公开(公告)号：KR1020150091606A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：KR1020140012039

申请日：2014-02-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김동혁 ,  신거명 ,  신동석

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8232 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848

Abstract: 반도체 장치는 기판, 제1 및 제2 게이트 구조물들, 제1 및 제2 스페이서들, 및 제1 및 제2 소스/드레인 층들을 포함한다. 기판은 상부에 소자 분리막이 형성된 필드 영역 및 소자 분리막으로부터 상부로 돌출된 제1 및 제2 액티브 영역들을 포함한다. 제1 및 제2 게이트 구조물들은 제1 및 제2 액티브 영역들 상에 각각 형성된다. 제1 및 제2 스페이서들은 각 제1 및 제2 액티브 영역들의 상면보다 높은 상면을 갖도록 이들의 측벽 상에 각각 형성되며, 서로 다른 높이의 상면을 갖는다. 제1 및 제2 소스/드레인 층들은 각 제1 및 제2 게이트 구조물들에 인접하며, 각 제1 및 제2 스페이서들에 접촉하도록 각 제1 및 제2 액티브 영역들 상에 형성된다.

Abstract translation: 半导体器件包括：衬底; 第一和第二门结构; 第一和第二间隔物; 以及第一和第二源极和漏极层。 衬底包括具有元件分离膜的场区域和从元件分离膜向上突出的第一和第二有源区域。 第一和第二栅极结构分别形成在第一和第二有源区上。 第一和第二间隔件分别形成在第一和第二有源区域的侧壁上，以具有比第一和第二有源区域的上表面更高的上表面，并且具有不同高度的上表面。 第一和第二源极和漏极层与第一和第二栅极结构相邻并且形成在第一和第二有源区上以与第一和第二间隔物接触。

公开(公告)号：KR1020120099863A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：KR1020110018343

申请日：2011-03-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정회성 ,  신동석 ,  김동혁 ,  김명선

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/66545

Abstract: PURPOSE: A transistor and a manufacturing method thereof are provided to have improved driving current characteristics and increased hole mobility by applying a large compressive stress to a channel region. CONSTITUTION: A gate structure(140) is formed on a substrate(100) which includes silicon. A first recess(160) is formed by etching the top of the substrate which is adjacent to the gate structure. A first epitaxial layer(175) which includes silicon-germanium is formed within the first recess. A second recess(180) is formed by etching the top of a first epitaxial layer. A second epitaxial layer(195) which includes silicon-germanium is formed within the second recess. The first recess and the second recess comprise one or more facets on a crystallographic plane of the silicon.

Abstract translation: 目的：提供晶体管及其制造方法，通过对沟道区域施加大的压缩应力来具有改善的驱动电流特性和增加的空穴迁移率。 构成：在包括硅的基板（100）上形成栅极结构（140）。 通过蚀刻与栅极结构相邻的衬底的顶部形成第一凹部（160）。 在第一凹槽内形成包括硅锗的第一外延层（175）。 通过蚀刻第一外延层的顶部形成第二凹槽（180）。 在第二凹槽内形成包括硅锗的第二外延层（195）。 第一凹槽和第二凹槽包括在硅的结晶平面上的一个或多个刻面。

公开(公告)号：KR1020120069132A

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：KR1020100130543

申请日：2010-12-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김동혁

IPC: H04N21/431 ,  H04N21/437 ,  H04N21/45 ,  H04N21/462 ,  H04N21/472

CPC classification number: H04N21/431 ,  H04N21/437 ,  H04N21/45 ,  H04N21/4622 ,  H04N21/472

Abstract: PURPOSE: A bidirectional communication method and an apparatus thereof are provided to process bidirectional information based on SNMP(Simple Network Management Protocol), FTP(File Transfer Protocol), and XML(eXtensible Markup Language). CONSTITUTION: An FTP client(102) receives information related to interaction through FTP. A controller displays a GUI(Graphical User Interface) through information related to interaction. An MIB(Management Information Base) generating unit(108) generates MIB based on user input through the GUI. An SNMP agency(106) transmits the generated MIB to a server.

Abstract translation: 目的：提供双向通信方法及其装置，用于基于SNMP（简单网络管理协议），FTP（文件传输协议）和XML（可扩展标记语言）来处理双向信息。 规定：FTP客户端（102）通过FTP接收与交互相关的信息。 控制器通过与交互相关的信息显示GUI（图形用户界面）。 MIB（管理信息库）生成单元（108）基于通过GUI的用户输入生成MIB。 SNMP代理（106）将生成的MIB发送到服务器。

公开(公告)号：KR1020120009869A

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：KR1020100070811

申请日：2010-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신동석 ,  이용주 ,  김동혁 ,  김명선 ,  정회성

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L22/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: An epitaxial growth step evaluation method and an epitaxial film forming method are provided to form an epitaxial film having a property which is required for a semiconductor device by accurately evaluating an aspect of growth of the epitaxial film. CONSTITUTION: A plurality of substrate for process estimation is prepared(S10). A mold layer is respectively formed on the plurality of substrate for the process estimation(S12). A photo-resist pattern is formed on the mold layer(S14). Patterns for evaluation having different substrate open rates are formed on the plurality of substrate for the process estimation(S16). An epitaxial film is formed on the plurality of substrate for the process estimation(S18). The property of the epitaxial film according to the substrate open rate is evaluated(S20).

