Abstract:
티오펜 유도체를 이용한 시모스 이미지 센서에 관하여 개시된다. 개시된 시모스 이미지 센서는: 형성된 제1광전변환부~제3광전변환부를 구비하며, 상기 제1광전변환부는 블루광을 검출하며, 제1전극; 상기 제1전극 하부의 p형 티오펜 유도체; 및 상기 p형 티오펜 유도체 하부의 제2전극;을 구비하는 것을 특징으로 한다. 티오펜 유도체; 펜타티오펜, 시모스 이미지 센서
Abstract:
본 발명은 (a) 박리층을 통하여 반도체층이 형성된 제 1 기판을 준비하는 단계, (b) 전도성 물질이 코팅된 플렉서블 기판 위에 점착층을 형성하여 제 2 기판을 준비하는 단계; 및 (c) 상기 제 1 기판 상의 반도체층을 가열 압착에 의해 상기 제 2 기판에 전사시키는 단계를 포함하는 플렉서블 반도체 전극의 제조방법, 그에 의해 제조된 반도체 전극 및 그를 이용한 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 간단한 공정에 의해 저온에서 안정적으로 플렉서블 반도체 전극을 제조할 수 있고, 이를 이용하여 우수한 광전효율을 갖는 태양전지를 제공할 수 있다. 플렉서블, 태양전지, 염료감응, 탄소나노튜브, 박리층, 점착층
Abstract:
본 발명에 따른 이종 염료를 포함하는 광흡수층은 종래의 단일 염료만을 포함하는 광흡수층과 달리 금속 산화물 상에 소정 화합물을 매개로 제2 염료를 더 포함함으로써 충진 밀도가 향상되고, 다양한 파장의 흡수영역을 확보함으로써 염료감응 태양 전지 등에 유용하게 사용할 수 있다.
Abstract:
A chemical compound semiconductor image sensor is provided to enhance sensitivity thereof by using a I-III-VI-based material having a high optical absorbing ratio in comparison with an existing Si-based material. An image sensor includes a substrate(10) having a first, second, and third I-III-VI-based photoelectric conversion parts(11,12,13) of a multi-layered structure. The I-III-VI-based photoelectric conversion parts of a multi-layered structure are formed to absorb the light gradually according to wavelength bands. The first photoelectric conversion part includes a I-III-VI-based material layer for absorbing the light of the first wavelength band. The second photoelectric conversion part includes a I-III-VI-based material layer for absorbing the light of the second wavelength band longer than the first wavelength band. The third photoelectric conversion part includes a I-III-VI-based material layer for absorbing the light of the third wavelength band longer than the second wavelength band.
Abstract:
A dye having a dispersing agent function and a solar cell including the same are provided to deliver excited electrons to a conduction of a metal oxide as the function of the dye, and to improve uniformity and density of metal oxide particles as the function of the dispersing agent. A transparent electrode coated with a conductive material is formed on a substrate. A metal oxide material layer is formed on the transparent electrode. A semiconductor electrode includes a dye contained within the metal oxide material layer. The substrate is made of a glass, a plastic or a silica. A solar cell for sensing a dye includes an opposing electrode.
Abstract:
Provided are a novel dye which can act as a dispersant as well as a dye, a paste composition containing the dye, a semiconductor electrode, a method for preparing the semiconductor electrode, and a dye-sensitive solar cell using the electrode. The dye is represented by the formula(1), wherein R1 and R2 are independently COOH or POOH; R3 and R4 are independently H or a group represented by the formula(2), and at least one of R3 and R4 is a group represented by the formula(2). In the formula(2), X1 to X4 are independently H or a methyl group; A is a substituted or unsubstituted C6-C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C6-C30 arylalkylene group, or a substituted or unsubstituted C6-C30 cycloalkylene group; B is a substituted or unsubstituted C1-C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1-C20 alkenyl group, or a substituted or unsubstituted C1-C20 alkynyl group and is linear or branch form; m is an integer of 1-20; and n is 0 or 1.
Abstract:
A semiconductor electrode using a carbon nano tube is provided to block a back electron transfer in a semiconductor electrode by attaching a carbon nano tube having an anchoring functional group to the surface of a metal oxide layer of a semiconductor electrode. A semiconductor electrode is made of a metal oxide layer to which dye particles are absorbed. A carbon nano tube having an anchoring functional group is attached to the surface of the metal oxide layer. The functional group can be at least one functional group selected from a group of a carboxyl group, a phosphoric acid group and a salicylic acid group. The metal oxide layer can be a nano structure material selected from a group of a quantum dot, a nano dot, a nano wire, a nano belt and a nano particle.
Abstract:
본 발명은 나노금속입자를 이용한 광전 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 투명 전극; 상기 투명 전극 상에 형성된 반도체층; 상기 반도체층 상에 도포된 나노금속입자; 상기 투명 전극과 마주보도록 배치된 대향 전극; 및 상기 투명 전극 및 대향 전극 사이의 공간에 매립된 전해질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 소자에 관한 것이다. 본 발명의 광전 소자는 광을 흡수하여 전자를 생성하기 위한 물질로서 종래의 유기염료 또는 양자점 대신 나노금속입자를 이용함으로써, 개선된 광안정성 및 광흡수 효율을 나타내며, 저렴하고 간단한 공정을 통해 용이하게 제조 가능한 이점이 있다. 광전 소자, 나노금속입자, 절연성 막, 태양 전지, 광안정성
Abstract:
본 발명은 염료 입자가 흡착된 금속산화물 나노입자로 이루어진 금속산화물을 포함하는 반도체 전극으로서, 상기 금속산화물층의 표면이 전자주게기를 갖는 방향족 또는 헤테로 방향족 유기물로 처리된 것을 특징으로 하는 반도체 전극, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명의 반도체전극은 광전류밀도 및 개방전압을 증가시켜 광전효율 향상 효과를 제공하므로 고효율 태양전지에 채용될 수 있다. 태양전지, 금속산화물층, 전자주게기를 갖는 방향족 또는 헤테로 방향족 유기물, 방향족, 헤테로 방향족, 관능기
Abstract:
A solar cell including carbon nanotubes formed by an electrophoretic deposition method is provided to facilitate migration of electrons and control accumulation and recombination reaction of electrons by including carbon nanotubes maintaining an excellent electrical conductivity characteristic by an electrophoretic deposition method. A solar cell includes carbon nanotubes formed on a semiconductor layer. A conductive material is coated on a substrate to form a transparent electrode(201). A semiconductor layer(205) is formed on the transparent electrode, having a planar surface or an uneven structure. A carbon nanotube layer(206) is formed on the semiconductor layer. Dye(207) is absorbed to the surface of the semiconductor layer. A counter electrode(203) is disposed to face the transparent electrode. Electrolyte(202) is filled in a space between the transparent electrode and the counter electrode. The semiconductor layer and the carbon nanotube layer can be alternately repeated to form a multilayered structure.