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公开(公告)号：KR1020070095599A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：KR1020060025963
申请日：2006-03-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A structure of clamping pipes is provided to reduce a direct contact of the pipes and to fasten stably a bushing not to move by installing the bushing and a sealing member at an accurate position between the pipes. A structure of clamping pipes comprises a first pipe(110), a second pipe(130), a flange clamp(150), a first bushing(160), and a second bushing(170). The first pipe is included in a first flange at one end. The second pipe has a second flange at one end opposed to one end of the first pipe. The flange clamp is fastened with the second flange to surround the first flange, having a first fastening member at the inner part, and to connect the first pipe and the second pipe. The first bushing is placed between the first flange and the flange clamp to include a projection secured by the first fastening member and to prevent the first pipe and the flange clamp from being directly contacted. The second bushing is mounted between the first flange and the second flange to prevent the first pipe and the second pipe from being contacted.
Abstract translation: 提供夹紧管的结构以减少管的直接接触并且通过将衬套和密封构件安装在管之间的精确位置处，稳定地固定衬套不移动。 夹紧管的结构包括第一管（110），第二管（130），法兰夹（150），第一衬套（160）和第二衬套（170）。 第一管被包括在一端的第一凸缘中。 第二管在与第一管的一端相对的一端具有第二凸缘。 凸缘夹紧件与第二凸缘紧固以围绕第一凸缘，在内部具有第一紧固构件，并且连接第一管和第二管。 第一衬套被放置在第一凸缘和法兰夹具之间以包括由第一紧固构件固定的突起并且防止第一管和法兰夹紧件直接接触。 第二衬套安装在第一凸缘和第二凸缘之间以防止第一管和第二管接触。
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公开(公告)号：KR1020070041872A
公开(公告)日：2007-04-20
申请号：KR1020050097460
申请日：2005-10-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4409 , C23C16/4408
Abstract: 프로세스 챔버의 파손을 방지할 수 있는 웨이퍼 가공 장치에서, 프로세스 챔버는 웨이퍼를 수용하며, 하부가 개방된 실린더 형상을 갖고, 상기 하부의 둘레를 따라 제1 플랜지가 형성되어 있다. 매니폴드는 상기 프로세스 챔버를 지지 및 고정하며 상하 개방된 실린더 형상을 갖고, 상단부에는 상기 프로세스 챔버를 지지하기 위한 제2 플랜지가 형성되어 있다. 상하 개방된 실린더 형상의 매니폴드 커버는 상기 매니폴드의 상단부로부터 상기 프로세스 챔버의 내측으로 연장하며, 상기 매니폴드의 내측 면에서의 맞대기 용접에 의해 상기 매니폴드와 접합된다. 따라서, 상기 매니폴드와 매니폴드 커버의 용접부의 구조 개선을 통하여 상기 프로세스 챔버의 파손을 효과적으로 방지한다.
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公开(公告)号：KR101781639B1
公开(公告)日：2017-09-25
申请号：KR1020110003731
申请日：2011-01-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03J7/04
Abstract: 본발명은휴대용단말기의 AFC(Auto Frequency Correction) 무조정방법에있어서, 현재위치하는셀에서인접기지국들로부터의수신신호세기를확인하는과정과, 기지국과의동기화를위한동기획득정보를제공하는주파수버스트(Frequency burst)를모니터링하는과정과, 상기모니터링을통해주파수버스트탐색수행결과에따라, 자동주파수조정(Auto Frequency Correction) 여부를판단하는과정과, 상기조정에의해추출된자동주파수조정데이터를저장하는과정을포함함을특징으로한다.
Abstract translation: 提供了一种调整便携式终端的AFC（自动频率校正）的方法，所述方法包括：检查来自当前定位的小区中的相邻基站的接收信号强度; 该方法包括以下步骤：监视频率脉冲串;通过监视确定是否根据频率脉冲串搜索结果执行自动频率校正;以及存储通过调整提取的自动频率调整数据 该方法包括以下步骤：
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公开(公告)号：KR1020070036249A
公开(公告)日：2007-04-03
申请号：KR1020050091037
申请日：2005-09-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: 배기 가스의 발화 사고를 방지할 수 있는 공정 가스의 배기 방법에 있어서, 기판이 수용된 반응 챔버 내부로 상기 기판을 처리하기 위한 공정 가스를 제공한다. 상기 공정 가스를 이용하여 상기 기판에 대한 처리 공정을 수행한다. 상기 챔버 내부로부터 미반응 가스와 반응 부산물을 포함하는 배기 가스를 배출시킨다. 상기 배기 가스에 포함된 미반응 가스의 농도를 희석시키기 위한 희석 가스를 제공하여 상기 농도를 자연 발화 한계점 이하로 감소시킨다. 상기 희석된 배기 가스를 정화시켜 대기 중으로 배출시킨다. 따라서, 배기 가스가 인화 한계점 이상의 농도의 상태에서 대기 중으로 배기되어 자연 발화하는 사고를 미연에 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070071502A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：KR1020050135012
申请日：2005-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67309
Abstract: A boat for transferring a wafer is provided to reduce damage of the wafer and generation of particles by using a plurality of slot guides, each of which has a slope. A first plate(110) and a second plate(140) are arranged in parallel and constantly spaced away from each other. Both ends of plural supporting bars(120) are respectively connected to the first plate and the second plate. Plural slot guides(130) are formed to be extended from an external surface of each supporting bar in vertical and longitudinal directions of the supporting bar. The slot guides receive plural wafers(W). Upper surfaces of the slot guides where the wafers are loaded have an upward slope toward the center of the wafer.
