公开(公告)号：KR1020160147483A

公开(公告)日：2016-12-23

申请号：KR1020150084279

申请日：2015-06-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구자민 ,  김영석 ,  이공수 ,  배고은

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76895 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/10888

Abstract: 기판상에서로평행하게연장하는배선구조체들을형성하고, 코팅공정을수행하여배선구조체들사이를채우는액체상태의실리콘소스물질층을형성하고, 1차어닐링공정을수행하여상기액체상태의실리콘소스물질층을경화시켜비정질실리콘층을형성하고, 및상기비정질실리콘층을결정화하여콘택플러그들을형성하는것을포함하는반도체소자의제조방법이설명된다.

Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法，该方法包括在衬底上形成彼此平行延伸的互连结构; 执行涂覆工艺并形成填充所述互连结构之间的区域的液态硅源材料层; 进行第一退火处理，固化液态硅源材料层，形成非晶硅层; 并使非晶硅层结晶并形成接触塞。