公开(公告)号：KR100512177B1

公开(公告)日：2005-09-02

申请号：KR1020030025165

申请日：2003-04-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송재호 ,  박영훈 ,  신상학

IPC: H01L27/146

Abstract: 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공한다. 이 이미지 센서는 기판에 형성된 포토다이오드들 상에 블로킹 패턴이 배치된다. 블로킹 패턴은 실리콘산화막에 비하여 금속원소의 확산계수가 낮은 절연막으로 이루어진다. 따라서, 블로킹 패턴은 금속원소의 오염으로 부터 포토다이오드들을 보호한다. 그 결과, 종래의 다크결함을 최소화할 수 있다. 또한, 이미지 센서는 색비조절막을 구비한다. 색비조절막은 색광 3원색인 블루, 그린 및 레드의 감도들 간의 색비를 조절한다. 이에 따라, 이미지 센서가 구현하는 영상의 색 선명도를 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020030097648A

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：KR1020030025165

申请日：2003-04-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송재호 ,  박영훈 ,  신상학

IPC: H01L27/146

Abstract: PURPOSE: An image sensor is provided to minimize a dark defect caused by metal contaminant by forming a blocking pattern on photodiodes so that the blocking pattern protects the photodiodes from the contaminant. CONSTITUTION: The photodiode(113) of the second conductivity type is formed in a predetermined region of a substrate(101) of the first conductivity type, having a predetermined depth from the surface of the substrate. A gate is formed on the substrate at one side of the photodiode of the second conductivity type. A floating diffusion layer(119) is formed in the substrate at the other side of the gate confronting the photodiode of the second conductivity type. A photodiode(114) of the first conductivity type is interposed between the photodiode of the second conductivity type and the surface of the substrate. The blocking pattern(125a) is formed on the photodiode of the second conductivity type, composed of an insulation layer in which the diffusion coefficient of metal atoms is low as compared with a silicon oxide layer.

Abstract translation: 目的：提供图像传感器，以通过在光电二极管上形成阻挡图案来最小化由金属污染物引起的暗缺陷，使得阻挡图案保护光电二极管免受污染物的影响。 构成：第二导电类型的光电二极管（113）形成在距衬底表面具有预定深度的第一导电类型的衬底（101）的预定区域中。 栅极形成在第二导电类型的光电二极管的一侧的基板上。 在与第二导电类型的光电二极管相对的栅极的另一侧的衬底中形成浮动扩散层（119）。 第一导电类型的光电二极管（114）介于第二导电类型的光电二极管和基板的表面之间。 阻挡图案（125a）形成在与氧化硅层相比金属原子的扩散系数低的绝缘层构成的第二导电型的光电二极管上。