公开(公告)号：KR1020170079174A

公开(公告)日：2017-07-10

申请号：KR1020150189451

申请日：2015-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오태환 ,  김민정 ,  신우정 ,  오승호 ,  윤광섭 ,  이석원 ,  정명기 ,  정용출 ,  최지영

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L21/823456 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/42376

Abstract: 본발명의기술적사상은게이트구조체의형상및 사이즈의변화를통해다양한문턱전압이구현된반도체소자및 그제조방법을제공한다. 그반도체소자제조방법은희생층을 UV 조사식각방법을통해패턴밀도와상관없이균일한두께로제거함으로써, 남은희생층의높이를균일하게유지시킬수 있고, 그에따라 U형구조의하부메탈층의높이도균일하게유지시킬수 있다. 따라서, 그러한 U형구조의하부메탈층을포함한게이트구조체로형성된트랜지스터는게이트의길이에의존하여문턱전압이변경되되, 동일한게이트길이에대해서는동일문턱전압을갖는균일성을유지할수 있다.

Abstract translation: 本发明的技术方面提供了一种半导体器件及其制造方法，其中各种阈值电压通过栅极结构的形状和尺寸的变化而实现。 在该半导体装置的制造方法中，与图案密度无关地通过紫外线照射蚀刻法均匀地去除牺牲层，从而能够均匀地维持残留的牺牲层的高度，因此能够提高下部金属层的高度 有可能让它卡住。 因此，由包括这种U形结构的下金属层的栅极结构形成的晶体管可以在用于相同栅极长度的相同阈值电压下保持均匀性，同时根据栅极的长度改变阈值电压。