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公开(公告)号：KR100523233B1
公开(公告)日：2005-10-24
申请号：KR1020030058463
申请日：2003-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14609 , H04N5/374 , H04N5/37457
Abstract: 높은 필 팩터를 가지는 CMOS 이미지 센서의 구조 및 이를 이용한 이미지 센싱 방법이 개시된다. 이미지 센서의 픽셀은 하나의 포토 다이오드와 하나의 트랜지스터로 구성되며, 각각의 칼럼 라인마다 칼럼구동회로를 구비한다. 하나의 칼럼라인에 연결된 다수의 픽셀들은 공통된 리셋 트랜지스터에 연결되므로 한번의 리셋동작에 의해 픽셀 전체가 리셋된다. 또한, 선택된 로우라인에 연결된 픽셀들에 대한 이미지 센싱이 종료되면, 픽셀 전체에 대한 리셋이 반복되므로 센싱노드에 잔류하는 신호전하를 제거할 수 있다. 따라서 잔류하는 신호전하에 따른 노이즈를 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100488584B1
公开(公告)日：2005-08-02
申请号：KR1019980043642
申请日：1998-10-19
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김요정
IPC: H03K17/22
Abstract: 본 발명은 파워 온 리셋회로를 공개한다. 그 회로는 전원전압과 접지전압사이에 연결되고 출력으로부터 충전노드로부터 궤환되는 신호에 응답하여 전류의 흐름을 제어하기 위한 전류 미러, 상기 전류 미러에 의해서 미러된 전류에 응답하여 상기 충전노드를 제1상태로 하기 위한 NMOS트랜지스터, 전원전압과 상기 충전노드사이에 연결되어 전원전압으로부터 공급되는 전하를 공급하기 위한 제1전하 공급부, 상기 충전노드와 접지전압사이에 연결되어 상기 제1전하 공급부로부터 공급되는 전하를 충전하기 위한 전하 충전부, 상기 충전노드의 레벨을 인식하고 반전하기 위한 제1인버터, 상기 제1인버터의 출력신호에 응답하여 상기 충전노드에 전하를 공급하기 위한 제2전하 공급부, 및 상기 제1인버터의 출력신호를 반전하여 제1상태로부터 제2상태로 천이하는 파워 온 리셋신호를 발생하기 위한 제2인버터로 구성되어 있다. 따라서, 전류 미러를 통하여 흐르는 전류 소모를 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100192576B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950041881
申请日：1995-11-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김요정
IPC: H04N1/00
CPC classification number: H01L27/1446 , H01L31/02164
Abstract: [청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야]
동일한 추력 레벨을 가지기 위한 콘택 이미지 센서에 관한 것이다.
[발명이 해결하려고 하는 기술적 과제]
실리콘 웨이퍼 내에서 발생하는 테리어의 생성을 억제하기 위한 콘택 이미지 센서를 제공함에 있다.
[발명의 해결방법의 요지]
본발명은, 동일한 출력레벨을 가지기 위한 콘택 이미지 센서는: 실리콘 웨이퍼와; 상기 실리콘 웨이퍼의 제1영역상에 위치한 다수의 수광소자들과; 상기 수광소자들과는 이격된 상기 실리콘 웨이퍼의 소정 위치에 형성된 주변회로영역과; 상기 실리콘 웨이퍼내에 형송된 캐리어들과; 상기 패리어들이 상기 제1영역으로 전달되지 못하도록, 상기 실리콘 웨이퍼내 상기 제1영역의 하부에 위치하여 형성된 이온주입영역과; 상기 캐리어들이 상기 제1영역으로 전달되지 못하도록, 상기 실리콘 웨이퍼상에 있는 주변회로영역 및 광노출 영역 상에 형성된 광차단층으로 구성한다.
