公开(公告)号：KR1020160099861A

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：KR1020150022079

申请日：2015-02-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 데브라지마사람팔리라자고팔 ,  강경태

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/30 ,  G11C7/06 ,  G11C16/06 ,  G11C11/56 ,  G11C16/08

CPC classification number: H03K3/3565 ,  H03K3/356104 ,  G11C16/26 ,  G11C7/06 ,  G11C11/56 ,  G11C16/08 ,  G11C16/30

Abstract: 슈미트트리거회로는제1 인버터, 제2 인버터, 제1 피드백유닛및 제2 피드백유닛을포함한다. 제1 인버터는제1 피드백신호에기초하여입력신호를반전한내부신호를생성하여제1 노드에인가하는 PMOS 트랜지스터유닛및 NMOS 트랜지스터유닛을포함한다. 제2 인버터는제1 노드의제1 신호를반전하여출력신호를생성한다. 제1 피드백유닛은제1 노드의제1 신호에기초하여 PMOS 트랜지스터유닛및 NMOS 트랜지스터유닛중 제1 유닛에이력특성을제공하는제1 피드백신호를생성한다. 제2 피드백유닛은출력신호에기초하여 PMOS 트랜지스터유닛및 NMOS 트랜지스터유닛중 제2 유닛에이력특성을제공하는제2 피드백신호를생성하고, 상기제2 피드백신호를상기제1 노드에인가한다.

Abstract translation: 在低电源电压下具有高且均匀滞后特性的施密特触发电路包括第一反相器，第二反相器，第一反馈单元和第二反馈单元。 第一反相器包括PMOS晶体管单元和NMOS晶体管单元，其通过基于第一反馈信号反相输入信号来产生内部信号，以将内部信号施加到第一节点。 第二逆变器通过使第一节点的第一信号反相来产生输出信号。 第一反馈单元基于第一节点的第一信号产生向PMOS晶体管单元和NMOS晶体管单元的第一单元提供滞后特性的第一反馈信号。 第二反馈单元产生第二反馈信号，其基于输出信号向PMOS晶体管单元和NMOS晶体管单元的第二单元提供滞后特性，以将第二反馈信号施加到第一节点。