Abstract translation: 目的：提供外延生长步骤评估方法和外延膜形成方法，以通过精确评估外延膜的生长方面形成具有半导体器件所需性质的外延膜。 构成：准备多个用于处理估计的基板（S10）。 在多个基板上分别形成用于处理估计的模具层（S12）。 在模具层上形成光刻胶图案（S14）。 在多个用于处理估计的基板上形成具有不同基板开口率的评价图案（S16）。 在多个基板上形成用于工艺估计的外延膜（S18）。 对外延膜的基板开口率进行评价（S20）。

公开(公告)号：KR1020070013816A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：KR1020050068447

申请日：2005-07-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최명욱 ,  이인성 ,  변재성 ,  안기완 ,  김동혁

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1248 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1262

Abstract: A thin film transistor plate and a method for fabricating the same are provided to protect gate pads and data pads from an etching solution used to form auxiliary gate pads and auxiliary data pads, and prevent stripping of a gate insulator layer and/or a passivation layer, by forming an organic layer on the gate pads and the data pads, thereby restraining inferiority of a thin film transistor plate. Gate wiring is formed on a substrate(10), including gate lines(22) extended in a first direction and gate pads(24) located at ends of the gate lines. A gate insulator layer(30) covers the gate lines. Data wiring is formed on the gate insulator layer, including data lines(62) extended in a second direction to cross the gate lines, and data pads located at ends of the data lines. A passivation layer(71) covers the gate wiring and the data wiring. An organic layer is formed on the passivation layer on the gate lines and the data lines in first thickness while being formed on the passivation layer on the gate pads and the data pads in second thickness thinner than the first thickness. First contact holes(74) are formed over the gate insulator layer, the passivation layer, and the organic layer for exposing the gate pads. Second contact holes(78) are formed over the passivation layer and the organic layer for exposing the data pads.

Abstract translation: 提供薄膜晶体管板及其制造方法，以保护栅极焊盘和数据焊盘免受用于形成辅助栅极焊盘和辅助数据焊盘的蚀刻溶液的影响，并防止栅极绝缘体层和/或钝化层的剥离 通过在栅极焊盘和数据焊盘上形成有机层，从而抑制薄膜晶体管板的劣化。 栅极布线形成在基板（10）上，包括沿第一方向延伸的栅极线（22）和位于栅极线端部的栅极焊盘（24）。 栅极绝缘体层（30）覆盖栅极线。 数据布线形成在栅极绝缘体层上，包括在第二方向上延伸以跨过栅极线的数据线（62）和位于数据线端部的数据焊盘。 钝化层（71）覆盖栅极布线和数据布线。 在栅极焊盘上的钝化层上形成第一厚度的栅极线上的钝化层上的有机层和第二厚度比第一厚度薄的数据焊盘。 第一接触孔（74）形成在栅极绝缘体层，钝化层和用于暴露栅极焊盘的有机层的上方。 第二接触孔（78）形成在钝化层和有机层上，用于暴露数据焊盘。

公开(公告)号：KR1020060071673A

公开(公告)日：2006-06-27

申请号：KR1020040110359

申请日：2004-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김동혁 ,  이인성 ,  민훈기 ,  변재성

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133345 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G09G3/006

Abstract: 액정 표시 장치의 모니터링 셀이 제공된다. 액정 표시 장치의 모니터링 셀은, 비유효 디스플레이 영역과 유효 디스플레이 영역을 구비하는 모기판 상의 비유효 디스플레이 영역에 섬 모양으로 형성된 게이트 패턴과, 게이트 패턴을 덮는 게이트 절연막과, 게이트 절연막 상부에 섬 모양으로 형성되어 게이트 패턴과 중첩되도록 형성된 데이터 패턴과, 데이터 패턴 상부 및 데이터 패턴으로 덮히지 않은 게이트 절연막 상부에 형성된 보호막과, 보호막 상부에 형성된 요철부를 갖는 유기막과, 보호막 및 요철부를 갖는 유기막 상에 데이터 패턴을 드러내도록 형성된 접촉 구멍과, 접촉 구멍을 통하여 데이터 패턴과 전기적으로 연결된 반사막을 포함한다.
반투과형, 액정 표시 장치, 유기막, 테스트 엘리먼트 그룹

公开(公告)号：KR1020040100548A

公开(公告)日：2004-12-02

申请号：KR1020030032950

申请日：2003-05-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하상경 ,  김주환 ,  임정수 ,  김동혁