[발명의 중요한 용도]
콘택이미지센서에 적합하다.-
公开(公告)号：KR1019970052862A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950065892
申请日：1995-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김요정
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명은 포토 센서티브를 이용한 반도체 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명은 포토 센서티브 유전체를 이용하여 제조 공정을 단순화한 포토 센서티브 유전체를 이용한 반도체 제조 공정을 제공하는데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 포토 센서티브 유전체를 이용한 반도체 제조 공정은 포토 센서티브 유전체를 기판위에 침적시키는 제1스텝과, 침적된 포토 센서티브 유전체에 금속을 중착하고 와이어를 본딩하는 제2스텝을 구성됨을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1019930017203A
公开(公告)日：1993-08-30
申请号：KR1019920000380
申请日：1992-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/68
Abstract: 반도체 기판의 결정면과 그 표면에 형성된 에피마스크의 형성방향에 의해 결정성장된 버퍼층의 내부에 삼각형의 보이드를 가지는 δ- MESFET에서 게이트 전극의 양측에 측벽들을 형성한후 상기 게이트 전극과 측벽들을 이온주입 마스크로 하여 N
+ 형의 웰영역을 형성하므로 채널상부의 스페이서층이 노출되지 않도록 한다. 따라서, 게이트 전극 양측의 측벽들이 상기 채널 상부의 스페이서층이 노출되지 않도록 하므로 전류-전압곡선의 이상특성과 짧은 채널효과를 방지하며, 또한 웰영역을 형성하기 위한 이온주입시 별도의 이온주입 마스크없이 게이트 전극과 측벽들을 이용하므로 디스크 공정이 줄어들어 제조공정이 간단하다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040105454A
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：KR1020030036832
申请日：2003-06-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: PURPOSE: A CMOS image sensor is provided to simplify its logic and reduce path offset due to a data readout path by reducing the number of analog-to-digital converter blocks or latch circuits. CONSTITUTION: A CMOS image sensor(200) includes a pixel array(210) provided with a plurality pixels, a plurality of switching means(232,234) respectively connected to odd numbered rows and even numbered rows of the pixel array, performing their switching function, a plurality of analog-to-digital converter blocks(222,224,226) connected to a pair of the switching means corresponding to the odd and even numbered rows, and latch blocks(240) outputting digital data corresponding to a video signal of the pixels after storing the digital data received from the analog-to-digital converter blocks of the odd numbered rows or the even numbered rows. The switching means are synchronized by an externally input clock signal and are activated to select the odd numbered rows or the even numbered rows. The analog-to-digital converter blocks include a correlated double sampling block sampling the video signal sensed from the pixels, an amplifier amplifying the sampled video signal, and an analog-to-digital converter converting the amplified signal into digital data.
Abstract translation: 目的：提供CMOS图像传感器，以通过减少模数转换器块或锁存电路的数量来简化其逻辑并减少由于数据读出路径引起的路径偏移。 构成：CMOS图像传感器（200）包括具有多个像素的像素阵列（210），分别连接到像素阵列的奇数行和偶数行的多个切换装置（232,234），执行其切换功能， 连接到对应于奇数和偶数行的一对开关装置的多个模数转换器模块（222,224,226）和存储对应于像素的视频信号的数字数据的锁存块（240） 从奇数行或偶数行的模拟 - 数字转换器块接收的数字数据。 切换装置由外部输入的时钟信号同步并被激活以选择奇数行或偶数行。 模数转换器块包括对从像素感测的视频信号进行采样的相关双采样块，放大采样视频信号的放大器和将放大信号转换成数字数据的模数转换器。
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公开(公告)号：KR1019990062409A
公开(公告)日：1999-07-26
申请号：KR1019980019236
申请日：1998-05-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김요정
IPC: G11C7/06
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치의 센스 증폭기 인에이블 타이밍 조절회로를 공개한다. 그 회로는 비트 라인쌍, 비트 라인쌍사이에 연결된 메모리 셀, 센스 증폭기 인에이블 신호에 응답하여 비트 라인쌍의 전압 차를 감지하여 증폭하기 위한 센스 증폭기, 및 비트 라인쌍의 전압 차를 상기 센스 증폭기가 감지할 수 있는 가장 이른 시점에서 센스 증폭기 인에이블 신호가 인에이블되도록 하기 위한 센스 증폭기 인에이블 신호 발생부로 구성되어 있다. 따라서, 비트 라인쌍의 전압 차를 센스 증폭기가 감지할 수 있는 가장 이른 시점에서 센스 증폭기 인에이블 신호가 온되도록 함으로써 타이밍에 의한 데이터의 오류를 검증 및 복구할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970077233A
公开(公告)日：1997-12-12
申请号：KR1019960017767
申请日：1996-05-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김요정
IPC: H01L21/288
Abstract: 본 발명은 반도체 실리콘 기판 상의 소자간 전기적으로 연결하기 위한 상호 접속 구멍을 형성하는 방법에 관한 것으로, 반도체 실리콘 기판상에 로직이 구현된 상호 접속 구멍 외에 일정한 간격을 갖는 더미 구멍을 형성함으로써, 종래의 상호 구멍의 편중에 의한 로딩 효과를 극복하는 균일한 상호 접속 구멍이 형성되는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR1019930022607A
公开(公告)日：1993-11-24
申请号：KR1019920006448
申请日：1992-04-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/80
Abstract: 이 발명은 선택적 유기금속 화학 증착법(Selective MOCVD)에 의해 형성된 빈공간(Void)을 이용하여 높은 캐리어 밀도를 갖는 2차원 전자가스층을 용이하게 형성할 수 있는 화합물 반도체 장치 및 그 제조방법을 게재한다.
또한 이와같이 구성된 화합물 반도체 장치는 빈공간에 의해 채널과 기판을 분리하므로 누설전류와 집적회로 장치에서 백게이팅 효과(Back Gating Effect)를 방지할 수 있으므로 높은 전달콘덕턴스(gm)와 고이득(High gain), 저잡음 및 고출력을 얻을 수 있다.
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