公开(公告)号：KR100031980B1

公开(公告)日：1990-03-02

申请号：KR1019870003481

申请日：1987-04-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영소_ ,  김기준

IPC: H01L31/00

公开(公告)号：KR1019890004644B1

公开(公告)日：1989-11-21

申请号：KR1019870003481

申请日：1987-04-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영소_ ,  김기준

IPC: H01L31/00

Abstract: The manufacturing method for the LED for application to FAX or photo copier comprises steps of : (a) epitaxial growth of a p-type AlGaAS(32), a n-type AlGaAS(33) and a n-type GaAS(34) with a fixed thickness in sequence on the GaAS substrate(31); (b) forming ptype region(35) by diffusing Zn at a fixed part of the epitaxial layer; (c) forming an ohmic contact(45) by etching the n-type GaAS(34); (d) forming a P-N junction, which is light emitting region, by etching a part of the p-type AlGaAS(32) and the p-type AlGaAS(32) and the n- type AlGaAS(33);(e) forming a protective film on the top layer;

Abstract translation: 用于传真或复印机的LED的制造方法包括以下步骤：（a）p型AlGaAS（32），n型AlGaAS（33）和n型GaAS（34）的外延生长，具有 在GaAS衬底（31）上依次具有固定的厚度; （b）通过在外延层的固定部分扩散Zn而形成p型区域（35）; （c）通过蚀刻n型GaAS（34）形成欧姆接触（45）; （d）通过蚀刻p型AlGaAS（32）和p型AlGaAS（32）和n型AlGaAS（33）的一部分形成作为发光区域的PN结;（e）形成 顶层保护膜;

公开(公告)号：KR1019880013259A

公开(公告)日：1988-11-30

申请号：KR1019870003481

申请日：1987-04-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영소_ ,  김기준

IPC: H01L31/00

Abstract: 내용 없음