IPC: G06F1/16

CPC classification number: F16M11/105 ,  F16M11/2014 ,  F16M11/30 ,  F16M2200/048 ,  G09F7/20 ,  Y10S248/917

Abstract: PURPOSE: A display device to adjust a height of a display main body is provided to fix the display main body to a desired position even if a weight of the display main body is changed. CONSTITUTION: The display main body displays a screen. A lifter(40) is joined to the display main body by installing on a base plate(20) and adjusts the height of the display main body. A spiral spring(50) is joined to the lifter and supports the weight of the display main body by being expanded/shrunk according to lift of the lifter. A supporter(60) is joined to the spiral spring and adjusts expansion or shrinkage of the spiral spring by rotation. A friction part(70) is installed to the supporter in order to contact with the spiral spring. Even if the weight of the display main body is changed, the friction part keeps the position constant by generating a constant frictional force when the supporter is rotated.

Abstract translation: 目的：提供用于调节显示器主体的高度的显示装置，即使显示主体的重量发生变化，也将显示器主体固定到期望的位置。 构成：显示屏主体显示屏幕。 升降器（40）通过安装在基板（20）上而连接到显示器主体并调节显示器主体的高度。 螺旋弹簧（50）与升降机接合，并通过根据升降机的升力而扩展/收缩来支撑显示器主体的重量。 支撑件（60）连接到螺旋弹簧，并通过旋转来调节螺旋弹簧的膨胀或收缩。 为了与螺旋弹簧接触，摩擦部件70安装在支撑件上。 即使显示器主体的重量改变，当支撑件旋转时，摩擦部分通过产生恒定的摩擦力来保持位置不变。

公开(公告)号：KR102155181B1

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：KR1020140010416

申请日：2014-01-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김동혁 ,  신거명 ,  신동석

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/78

公开(公告)号：KR1020110112073A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：KR1020100031476

申请日：2010-04-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신동석 ,  김동혁 ,  김명선 ,  이용주 ,  정회성

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7834 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L21/02293

Abstract: 반도체 소자가 제공된다. 반도체 소자는 반도체 기판에 형성되어, 활성부를 정의하는 소자 분리 패턴, 활성부를 가로지르는 게이트 라인 및 게이트 라인 일측의 활성부 내에 형성된 리세스 영역을 채우고, 반도체 기판과 다른 반도체 원소를 포함하는 에피택시얼 패턴을 포함하되, 리세스 영역은 게이트 라인의 길이 방향으로 연장되고, 소자 분리 패턴에 인접한 제1 내측벽, 및 게이트 라인의 길이 방향에 수직한(perpendicular) 방향으로 연장된 제2 내측벽을 포함하고, 제1 내측벽은 활성부로 형성되고, 제2 내측벽의 적어도 일부는 소자 분리 패턴으로 형성되고, 에피택시얼 패턴은 리세스 영역의 제1 내측벽 및 제2 내측벽과 접촉한다.

公开(公告)号：KR100770984B1

公开(公告)日：2007-10-30

申请号：KR1020030032950

申请日：2003-05-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하상경 ,  김주환 ,  임정수 ,  김동혁

IPC: G06F1/16

CPC classification number: F16M11/105 ,  F16M11/2014 ,  F16M11/30 ,  F16M2200/048 ,  G09F7/20 ,  Y10S248/917

Abstract: 본 발명은 스파이럴스프링(spiral spring)이 구비됨으로써 자중에 의해 디스플레이본체의 높이를 선택적으로 조절할 수 있도록 한 디스플레이 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 베이스플레이트(20)와; 화면이 디스플레이되는 디스플레이본체(30)와; 베이스플레이트(20)에 설치되어 디스플레이본체(30)와 연결되며, 디스플레이본체(30)의 높이를 조절하는 승강부재(40)와; 승강부재(40)와 연결되며, 승강부재(40)의 승강에 따라 신장 또는 수축하여 디스플레이본체(30)의 자중을 지지하는 적어도 하나의 스파이럴(spiral)스프링(50)과; 스파이럴스프링(50)과 연결되며, 스파이럴스프링(50)의 신장 또는 수축을 회전에 의해 조절하는 지지수단(60)과; 스파이럴스프링(50)과 접촉되도록 지지수단(60)에 설치되며, 지지수단(60)의 회전시 일정한 마찰력을 발생시켜 디스플레이본체(30)의 무게가 변하더라도 그 위치를 일정하게 유지시킬 수 있도록 한 마찰부재(70)를 포함한다. 이에 따라, 마찰부재의 마찰력에 의해 디스플레이본체의 무게가 변하더라도 디스플레이본체를 항상 원하는 위치에 고정시킬 수 있다.
가이드레일, 슬라이더, 스파이럴스프링, 가이드브래킷, 마찰부재

Abstract translation: 显示装置技术领域本发明涉及一种能够通过螺旋弹簧选择性地调节显示器主体的高度的显示装置。