公开(公告)号：KR20210031220A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：KR1020190112920A

申请日：2019-09-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정우 ,  김찬하 ,  노강호 ,  이광우 ,  이희원

IPC: G06N20/00

CPC classification number: G06F3/0658 ,  G06F11/0772 ,  G06F11/3037 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/067 ,  G06F3/0679 ,  G06F9/45558 ,  G06K9/6257 ,  G06N20/00 ,  G06F2009/45591

Abstract: 스토리지 장치가 제공된다. 스토리지 장치는 메모리 장치에 대한 특성 정보를 포함하는 특성 정보 데이터베이스 및 메모리 장치의 동작에 대한 복수의 기계 학습 모델에서 특성 정보에 기반하여 최적 기계 학습 모델을 선택하는 기계 학습 모듈을 포함하고, 메모리 장치는 상기 선택된 최적 기계 학습 모델에 따라 동작한다.

公开(公告)号：KR20210024269A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：KR1020190102178A

申请日：2019-08-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이윤정 ,  김찬하 ,  노강호 ,  이희원

IPC: G11C16/10 ,  G06F3/06 ,  G11C16/04 ,  G11C16/08 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C11/5671 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0659 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C16/0483 ,  G11C2207/2272 ,  G11C2211/563 ,  G11C2211/5641 ,  G11C2216/14

Abstract: 불휘발성 메모리 장치와 메모리 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치가 개시된다. 불휘발성 메모리 장치는 복수의 메모리 셀들을 포함한다. 메모리 컨트롤러는 선택된 워드 라인에 연결된 메모리 셀들을 프로그램 한다. 프로그램 된 메모리 셀들은 하나의 읽기 전압에 의해 데이터가 판별되는 빠른 읽기 페이지, 및 각각이 복수의 읽기 전압들에 의해 데이터가 판별되는 복수의 노멀 읽기 페이지들을 포함한다. 복수의 노멀 읽기 페이지들 중 제 1 노멀 읽기 페이지의 데이터를 판별하는데 요구되는 제 1 읽기 전압들의 개수와, 상기 복수의 노멀 읽기 페이지들 중 제 2 노멀 읽기 페이지의 데이터를 판별하는데 요구되는 제 2 읽기 전압들의 개수는 동일하다.

公开(公告)号：KR1020150010150A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：KR1020130084748

申请日：2013-07-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박찬익 ,  김찬하 ,  박현선 ,  유승주

IPC: G06F12/00 ,  G06F12/08

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F12/0871 ,  G06F2212/702 ,  Y02D10/13

Abstract: 메모리 시스템의 동작 방법이 개시된다. 상기 메모리 시스템의 동작 방법은 명령들이 실행됨에 따라 더티 캐시 라인들을 데이터 캐시에서 휘발성 메모리 장치로 출력하는 단계, 및 상기 휘발성 메모리 장치에서 불휘발성 메모리 장치로 상기 불휘발성 메모리 장치의 페이지 사이즈와 같은 사이즈만큼 상기 더티 캐시 라인들을 출력하는 단계를 포함한다.

Abstract translation: 本发明公开了一种能够降低功耗的存储系统的操作方法。 存储器系统的操作方法包括以下步骤：当执行命令时，将数据高速缓存行从数据高速缓存输出到易失性存储器件; 以及将具有非易失性存储器件的页面大小的脏高速缓存行从易失性存储器件输出到非易失性存储器件。