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    탭용 테이프를 구비하는 패키지 온 패키지 형태의 반도체패키지
    3.
    发明公开
    탭용 테이프를 구비하는 패키지 온 패키지 형태의 반도체패키지 无效
    包装盒（POP）类型的包装的半导体包装用于TAB

    公开(公告)号：KR1020080077837A

    公开(公告)日：2008-08-26

    申请号：KR1020070017538

    申请日：2007-02-21

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김선경

    IPC: H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

    CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

    Abstract: A semiconductor package of a package on package(POP) type having a tape for TAB is provided to connect an upper package with a lower package electrically through solder balls and the tape for TAB without limits of thickness or size of the package. A semiconductor package of a package on package(POP) type having a tape for TAB(118) comprises a lower package(100) and an upper package(200). The lower package includes a lower chip(104) attached on a lower substrate(102). The tape of TAB is bendable and mounted on the lower chip and the lower substrate of the lower package, connects the lower chip with the lower substrate electrically, and had contact holes(116) at a circuit pattern on the lower chip. The upper package is located on the tape for TAB and includes an upper chip(214). The upper package is connected with the lower package electrically through solder balls(120) formed in the contact holes and the tape for TAB.

    Abstract translation: 提供具有用于TAB的带的包装（POP）类型的封装的封装（POP）的半导体封装，以通过焊球和TAB的带电连接上封装和下封装，而不限制封装的厚度或尺寸。 具有用于TAB（118）的带的包装（POP）类型的封装的半导体封装包括下封装（100）和上封装（200）。 下封装包括附接在下基板（102）上的下芯片（104）。 TAB的带可弯曲并安装在下封装的下芯片和下基板上，电连接下芯片与下基板，并且在下芯片上具有电路图案的接触孔（116）。 上部封装位于TAB的磁带上，并且包括上部芯片（214）。 上封装通过形成在接触孔中的焊球（120）和用于TAB的带电连接到下封装。

    포토레지스트 박리 방법
    4.
    发明公开
    포토레지스트 박리 방법 无效
    革兰氏阴性菌的方法

    公开(公告)号：KR1020070092017A

    公开(公告)日：2007-09-12

    申请号：KR1020060021895

    申请日：2006-03-08

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김선경

    IPC: H01L21/304

    Abstract: A method for exfoliating photoresist is provided to eliminate the necessity for an intermediate cleaning process by including an additive for preventing corrosion of a conductive pattern in a stripper. A photoresist pattern formed on a conductive pattern including at least one metal layer is processed by an additive(15) for preventing corrosion of the conductive pattern and a stripper including alkanol amine and is cleaned by deionized water so that an intermediate cleaning process using an organic solvent is omitted. The additive prevents an ionic bond of a metal ion included in the conductive pattern, the alkanol amine and a hydroxy ion generated by the deionized water.

    Abstract translation: 提供剥离光致抗蚀剂的方法，以通过包括用于防止汽提器中的导电图案的腐蚀的添加剂来消除中间清洁过程的必要性。 形成在包括至少一个金属层的导电图案上的光致抗蚀剂图案通过用于防止导电图案的腐蚀的添加剂（15）和包括烷醇胺的剥离器进行加工，并且用去离子水清洗，以便使用有机 溶剂被省略。 添加剂防止导电图案中包含的金属离子的离子键，链烷醇胺和由去离子水产生的羟基离子的离子键。

    액정 표시 장치용 세정장치
    5.
    发明公开
    액정 표시 장치용 세정장치 无效
    用于液晶显示器的清洁设备

    公开(公告)号：KR1020060092554A

    公开(公告)日：2006-08-23

    申请号：KR1020050013536

    申请日：2005-02-18

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김선경

    IPC: G02F1/13

    CPC classification number: G02F1/13 ,  G02F1/1303 ,  G02F2001/1316 ,  H01L21/6704

    Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 세정장치는 다수의 액정 표시 장치용 기판이 소정 간격으로 이격되어 로딩되는 세정조, 제 1 세정액 공급관, 제 2 세정액 공급관, 상기 제 1 세정액 공급관과 연결되며, 상기 세정조 상부에 위치하여 상기 세정액을 상기 세정조 내로 분사하기 위한 다수의 분사 팁을 포함하는 제 1 노즐, 상기 제 2 세정액 공급관과 연결되며, 상기 세정조 상부에 위치하여 상기 세정액을 상기 세정조 내로 분사하기 위한 제 2 노즐 및 상기 세정조 하부에 설치되어 상기 세정조 내의 상기 세정액을 배수할 수 있는 배수관을 포함한다.
    액정 표시 장치(LCD), 감광물질 박리(Photo Resist Strip), 세정장치, 퀵 덤프트 린스(Quick Dumped Rinse, QDR)

    방사 패턴 변경용 튜닝부를 구비하는 휴대용 단말기
    6.
    发明授权
    방사 패턴 변경용 튜닝부를 구비하는 휴대용 단말기 失效
    便携式终端用于改变辐射图案的调谐装置

    公开(公告)号：KR100584399B1

    公开(公告)日：2006-05-26

    申请号：KR1020030087754

    申请日：2003-12-04

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 박정호 ,  서호수 ,  최완진 ,  최재준 ,  유택종 ,  김선경 ,  김원찬

