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公开(公告)号：KR101756130B1
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：KR1020100080697
申请日：2010-08-20
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 반도체저장장치및 상기반도체저장장치의성능조절방법이개시된다. 본발명의반도체저장장치의성능조절방법은, 상기반도체저장장치의워크로드와관련된둘 이상의워크로드데이터를수집하는단계; 수집된둘 이상의워크로드데이터를이용하여워크로드를예측하는단계; 및예측된워크로드에따라상기반도체저장장치의성능을조절하는단계를구비하여, 반도체저장장치가겪을워크로드를예측할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种半导体存储器件和用于控制半导体存储器件的性能的方法。 一种调整本发明的半导体存储器件的性能的方法包括：收集与半导体存储器件的工作负载相关的至少两个工作量数据; 使用至少两个收集的工作量数据预测工作量; 并根据预测的工作量调整半导体存储设备的性能，从而预测半导体存储设备将经历的工作量。
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公开(公告)号：KR1020100108821A
公开(公告)日：2010-10-08
申请号：KR1020090027055
申请日：2009-03-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H02J9/06
CPC classification number: H02J9/061
Abstract: PURPOSE: An auxiliary power supply and a user device including the same are provided to stably perform a sudden power off operation by supplying auxiliary power gradually. CONSTITUTION: A power supply unit(110) supplies an operation power to a user device(100). An auxiliary power unit(120) includes a plurality of power storage device and gradually supplies the auxiliary power in sudden power off. The auxiliary power unit includes first and second super capacitors(121,122), an one-way device(125), a switch, and a timer. The first and second supper capacitor is a power storage device. The one-way device, the switch, and the timer are a power control device.
Abstract translation: 目的：提供辅助电源和包括该辅助电源的用户装置，以通过逐渐提供辅助电力来稳定地执行突然断电操作。 构成：供电单元（110）向用户设备（100）提供操作电力。 辅助动力单元（120）包括多个蓄电装置，并在突然断电时逐渐供给辅助动力。 辅助动力单元包括第一和第二超级电容器（121,122），单向设备（125），开关和定时器。 第一和第二超级电容器是蓄电装置。 单向设备，交换机和定时器是功率控制设备。
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公开(公告)号：KR101824067B1
公开(公告)日：2018-01-31
申请号：KR1020100080862
申请日：2010-08-20
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 반도체저장장치의성능조절을위한상기반도체저장장치와호스트간의인터페이스방법및 그장치가개시된다. 상기인터페이스방법은상기호스트로부터설정요청명령을수신하는단계; 상기반도체저장장치가상기설정요청명령에응답하여, 요청된성능조절파라미터를특정값으로설정하는단계; 및상기반도체저장장치가상기호스트로상기성능조절파라미터의설정을완료하였음을나타내는설정응답신호를전송하는단계를구비한다.
Abstract translation: 公开了一种用于在半导体存储设备与主机之间进行接口以控制半导体存储设备的性能的方法和设备。 该接口方法包括：从主机接收配置请求命令; 响应于所述设置请求命令，将所请求的性能控制参数设置为特定值; 并且向主机发送指示半导体存储装置已经完成了性能调整参数的设置的设置响应信号。
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公开(公告)号：KR101702393B1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：KR1020100080699
申请日：2010-08-20
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 반도체저장장치및 상기반도체저장장치의성능조절방법이개시된다. 본발명의비휘발성메모리장치및 상기비휘발성메모리장치를제어하는컨트롤러를포함하는반도체저장장치의성능조절방법은, 상기반도체저장장치를제1 성능레벨에따라동작시키는단계; 새로운성능레벨을산출하는단계; 상기산출된성능레벨을미리정해진기준과비교하는단계; 상기비교결과에따라, 상기산출된성능레벨을제2 성능레벨로결정하는단계; 상기반도체저장장치를상기제2 성능레벨에따라동작시키는단계를구비한다.
Abstract translation: 目的：提供一种用于调整半导体存储装置的性能的半导体存储装置和方法，以根据装置的工作量自适应地调整装置的性能。 构成：控制器计算新的性能等级（S121）。 控制器将计算的新性能水平与预定参考值进行比较。 如果新的性能级别低于最低性能级别，则控制器选择最低性能级别并应用所选择的最低性能级别（S123）。 如果新的性能级别等于或大于最低性能级别，则控制器选择应用新的性能级别（S124）。
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公开(公告)号：KR1020120017831A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：KR1020100080698
申请日：2010-08-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/0616 , G06F3/0613 , G06F3/0653 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F13/1668 , G06F2206/1014
Abstract: PURPOSE: A semiconductor storing apparatus and a method for adjusting the performance of the semiconductor storing apparatus are provided to effectively adjust the performance of the apparatus by inserting idle time after the operating process of the apparatus according to the workloads of the apparatus. CONSTITUTION: A controller receives a writing command from a host(S210). Writing data is received from the host(S230). The received writing data is programmed in the memory cell array of a non-volatile memory(S250). When the writing data is programmed, a semiconductor storing apparatus transmits the writing operation complete signal to the host(S270). Idle time is inserted after at least one of processes according to set performance levels.
