of barriers(113b,113c) and a plurality of groove portions(h1-h3) which are divided by the barriers are formed in an insulating substrate(110). A source electrode(210) and a drain electrode(230) are formed in grooves which are separated from each other. An opening unit(h4) is formed by etching the barriers between the source electrode and the gate electrode and between the gate electrode and the drain electrode. A gate insulating layer(310) is formed on the opening unit.
Abstract translation: 目的：提供一种有机薄膜晶体管及其制造方法，以通过同时形成用于源极，漏极和栅电极的沟槽来改善电特性，以减少由栅极重叠导致的寄生电容。 构成：在有机薄膜晶体管及其制造方法中，在绝缘基板（110）中形成有多个屏障（113b，113c）和被阻挡层分隔的多个槽部（h1-h3） ）。 源电极（210）和漏电极（230）形成在彼此分离的凹槽中。 通过蚀刻源电极和栅电极之间以及栅电极和漏极之间的势垒形成开口单元（h4）。 在开口单元上形成栅极绝缘层（310）。
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公开(公告)号：KR101079519B1
公开(公告)日：2011-11-03
申请号：KR1020090128465
申请日：2009-12-21
Applicant: 삼성전기주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0022 , H01L51/0005 , H01L51/0014 , H01L51/0545
Abstract: 본발명은유기박막트랜지스터및 그제조방법에관한것으로, 본발명에따른유기박막트랜지스터는다수의격벽및 상기격벽에의하여구획되는다수의홈부가형성된절연기판; 상기다수의홈부중 서로이격된홈부각각에형성된소스및 드레인전극; 상기소스및 드레인전극사이의홈부에형성되는게이트전극; 상기소스전극과게이트전극, 상기게이트전극과드레인전극사이의격벽의식각에의하여형성된개구부; 상기개부구에형성되는게이트절연막; 및상기게이트절연막상에형성된유기반도체층;을포함한다. 본발명에따른유기박막트랜지스터는대량생산이가능하고우수한전기적특성을갖는다.
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公开(公告)号：KR101036920B1
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：KR1020090020220
申请日：2009-03-10
Applicant: 삼성전기주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L51/40
Abstract: 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 음각 패턴이 형성된 패턴층을 기판에 형성하는 단계, 음각 패턴 내부에 소스 전극(source electrode) 및 드레인 전극(drain electrode)을 각각 형성하는 단계, 음각 패턴 내부에 수용되도록, 소스 전극 및 드레인 전극에 절연층을 각각 형성하는 단계, 패턴층 중, 소스 전극과 드레인 전극 사이, 및 절연층 사이에 개재된 일부를 제거하는 단계, 소스 전극 및 드레인 전극과 각각 접하도록, 패턴층의 일부가 제거된 공간에 유기 반도체층을 형성하는 단계, 패턴층의 일부가 제거된 공간에 수용되도록, 유기 반도체층에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 및 패턴층의 일부가 제거된 공간에 수용되도록, 게이트 절연막에 게이트 전극(gate electrode)을 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터(OTFT, organic thin film transistor) 제조 방법이 제공된다. 이에 따라, 소스 전극, 드레인 전극, 유기 반도체층 및 게이트 전극이 상호 간에 보다 정밀하게 정렬됨으로써, 게이트 전극과 소스 전극 간, 및 게이트 전극과 드레인 전극 간 생성될 수 있는 기생 캐패시턴스를 최소화할 수 있다.
유기 박막 트랜지스터, 임프린트, 잉크젯-
公开(公告)号：KR1020100101822A
公开(公告)日：2010-09-20
申请号：KR1020090020220
申请日：2009-03-10
Applicant: 삼성전기주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L51/0005 , H01L51/0021
Abstract: PURPOSE: The organic thin film transistor and manufacturing method thereof is the gate electrode and source electrode, and, the gate electrode and drain. The parasitic capacitance which goes electrode and can become can be minimized. CONSTITUTION: The pattern layer in which the intaglio pattern is formed is formed in substrate(S110). The source electrode and drain electrode are respectively formed in the intaglio pattern inside(S120). In order that it is accepted to the intaglio pattern inside, the insulating layer is respectively formed in the source electrode and drain electrode(S130).
Abstract translation: 目的：有机薄膜晶体管及其制造方法是栅电极和源电极，以及栅电极和漏极。 可以使到达电极并且可以变成的寄生电容最小化。 构成：在衬底中形成形成凹版图案的图案层（S110）。 源电极和漏极电极分别形成在凹版图案内部（S120）。 为了使其内部的凹版图形被接受，绝缘层分别形成在源电极和漏电极中（S130）。
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