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1.发明专利
公开(公告)号：KR102222902B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020140056641A
申请日：2014-05-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32715 , H01J37/32082 , H01J37/32449 , H01J37/32706
Abstract: 플라즈마 장비는, 내부 공간을 갖는 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내에 배치되고 기판이 로딩되는 상면을 갖는 척, 상기 공정 챔버 내부로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 척의 상부에 플라즈마를 생성시키기 위한 플라즈마 생성 유닛, 및 상기 척에 DC 펄스 신호를 인가하는 DC 파워 생성기를 포함한다. 상기 직류 펄스 신호의 주기는, 네거티브 펄스를 인가하는 네거티브 펄스 구간, 포지티브 펄스를 인가하는 포지티브 펄스 구간, 및 상기 네거티브 펄스 및 포지티브 펄스가 턴-오프 되는 펄스-오프 구간을 포함한다. 상기 포지티브 펄스 구간은 상기 네거티브 펄스 구간 및 상기 펄스-오프 구간 사이에 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040079127A
公开(公告)日：2004-09-14
申请号：KR1020030014057
申请日：2003-03-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
Abstract: PURPOSE: A plasma etcher chamber system is provided to improve the processing performance and lengthen the lifetime by using a multi-plasma source for generating plasma from RF power of 27MHz and RF power of 2MHz. CONSTITUTION: A plasma etcher chamber(10) is used for processing a wafer. An RF generator(44) includes two separative RF generators in order to supply RF power to an electrode of the plasma etcher chamber. A matching controller(46) is used for matching control on the RF power. A system computer(45) is used to control the matching controller. A match assembly(47) is used for receiving the RF power from the matching controller and providing the RF power to the electrode of the plasma etcher chamber.
Abstract translation: 目的：提供等离子体蚀刻室系统，通过使用多等离子体源从27MHz的RF功率和2MHz的RF功率产生等离子体来提高处理性能并延长使用寿命。 构成：等离子体蚀刻室（10）用于处理晶片。 RF发生器（44）包括两个分离RF发生器，以便向等离子体蚀刻室的电极提供RF功率。 匹配控制器（46）用于对RF功率进行匹配控制。 系统计算机（45）用于控制匹配控制器。 匹配组件（47）用于从匹配控制器接收RF功率并将RF功率提供给等离子体蚀刻室的电极。
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公开(公告)号：KR102258099B1
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：KR1020140026924
申请日：2014-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 반도체장치및 반도체장치의제조방법이개시된다. 상기반도체장치는기판및 비아전극을포함한다. 상기기판은서로대향된제1 면및 제2 면을가지며, 상기제1 면으로부터상기제2 면을향해서연장되는비아홀을포함한다. 상기비아전극은비아홀을매립한다. 상기비아홀은상기제1 면에인접하여배치된제1 부분및 상기제1 부분과연통되며상기제1 부분으로부터멀어질수록좁은폭을가지며, 실질적으로평탄한바닥면을갖는제2 부분을구비한다.
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公开(公告)号：KR102222902B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020140056641
申请日：2014-05-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
Abstract: 플라즈마장비는, 내부공간을갖는공정챔버, 상기공정챔버내에배치되고기판이로딩되는상면을갖는척, 상기공정챔버내부로공정가스를공급하는가스공급유닛, 상기척의상부에플라즈마를생성시키기위한플라즈마생성유닛, 및상기척에 DC 펄스신호를인가하는 DC 파워생성기를포함한다. 상기직류펄스신호의주기는, 네거티브펄스를인가하는네거티브펄스구간, 포지티브펄스를인가하는포지티브펄스구간, 및상기네거티브펄스및 포지티브펄스가턴-오프되는펄스-오프구간을포함한다. 상기포지티브펄스구간은상기네거티브펄스구간및 상기펄스-오프구간사이에있다.
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公开(公告)号：KR1020150129942A
公开(公告)日：2015-11-23
申请号：KR1020140056641
申请日：2014-05-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32715 , H01J37/32082 , H01J37/32449 , H01J37/32706
Abstract: 플라즈마장비는, 내부공간을갖는공정챔버, 상기공정챔버내에배치되고기판이로딩되는상면을갖는척, 상기공정챔버내부로공정가스를공급하는가스공급유닛, 상기척의상부에플라즈마를생성시키기위한플라즈마생성유닛, 및상기척에 DC 펄스신호를인가하는 DC 파워생성기를포함한다. 상기직류펄스신호의주기는, 네거티브펄스를인가하는네거티브펄스구간, 포지티브펄스를인가하는포지티브펄스구간, 및상기네거티브펄스및 포지티브펄스가턴-오프되는펄스-오프구간을포함한다. 상기포지티브펄스구간은상기네거티브펄스구간및 상기펄스-오프구간사이에있다.
Abstract translation: 等离子体装置包括：处理室，包括内部空间; 布置在处理室中的卡盘，包括用于加载基板的顶侧; 向处理室供给处理气体的气体供给单元; 等离子体发生单元，其在卡盘的上侧产生等离子体; 以及将DC脉冲信号施加到卡盘的直流发电机。 直流脉冲信号的周期包括施加负脉冲的负脉冲部分; 正脉冲部分应用正脉冲; 以及关断负脉冲和正脉冲的脉冲截止部分。 正脉冲部分位于负脉冲部分和脉冲关断部分之间。
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公开(公告)号：KR1020150104928A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：KR1020140026924
申请日：2014-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/30655 , H01L21/76871 , H01L21/76879 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2224/16145
Abstract: 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법이 개시된다. 상기 반도체 장치는 기판 및 비아 전극을 포함한다. 상기 기판은 서로 대향된 제1 면 및 제2 면을 가지며, 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면을 향해서 연장되는 비아 홀을 포함한다. 상기 비아 전극은 비아 홀을 매립한다. 상기 비아 홀은 상기 제1 면에 인접하여 배치된 제1 부분 및 상기 제1 부분과 연통되며 상기 제1 부분으로부터 멀어질수록 좁은 폭을 가지며, 실질적으로 평탄한 바닥면을 갖는 제2 부분을 구비한다.
Abstract translation: 公开了一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：衬底和通孔电极。 基板具有彼此相对的第一面和第二面，并且包括从第一面向第二面延伸的通路孔。 通孔电极埋入通孔。 通孔与布置在第一面附近的第一部分连通，并且包括第二部分，第二部分具有窄的宽度，远离第一部分，实际上具有平坦的底面。
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