    IPC: H04B1/38

    Abstract: 본 발명은 휴대용 단말기에서 단말기에 제공되는 그라운드의 전류 분포 조건을 변화시켜 안테나 방사패턴을 변경시키는 튜닝부를 구성한 휴대용 단말기에 관한 것으로서, 이를 위해 본체부 피씨비를 내장하는 본체와, 폴더부 피씨비를 내장하는 폴더와, 상기 본체와 폴더를 회전 가능하게 연결하는 힌지 장치와, 상기 본체의 상단에 구비되는 안테나 장치로 구성된 폴더형 휴대용 단말기에 있어서. 상기 본체 또는 폴더의 소정 위치 내에 구비되고, 상기 안테나 장치의 이웃하게 설치됨으로써, 상기 본체 및 폴더에 흐르는 전류 분포를 변화시켜 상기 단말기의 안테나 방사패턴을 변경시키는 튜닝부를 구비하고, 이에 따라 단말기의 SAR 값 저감 및 안테나의 동작 특성을 개선시킬 수 있는 이점이 있다.
    폴더형 휴대용 단말기, 안테나 장치, 튜닝부, SAR, 방사패턴

    휴대 단말기의 그라운드 연결장치
    7.
    发明授权
    휴대 단말기의 그라운드 연결장치 有权
    便携式终端的接地装置

    公开(公告)号：KR100539935B1

    公开(公告)日：2005-12-28

    申请号：KR1020030055075

    申请日：2003-08-08

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김선경 ,  최완진 ,  이주형 ,  박정호

    IPC: H04B1/38

    CPC classification number: H04M1/0216 ,  H01Q1/245 ,  H01Q1/48 ,  H01R13/2421 ,  H01R13/66 ,  H01R35/02 ,  H01R2201/16 ,  H04B1/3838

    Abstract: 본 발명은 휴대 단말기에서 SAR 값의 저감을 위해 단말기에 제공되는 그라운드를 직접에서 간접으로 연결하여 단말기의 그라운드 연결 길이를 조절 가능하도록 구성한 휴대 단말기의 그라운드 연결 장치에 관한 것으로서, 이를 위해 본체측 그라운드를 갖는 본체와, 폴더측 그라운드를 갖는 폴더와, 힌지 장치와, 힌지 모듈로 구성된 폴더형 휴대 단말기에 있어서. 상기 힌지 모듈의 한쪽 일단에 결합되는 힌지 샤프트와, 상기 제 1 피씨비의 소정 위치에 구비되어 상기 제 1 피씨비에 제공된 상기 제 1 피씨비측 그라운드 연결패드와 접촉 연결됨과 동시에 상기 각각의 그라운드의 전기적 연결 길이를 조절하는 힌지 접촉수단과, 상기 힌지 모듈의 다른쪽 일단에 구비되는 핀 커넥터와, 상기 핀 커넥터에 형성되어 상기 제 2 피씨비에 제공된 제 2 피씨비측 그라운드 연결패드와 접촉 연결됨과 동시에 상기 각각의 그라운드의 전기적 연결 길이를 조절하는 힌지 연결수단으로 구성된 것을 특징으로 하며, 이에 따라, 단말기의 그라운드 연결강도의 조절 가능하여 극단적 이득 저하 문제를 해결할 수 있고, 안테나의 방사특성을 조절하여 사용자의 머리 방향의 방사특성을 감소시킬 수 있을뿐아니라, 단말기의 SAR값 저감 및 필드성능을 개선하여 안테나의 성능을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.

    트랜지스터 게이트 제조방법
    8.
    发明公开
    트랜지스터 게이트 제조방법 无效
    制造晶体闸门的方法

    公开(公告)号：KR1020000009483A

    公开(公告)日：2000-02-15

    申请号：KR1019980029934

    申请日：1998-07-24

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이관성 ,  김선경

    IPC: H01L21/336

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of transistor gate is provided for preventing short-circuits between a gate and a metal layer. CONSTITUTION: The method comprises the steps of: forming multilayered poly layers consisting of a plurality of poly layers; and forming a photoresist layer having a predetermined pattern; and differently etching the multilayered poly layers so that at least one and more of the highest poly layers among the plurality of poly layers are smaller in size than the lowest poly layers. In the differently etching step, the highest poly layer is isotropic etched. The highest poly layer is tungsten silicide layer. Thereby, the short-circuits between the gate and the metal layer can be prevented, so that a processing reliability can be improved and a producing cost can be reduced.

    Abstract translation: 目的：提供晶体管栅极的制造方法，用于防止栅极和金属层之间的短路。 构成：该方法包括以下步骤：形成由多个多层构成的多层多层; 以及形成具有预定图案的光致抗蚀剂层; 并且不同地蚀刻多层多层，使得多个多层中的最高多层中的至少一个以上的尺寸小于最低多层。 在不同的蚀刻步骤中，最高的多层是各向同性的蚀刻。 最高层是硅化钨层。 由此，能够防止栅极与金属层之间的短路，能够提高加工的可靠性，能够降低生产成本。

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