公开(公告)号：KR102202753B1

公开(公告)日：2021-01-14

申请号：KR1020140103843

申请日：2014-08-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박상진 ,  윤보언 ,  전하영 ,  길연진 ,  윤지원 ,  최원상

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/335

Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 반도체장치는, 기판상에형성되고제1 방향으로연장된핀, 핀상에제1 방향으로이격되어형성된제1 및제2 트랜지스터, 제1 및제2 트랜지스터사이에배치된핀 내에, 제1 방향과교차하는제2 방향으로연장되어형성되고, 제1 및제2 트랜지스터를분리시키는제1 소자분리막, 및제1 소자분리막상에, 제2 방향으로연장되어형성된제2 소자분리막을포함하되, 제2 소자분리막은, 제1 영역과제2 영역을포함하고, 제1 영역의제2 방향폭은, 제2 영역의제2 방향폭과다르다.

公开(公告)号：KR1020160019276A

公开(公告)日：2016-02-19

申请号：KR1020140103843

申请日：2014-08-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박상진 ,  윤보언 ,  전하영 ,  길연진 ,  윤지원 ,  최원상

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/165 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7831

Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 반도체장치는, 기판상에형성되고제1 방향으로연장된핀, 핀상에제1 방향으로이격되어형성된제1 및제2 트랜지스터, 제1 및제2 트랜지스터사이에배치된핀 내에, 제1 방향과교차하는제2 방향으로연장되어형성되고, 제1 및제2 트랜지스터를분리시키는제1 소자분리막, 및제1 소자분리막상에, 제2 방향으로연장되어형성된제2 소자분리막을포함하되, 제2 소자분리막은, 제1 영역과제2 영역을포함하고, 제1 영역의제2 방향폭은, 제2 영역의제2 방향폭과다르다.

Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：形成在衬底上并沿第一方向延伸的销; 在所述第一方向上在所述引脚上分离的第一和第二晶体管; 在与所述第一方向交叉的第二方向上在所述第一和第二晶体管之间延伸的第一器件分离延伸到所述引脚中，并且分离所述第一和第二晶体管; 以及在第二方向上在第一器件分离膜上延伸的第二器件分离膜。 第二装置分离膜包括第一和第二区域，第一区域的第二方向宽度与第二区域的第二方向宽度不同。