公开(公告)号：KR20210028307A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：KR1020190108759A

申请日：2019-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황두희 ,  김태훈 ,  배민경 ,  우명훈 ,  이봉용

IPC: G11C16/14 ,  G11C5/06 ,  G11C16/04 ,  H01L27/11582

CPC classification number: G11C16/14 ,  G11C16/0483 ,  G11C11/5635 ,  G11C16/045 ,  G11C16/08 ,  G11C16/12 ,  G11C16/16 ,  G11C16/24 ,  G11C16/30 ,  G11C16/32 ,  G11C5/063 ,  H01L27/11582

Abstract: 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 장치는 기판에 매립되고, 제1 도전형의 불순물이 도프된 도전 물질을 포함하는 소스층과, 상기 기판 상에 배치되며, 각각이 수직 절연층과 수직 채널층을 가지고, 상기 기판의 상면에 수직한 제1 방향으로 연장되는 복수의 채널 구조체들과, 상기 소스층 상에 배치되며, 상기 복수의 채널 구조체들 각각의 측벽 상에 상기 제1 방향을 따라 이격되어 배치되는 복수의 게이트 전극들과, 상기 복수의 게이트 전극들을 관통하며, 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 소스층과 전기적으로 연결되는 공통 소스 라인을 포함하고, 상기 복수의 게이트 전극들 중에서 적어도 하나는 게이트 유도 드레인 누설(GIDL) 라인을 제공하고, 이레이즈 동작 동안 상기 공통 소스 라인으로 인가되는 이레이즈 전압은 목표 전압에 도달하고, 상기 이레이즈 전압이 상기 목표 전압에 도달한 후, 상기 이레이즈 전압이 상기 목표 전압보다 높은 전압을 갖도록 단위 스텝 전압이 추가로 인가되며, 상기 단위 스텝 전압이 추가로 인가된 후, 상기 이레이즈 전압은 다시 상기 목표 전압으로 스텝 다운된다.