Abstract:
다양한 실시 예에 따른 전자 장치는, 디스플레이, 제1 하우징, 제2 하우징, 및 상기 제1 하우징 및 제2 하우징을 연결하고, 한 쌍의 힌지 축을 갖는 힌지 어셈블리를 포함하고, 상기 힌지 어셈블리는, 상기 한 쌍의 힌지 축에 수직한 중간 축 방향으로 돌출되어 형성되는 중간 돌출부를 포함하는 힌지 브라켓, 상기 힌지 브라켓에 대하여 상기 한 쌍의 힌지 축을 중심으로 회전 가능하게 연결되는 한 쌍의 힌지 구조체, 및 상기 힌지 브라켓에 대하여 상기 중간 축을 중심으로 회전 가능하도록 상기 중간 돌출부가 삽입되는 관통 홀을 포함하는 중간 부재를 포함하고, 상기 중간 돌출부는, 제1 반경을 갖는 돌출 베이스 및 상기 돌출 베이스의 상측에서 상기 제1 반경보다 큰 제2 반경을 갖는 돌기부가 형성된 헤드를 포함할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 영상 및 영상 정보 검색 장치 및 방법, 그리고 그 시스템에 관한 것이다. 본 발명에 의한 영상 정보 검색 시스템은 영상을 재생하거나 캡처하기 위한 영상 재생 장치; 및 상기 영상 재생 장치에 의해 캡처된 영상과 관련된 영상/정보를 검색하기 위한 영상/정보 검색 서버를 포함한다. 본 발명에 의한 영상 및 영상 정보 검색 장치 및 방법에 의하면 사용자는 시청 중인 영상에 대한 구체적인 식별정보를 모르더라도 간단하고 용이하게 관심 있는 영상의 파일 자체나 그 영상에 관한 정보를 획득할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 화학기상증착용 산포 헤드 구조에 관한 것으로서, 특히 튜브의 내측으로 반응성 가스를 유입시키는 슬롯을 가지는 복수 개의 슬롯판이 적층되어 이루어지는 산포 헤드에 있어서, 상기 슬롯판(21)은 적어도 78개 이상으로 이루어지고, 상기 슬롯판(21)에는 각각 슬롯(21a)이 형성된 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에서는 산포 헤드의 슬롯판에 형성된 슬롯이 종래 보다 작게 형성됨으로써 반응성 가스의 유입 압력이 상승되고, 이에 따라 증착율 및 고속 효과가 증대됨과 동시에 가스의 사용량이 감소되고, 증착 시에 발생되는 파우더 등의 부산물이 슬롯판의 상부면에 쌓이는 것이 최소화됨으로써 클린 주기가 길어지게 된다.
Abstract:
PURPOSE: A server based Vehicle security service providing method is provided to enable a user to remotely prevent the generation of a vehicle robbery case using a user apparatus. CONSTITUTION: A server receives present user image information from a vehicle apparatus when a present user drives a vehicle(810). The server determines whether the present user of the present user image information is authenticated(820). The server transmits present usage condition information including the present user image information of the vehicle the primary user apparatus of the vehicle(830).
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to improve a surface sensibility in depositing an O3-TEOS(Tetraethyl Ortho-silicate) layer (or USG(Undoped Silicate Glass) layer). CONSTITUTION: A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: depositing(S50) a HTO(High Temperature Oxidation) layer serving as a surface oxide layer on a semiconductor substrate; coating(S70) a pure TEOS layer on the HTO layer to remove an obstacle element that prevent the absorption of hydrophobic polymer; and depositing(S80) an O3-TEOS layer as a dielectric film on the TEOS layer. The TEOS layer and the O3-TEOS layer are deposited at a temperature range of 430 to 470°C to improve a gap filling and a roughness.