Abstract:
레이아웃 디자인 시스템, 이를 이용한 마스크 패턴 제조 시스템 및 방법이 제공된다. 상기 레이아웃 디자인 시스템은 프로세서 및 스티치 모듈과, 미리 정한 디자인 룰(design rule)에 따라 배치된, 제1 시간에 패터닝되는 제1 패턴을 포함하는 제1 패턴 그룹과 상기 제1 시간과 다른 제2 시간에 패터닝되는 제2 패턴을 포함하는 제2 패턴 그룹을 포함하는 레이아웃 디자인이 저장되는 저장부를 포함하되, 상기 스티치 모듈은, 상기 프로세서를 이용하여 상기 제2 패턴 중 고립 패턴을 검출하고, 상기 프로세서를 이용하여 상기 고립 패턴과 미리 정한 간격 이상으로 이격된 제1 패턴 중 적어도 하나를 상기 제2 패턴 그룹으로 중복 지정한다.
Abstract:
본 발명은 반도체 소자 제조용 잉킹시스템을 제공한다. 상기 반도체 소자 제조용 잉킹시스템은 웨이퍼에 형성된 다수개의 칩들에 일정전류를 인가하여, 상기 일정전류가 흐르지 않는 칩을 검출하여 1차 배드칩으로 인식하는 테스터와, 상기 테스터를 통해 검출된 상기 1차 배드칩(Bad Chip)에 대한 위치정보가 기록된 데이타를 갖는 제어부와, 상기 제어부의 제어에 의해 상기 웨이퍼의 1차 배드칩상에 잉크를 마킹하는 잉킹장치 및 상기 잉킹장치에 의해 마킹된 상기 1차 배드칩을 제외한 칩들에 대한 확대화상을 취득하여, 상기 취득된 칩들의 확대화상을 육안으로 재검사하고, 상기 재검사를 통해 이상이 발생된 2차 배드칩의 위치좌표정보를 기억하고, 상기 위치정보좌표를 상기 제어부로 전송하여 상기 잉킹장치를 통해 상기 2차 배드칩상에 잉크를 리마킹(Remarking)시키는 검사장치를 구비한다. 잉킹장치, 검사장치, 배드칩
Abstract:
PURPOSE: A photo-resist supplying apparatus is provided to prevent the shortage of injection amount due to a bubble by supplying continuously nitrogen gas to the interior of nozzle using a bubble generating restrainer. CONSTITUTION: A photo-resist is stored in a supply tank(1). The supply tank is communicated with a buffer tank(5). The photo-resist stored in the buffer tank is forcibly pumped by a pump(11). The photo-resist pumped by the pump is injected through a injection nozzle(15). A generation of bubble from the interior of the injection nozzle is prevented by a bubble generating restrainer(20).
Abstract:
반도체 소자 레이어의 여러 특성을 측정하기 위한 측정 마크와 그것을 이용한 칼리브레이션 방법, 측정 시스템 및 측정하여 칼리브레이션하기 위한 컴퓨터 프로그램 제품이 개시된다. 본 발명의 마크는 반도체 소자의 각 레이어의 여러 특성을 측정하기 위한 측정 마크에 있어서, 인접하는 꺾임형 패턴들과 서로 다양한 간격으로 이격된 선분형 가지 패턴들을 가진 다수 개의 쇄선형 L-형 패턴들을 포함한다. 본 발명의 실시예들에 의하는 경우, 하나의 측정 마크로 각 레이어의 다양한 특성을 동시에 측정할 수 있다. 중첩, 정렬오차, 코너 라운딩
Abstract:
In a semiconductor device having a dual stress liner for improving electron mobility, the dual stress liner includes a first liner portion formed on a PMOSFET and a second liner portion formed on an NMOSFET. The first liner portion has a first compressive stress, and the second liner portion has a second compressive stress smaller than the first compressive stress. The dual stress liner may be formed by forming a stress liner on a semiconductor substrate on which the PMOSFET and the NMOSFET are formed and selectively exposing a portion of the stress liner on the NMOSFET.
Abstract:
개시된 반도체 소자 제조용 잉킹시스템은 다수개의 칩이 형성된 웨이퍼와 전기적 테스트를 통하여 검출된 웨이퍼의 1차 배드칩들에 대한 위치정보가 기록된 데이타를 갖는 제어부와 제어부의 제어에 의해 웨이퍼의 1치 배드칩상에 잉크를 마킹하는 잉킹장치 및 잉킹장치에 의해 마킹된 1차 배드칩을 제외한 양품칩들의 메탈라인의 두께를 검사하여 추가로 검출된 2차 배드칩들의 위치좌표정보를 기억하고 제어부로 전송하여 잉킹장치를 제어함으로써 추가로 검출된 2차 배드칩상에 리마킹(Remarking)시키는 검사장치를 포함한다.
Abstract:
PURPOSE: An apparatus for measuring an overlay is provided to shorten a processing time by classifying parameters of overlay and monitoring automatically the overlay-state. CONSTITUTION: The overlay measurement apparatus comprises an overlay measuring part, an overlay parameter calculation part, and a data analysis system(30). The data analysis system(30) is classified each parameter to each corresponding wafer and exposing shot and displayed by a graph shape. The data analysis system(30) further includes a data classification part(32), a graph output part(34) for graphing the classified parameters to overlay parameters per each wafer and each shot, and a display part(36) for displaying the graph output.
Abstract:
반도체 소자 레이어의 여러 특성을 측정하기 위한 측정 마크와 그것을 이용한 칼리브레이션 방법, 측정 시스템 및 측정하여 칼리브레이션하기 위한 컴퓨터 프로그램 제품이 개시된다. 본 발명의 마크는 반도체 소자의 각 레이어의 여러 특성을 측정하기 위한 측정 마크에 있어서, 인접하는 꺾임형 패턴들과 서로 다양한 간격으로 이격된 선분형 가지 패턴들을 가진 다수 개의 쇄선형 L-형 패턴들을 포함한다. 본 발명의 실시예들에 의하는 경우, 하나의 측정 마크로 각 레이어의 다양한 특성을 동시에 측정할 수 있다. 중첩, 정렬오차, 코너 라운딩