公开(公告)号：KR102065973B1

公开(公告)日：2020-01-15

申请号：KR1020130082307

申请日：2013-07-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박민엽 ,  다니엘레,레오넬리 ,  마에다,시지노부 ,  오한수 ,  김웅기 ,  이종혁 ,  정주섭

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR1020150008304A

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：KR1020130082307

申请日：2013-07-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박민엽 ,  다니엘레,레오넬리 ,  마에다,시지노부 ,  오한수 ,  김웅기 ,  이종혁 ,  정주섭

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802

Abstract: 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 장치는 기판 상에 형성된 게이트; 상기 게이트의 측벽과 바닥면을 따라 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트의 양 측벽에 형성되는 L자형의 스페이서 구조체를 포함하고, 상기 스페이서 구조체는 상기 게이트의 측벽을 따라서 형성된 제1 부분과, 상기 제1 부분과 연결되고 상기 기판의 상면을 따라서 형성된 제2 부분을 포함할 수 있다.

Abstract translation: 提供一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：形成在衬底上的栅极; 栅极绝缘层，沿着栅极的底表面和侧壁形成; 以及形成在栅极两侧的L形间隔结构。 间隔结构可以包括沿着门的侧壁形成的第一部分，以及连接到第一部分并且沿着衬底的上表面形成的第二部分。