Abstract translation: 目的：提供一种用于调整半导体存储装置的性能的半导体存储装置和方法，用于根据装置的工作负载在装置的操作处理之后插入空闲时间来有效地调整装置的性能。 构成：控制器从主机接收写入命令（S210）。 从主机接收写入数据（S230）。 所接收的写入数据被编程在非易失性存储器的存储单元阵列中（S250）。 当写入数据被编程时，半导体存储装置向主机发送写入操作完成信号（S270）。 根据设定的性能等级，在至少一个进程之后插入空闲时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120017832A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：KR1020100080699
申请日：2010-08-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F13/1668 , G06F3/0613 , G06F3/0616
Abstract: PURPOSE: A semiconductor storing apparatus and a method for adjusting the performance of the semiconductor storing apparatus are provided to adaptively adjust the performance of the apparatus according to workloads of the apparatus. CONSTITUTION: A new performance level is calculated by a controller(S121). The controller compares the calculated new performance level with a pre-determined reference. If the new performance level is lower than the minimum performance level, the controller selects the minimum performance level and applies the selected minimum performance level(S123). If the new performance level is equal to or more than the minimum performance level, the controller selects the applies the new performance level(S124).
Abstract translation: 目的：提供一种用于调整半导体存储装置的性能的半导体存储装置和方法，以根据装置的工作量自适应地调整装置的性能。 构成：控制器计算新的性能等级（S121）。 控制器将计算的新性能水平与预定参考值进行比较。 如果新的性能级别低于最低性能级别，则控制器选择最低性能级别并应用所选择的最低性能级别（S123）。 如果新的性能级别等于或大于最低性能级别，则控制器选择应用新的性能级别（S124）。
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公开(公告)号：KR1020120017830A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：KR1020100080697
申请日：2010-08-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/061 , G06F3/0613 , G06F3/0616 , G06F13/14 , G06F13/20 , G06F2212/2022
Abstract: PURPOSE: A semiconductor storing apparatus and a method for adjusting the performance of the semiconductor storing apparatus are provided to secure the life expectancy of the storing apparatus by adjusting the performance of the apparatus based on predicted workloads. CONSTITUTION: A controller collects workload data related to workloads applied to a semiconductor storing apparatus(S100). Based on the collected workload data, workloads are predicted(S110). The controller determines target performance levels according to the predicted workloads(S120). The controller applies the determined performance level to the operation of the semiconductor storing apparatus(S130).
Abstract translation: 目的：提供一种用于调整半导体存储装置的性能的半导体存储装置和方法，以通过基于预测的工作负载调整装置的性能来确保存储装置的预期寿命。 规定：控制器收集与应用于半导体存储装置的工作负载有关的工作量数据（S100）。 根据收集的工作量数据，预测工作量（S110）。 控制器根据预测的工作负载确定目标性能水平（S120）。 控制器将所确定的性能水平应用于半导体存储装置的操作（S130）。
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公开(公告)号：KR1020110112972A
公开(公告)日：2011-10-14
申请号：KR1020100032242
申请日：2010-04-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/3454
Abstract: 비휘발성 메모리 장치가 개시된다. 상기 비휘발성 메모리 장치는 각각이 복수의 비트들을 저장할 수 있는 복수의 멀티 레벨 셀들을 포함하는 메모리 셀 어레이; 및 제1그룹의 검증 전압 레벨들 중 어느 하나에 따라 상기 복수의 비트들을 제1멀티 레벨 셀에 프로그램하고, 각각이 상기 제1그룹의 검증 전압 레벨들보다 높은 레벨을 가지는 제2그룹의 검증 전압 레벨들 중 어느 하나에 따라, 상기 제1멀티 레벨 셀에 프로그램된 복수의 비트들을 상기 제1멀티 레벨 셀에 재프로그램하도록 제어하는 제어 회로를 포함하며, 상기 제2그룹의 검증 전압 레벨들에 의하여 정의된 제2그룹의 상태들의 갯수는 상기 제1그룹의 검증 전압 레벨들에 의하여 정의된 제1그룹의 상태들의 갯수보다 작다.
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公开(公告)号：KR1020100115583A
公开(公告)日：2010-10-28
申请号：KR1020090034223
申请日：2009-04-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F13/4234 , G06F12/0246 , G06F13/385 , G06F2212/7205 , G11C16/10
Abstract: PURPOSE: A data storage system is provided to improve the degree of freedom of a controller. CONSTITUTION: A storage media(2000) comprises the nonvolatile memories. A controller(1000) is connected through channel to the storage media. The controller transmits command for the next operation, address and data to the nonvolatile memories in a busy state. The controller performs arbitrary operation during the time gained by transmitting the command, the address, and the data to the nonvolatile memory in a busy state.
Abstract translation: 目的：提供数据存储系统，以提高控制器的自由度。 构成：存储介质（2000）包括非易失性存储器。 控制器（1000）通过通道连接到存储介质。 控制器在繁忙状态下向非易失性存储器发送下一个操作命令，地址和数据。 控制器在忙碌状态下将命令，地址和数据发送到非易失性存储器的时间内执行任意操作。
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公开(公告)号：KR101777810B1
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：KR1020090027055
申请日：2009-03-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H02J9/06
Abstract: 본발명에따른보조전원장치는보조전원을저장하기위한제 1 전원저장장치; 보조전원을저장하기위한제 2 전원저장장치; 및외부전원장치의서든파워오프시에, 상기제 1 및제 2 전원저장장치의보조전원을단계적으로제공하기위한전원제어장치를포함한다. 본발명에의하면, 보조전원장치는메인전원장치의서든파워오프시에, 보조전원을단계적으로공급함으로, 슈퍼커패시터의불량에대비할수 있고, 서든파워오프동작을안정하게수행할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的辅助电源装置包括用于存储辅助电源的第一电力存储装置; 第二蓄电装置，用于存储辅助电源; 以及电源控制装置，用于在外部电源断开时逐步提供第一和第二蓄电装置的辅助电力。 根据本发明，通过突然断电的辅助动力装置，当主电源，逐渐供给到辅助电源，并且可以为超级电容器的故障做好准备，可以稳定地用于断电操作物质进行。
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