公开(公告)号：KR1020150024685A

公开(公告)日：2015-03-09

申请号：KR1020130101921

申请日：2013-08-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강단규 ,  강상석 ,  안영만

IPC: G11C11/406

CPC classification number: G11C11/406 ,  G11C5/025 ,  G11C7/1066 ,  G11C7/1072 ,  G11C7/1093 ,  G11C7/222 ,  G11C11/40607 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/4093 ,  G11C16/32 ,  G11C17/16 ,  G11C2207/2272 ,  G11C2211/4061

Abstract: 본 발명의 하나의 실시형태에 따른 메모리 모듈은 복수의 DRAM들을 장착한 메모리 모듈에 있어서, 상기 복수의 DRAM들 각각은 장착된 위치에 따라 서로 다른 리프레쉬 주기 또는 서로 다른 제어 파라미터를 갖는다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 메모리 모듈은 발열로 인한 에러 에러 및 특성 열화에 의한 에러를 리프레쉬 주기 또는 AC/DC 파라미터를 조절하여 보정할 수 있다.

Abstract translation: 根据本发明的实施例，提供了一种其上安装有多个DRAM的存储器模块。 每个DRAM根据安装的位置具有不同的刷新周期或不同的控制参数。 因此，通过调整刷新周期或AC / DC参数，存储器模块可以校正由热引起的误差和由特性劣化引起的误差。