公开(公告)号：KR1020130011136A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：KR1020110072074

申请日：2011-07-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김범준 ,  김기성 ,  김영선 ,  고덕길 ,  임진영 ,  정의준

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02458 ,  C23C16/303 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/32

Abstract: 개시된화학기상증착방법은서셉터에제1유동가스를공급하고, 제1공정온도에서새털라이트디스크에안착된기판상에제1반도체층을형성하고, 상기서셉터에제2유동가스를공급하고, 제2공정온도에서상기제1반도체층상에제2반도체층을형성할수 있다. 그리고, 개시된발광소자의제조방법은서셉터에제1유동가스를공급하고, 제1공정온도에서새털라이트디스크에안착된기판상에양자우물층을형성하고, 상기서셉터에제2유동가스를공급하고, 제2공정온도에서상기양자우물층상에양자장벽층을형성할수 있다.

Abstract translation: 目的：提供化学气相沉积方法和使用其的发光器件的制造方法，以通过提高量子阱层和量子势垒层的界面特性来提高发光器件的发光效率。 构成：在900℃以上的高温下，在基板上形成缓冲层。 在500〜800℃的低温下，在缓冲层上形成低温化合物半导体层（130）。 在低温化合物半导体层上，在1000〜1200摄氏度的高温下，形成未掺杂的化合物半导体层（140）和n型半导体层（150）。 在n型半导体层上，在900〜1000℃下形成有源层（160）。 有源层通过交替层叠量子阱层（160a）和量子势垒层（160b）而形成。 （标号）（AA）温度; （BB）时间; （CC）工艺温度; （DD）基板表面温度