Abstract translation: 提供用于传送晶片的船，以通过使用多个具有斜率的槽导轨来减少晶片的损坏和颗粒的产生。 第一板（110）和第二板（140）平行布置并彼此间隔开。 多个支撑杆（120）的两端分别连接到第一板和第二板。 多个槽引导件（130）形成为在支撑杆的纵向和纵向方向上从每个支撑杆的外表面延伸。 槽导轨接收多个晶片（W）。 加载晶片的槽引导件的上表面具有向晶片中心的向上倾斜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070051222A
公开(公告)日：2007-05-17
申请号：KR1020050108792
申请日：2005-11-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4401 , C23C16/458
Abstract: 로딩 영역을 수냉식으로 냉각시키는 화학기상증착장치가 개시된다. 웨이퍼를 탑재한 웨이퍼 보트가 화학기상증착을 수행하는 반응 챔버로 로딩되는 경우, 로딩 영역의 온도는 상승하여 센서 또는 증폭기가 열화 또는 파손되어 원하지 않는 파티클이 발생되는 것을 방지하기 위해 냉각 부재가 구비된다. 또한, 웨이퍼 보트가 반응 챔버로부터 언로딩되는 경우, 로딩 영역에서의 온도 상승을 방지하기 위해 냉각 부재가 구비된다. 냉각 부재는 하우징의 내벽에 구비되어 수냉식으로 로딩 영역을 냉각한다.
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公开(公告)号：KR1020070044309A
公开(公告)日：2007-04-27
申请号：KR1020050100439
申请日：2005-10-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: 반도체소자 제조용 프로세스튜브를 제공한다. 제공된 반도체소자 제조용 프로세스튜브는 웨이퍼가 이송되도록 그 내부에 웨이퍼 이송홀이 형성된 원반 형상의 지지부와, 상기 지지부의 일면에 연결되되 소정 두께를 가지고 상기 지지부의 일면에 대하여 수직으로 배치되며 그 내부에 웨이퍼가 가공되는 공간이 형성된 중공의 몸통부 및, 상기 지지부와 상기 몸통부가 연결되는 부분의 강도를 보강하는 강도보강부를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020120082305A
公开(公告)日：2012-07-23
申请号：KR1020110003731
申请日：2011-01-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03J7/04 , H04W56/001 , H04W88/02
Abstract: PURPOSE: An apparatus for non-calibrating AFC(Auto Frequency Correction) in a portable terminal and a method thereof are provided to eliminate additional time and costs for adjusting RF in a manufacturing process. CONSTITUTION: A portable terminal checks an RSSI(Received Signal Strength Indication) of neighbor BSs(Base Stations) near from a current cell(112). The portable terminal monitors frequency burst offering the synchronization acquisition information with the BS(114). The portable terminal determines AFC according to the frequency burst search result(116~120). The portable terminal stores AFC data which is extracted through an adjustment process(122).
Abstract translation: 目的：提供便携式终端中的用于不校准AFC（自动频率校正）的装置及其方法，以消除在制造过程中调整RF的额外时间和成本。 构成：便携式终端检查从当前小区（112）附近的相邻BS（基站）的RSSI（接收信号强度指示）。 便携式终端监视与BS（114）提供同步捕获信息的频率突发。 便携式终端根据频率突发搜索结果（116〜120）确定AFC。 便携式终端存储通过调整处理（122）提取的AFC数据。
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公开(公告)号：KR1020070049784A
公开(公告)日：2007-05-14
申请号：KR1020050106937
申请日：2005-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 세정 공정시 손상이 최소화되는 챔버의 압력 측정 장치가 개시되어 있다. 상기 장치는 기판에 막을 형성하기 위한 공정 및 세정 공정이 수행되는 공정 챔버의 내부 압력을 측정하는 압력 측정부와 막 형성 공정할 때 상기 압력 측정부에 포함된 발열부에 전원 공급하고, 상기 공정 챔버 내 공정 부산물을 제거하기 위한 세정 공정을 수행할 때 상기 발열부로 제공되는 전원을 차단하는 전원 제어부를 포함하는 구성을 갖는다. 이러한 구성을 갖는 장치는 공정 부산물의 흡착으로 인해 상기 압력 측정부의 영점 및 스팬이 비정상적으로 변화되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 그 손상을 최소화 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070043063A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：KR1020050098879
申请日：2005-10-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/205 , H01L21/22
Abstract: 반도체 기판들을 우수하게 처리 가공할 수 있는 장치는, 반도체 기판들을 수납하기 위한 튜브, 튜브의 일측부에 설치되어 튜브 내부로 반응 가스를 제공하는 가스 공급 라인, 튜브의 외측에서 튜브의 내부를 가열하기 위한 히터, 튜브의 타측부에 형성된 배기단, 배기단으로부터 연장되어 튜브 내부의 가스를 배출하는 진공 라인, 진공 라인이 배기단에 직접적으로 접촉하여 배기단이 파손되는 것을 억제하기 위하여 일측면에 걸림 돌기가 형성된 완충 부재 그리고 진공 라인과 배기단 사이에 배치되어 완충 부재를 지지하며 완충 부재의 유동을 억제하기 위하여 걸림 돌기가 삽입되는 결합구가 형성된 클램프를 포함한다. 클램프는 전체적으로 일단부가 개방된 'U'자 형상을 가질 수 있으며, 진공 라인을 마주보는 일측면에 완충 부재를 수용하기 위한 단차부가 형성될 수 있고, 단차부의 저면에 결합구가 형성될 수 있다. 완충 부재는 완충 부재는 테프론 재질로 이루어질 수 있으며, 전체적으로 클램프보다는 작은 단면적을 가지며 일측부가 개방된 'U'자 형상을 가질 수 있다.
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