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公开(公告)号：KR1020070038255A
公开(公告)日：2007-04-10
申请号：KR1020050093357
申请日：2005-10-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C29/00
Abstract: 반도체 메모리 장치의 병합 데이터 테스트 회로가 개시된다. 그러한 병합 데이터 테스트 회로는 상기 메모리 장치의 패스 또는 페일을 판정하기 위한 테스트에 사용될 병합 데이터를 저장하기 위한 레지스터부, 상기 레지스터부에 저장된 병합 데이터를 조합하여 상기 메모리 장치로 인가하기 위한 병합 데이터 인가부, 및 상기 메모리 장치로부터 리드된 데이터와 상기 레지스터부에 저장된 병합 데이터를 비교하기 위한 병합 데이터 비교부를 구비한다. 그리하여, 본 발명은 개선된 반도체 메모리 장치의 테스트 회로 및 그에 의한 테스트 방법을 제공함으로써, 병합 데이터 테스트시 입력 또는 출력되는 데이터의 포맷이 사용자에 의해 자유롭게 조합될 수 없는 문제를 해결하여 테스트 커버리지를 높이는 효과를 갖는다.
테스트, 병합, MDQ, 레지스터, 버퍼
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