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公开(公告)号：KR1020150081213A
公开(公告)日：2015-07-13
申请号：KR1020140000948
申请日：2014-01-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/38
CPC classification number: A45C11/00 , A45C2011/003 , G06F1/1669 , G06F2200/1633
Abstract: 전자장치를보호하는보호커버의착탈장치와관련된다양한실시예들이기술된바, 한실시예에따르면, 보호커버의착탈장치에있어서, 상기보호커버에구비되는적어도하나이상의후크부; 및상기전자장치의후면에구비됨과아울러상기후크부들와대응되는위치에제공되며, 상기후크부의착탈에따라서상기후크부를걸려고정시키거나걸림을해제시키는적어도하나이상의착탈부를포함할수 있으며, 이외에도다양한다른실시예들이가능하다.
Abstract translation: 描述了本发明的各种实施例，其涉及保护电子装置的保护盖的安装和拆卸装置。 根据本发明的一个实施例，保护盖的安装和拆卸装置包括形成在保护盖上的至少一个钩部分和形成在电子装置的后侧上的至少一个安装和拆卸部件 并且设置在与钩部相对应的位置，并且根据钩部的安装和拆卸来固定或释放钩部。 此外，各种不同的实施例是可能的。
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公开(公告)号：KR1020140142957A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：KR1020130064761
申请日：2013-06-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/105 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/82345 , H01L21/28088 , H01L21/28176 , H01L21/823842 , H01L27/1104 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L21/823462 , H01L21/823857
Abstract: 반도체 장치의 형성 방법이 제공된다. 반도체 장치의 형성 방법은, 제1 내지 제3 영역을 포함하는 기판 상에 게이트 유전층을 형성하고, 제1 영역 상에 제1 기능층을 형성하고 제2 및 제3 영역 상에 제1 기능층을 미형성하고, 제1 및 제2 영역 상에 제2 기능층을 형성하고 제3 영역 상에 제2 기능층을 미형성하고, 제1 내지 제3 영역 상에 일함수 조절 물질을 포함하는 문턱 전압 조절층을 형성하고, 기판을 열처리하여 일함수 조절 물질을 게이트 유전층에 확산시키는 것을 포함한다.
Abstract translation: 提供一种形成半导体器件的方法。 形成半导体器件的方法包括以下步骤：在包括第一至第三区域的衬底上形成栅极电介质层; 在第一区域上形成第一功能层，而不在第二区域和第三区域上形成第一功能层; 在第一区域和第二区域上形成第二功能层，而不在第三区域上形成第二功能层; 在所述第一至第三区域上形成包括功函数控制材料的阈值电压控制层; 以及通过热处理所述基板将所述功函数控制材料扩散到所述栅介质层上。
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