-
公开(公告)号：KR1019970053167A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950050064
申请日：1995-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60
Abstract: 본 발명은 범핑 공정(Bumping process)에 적용되는 웨이퍼의 백 래핑(Back Lapping) 방법에 관한 것으로서, 웨이퍼 표면에 금속막,보호막,베리어 메탈막이 순차적으로 적층된 후 감광막을 도포 및 성장시키는 제1스텝과, 상기 감광막이 성장된 후 금으로 전기 도금하여 돌출 전극인 범프를 형성시키는 제2스텝과, 상기 감광막과 범프 상단부에 백 래핑용 테이프를 도포시키고 상기 감광막과 범프로써 완충 역할을 하게 하여 웨이퍼의 뒷면을 원하는 두께로 백 래핑시킨 후 상기 테이프를 제거하는 제3스텝과, 도포되어 있던 감광막을 제거하고 세정시키는 제4스텝과, 사기 스텝이 진행된 후 베리어 메탈을 식각하여 열처리시키는 제5스텝을 구비하는 것을 특징으로 하여 범프 구조에 의한 단차를 최소화하여 래핑 시의 응력 집중을 분산시켜 균열 또는 파손에 의한 실을 막고, 래핑용 테이프와 보호막 간의 공간을 없애므로 인하여 오염원의 침투를 원천 봉쇄할 수 있는 것이다.
-
公开(公告)号：KR1020000018908A
公开(公告)日：2000-04-06
申请号：KR1019980036748
申请日：1998-09-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor chip by using mask having a short pattern is provided to obtain a semiconductor chip used in a flip-chip bonding or TAB(tape automated bonding) CONSTITUTION: A method for manufacturing a semiconductor chip prepares (11) a wafer having many unit semiconductor chips having aluminum pad. The method exposes the aluminum pad, and covers (12) a mask having a short pattern on a wafer. The short pattern selectively shorts some part of the aluminum pads of semiconductor chip positioned on a specific area having a badness. The method forms (13) a bump through a plating. The method inputs an electrical signal by a mechanical contact of bump, and checks (14) a chip state(goodness or badness) of the semiconductor chip by the output of the electrical signal. Then, the method displays (15) a badness on bad chips generated in the electrical characteristic checking step(14). Thereby, additional process is not needed, and a production cost and a product reliability are enhanced.
Abstract translation: 目的：提供一种通过使用具有短图案的掩模制造半导体芯片的方法，以获得用于倒装芯片接合或TAB（带自动接合）的半导体芯片。构成：半导体芯片的制造方法准备（11） 具有许多具有铝焊盘的单元半导体芯片的晶片。 该方法暴露铝焊盘，并且在（12）掩模（12）在晶片上具有短图案的掩模。 短图案选择性地将位于具有不良的特定区域的半导体芯片的铝焊盘的一些部分短路。 该方法形成（13）通过电镀的凸块。 该方法通过凸块的机械接触输入电信号，并通过电信号的输出来检查（14）半导体芯片的芯片状态（良好或坏）。 然后，该方法显示（15）在电特性检查步骤（14）中产生的不良芯片的不良情况。 因此，不需要额外的处理，并且提高了生产成本和产品可靠性。
-
公开(公告)号：KR100236713B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019960059062
申请日：1996-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60 , H01L21/321
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/00012
Abstract: 범프 하부의 패드에 케미컬 또는 습기가 침투하는 것을 방지하는 반도체장치의 범프 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은, 패드가 형성된 웨이퍼의 전면에 절연보호막을 형성한 후 상기 패드의 일부를 노출시키는 개구부를 형성하는 단계, 상기 개구부를 포함하는 웨이퍼 전면에 복수의 금속막을 적층하는 단계, 상기 개구부를 포함하는 상기 패드의 상측에 범프를 형성하는 단계, 상기 범프를 식각마스크로 하여 상기 최상층의 금속막을 식각하는 단계, 상기 소정의 패턴으로 식각된 최상층의 금속막을 식각마스크로 하여 그 하부의 금속막을 식각하는 단계; 및 상기 최상층의 금속막에 대하여 추가로 식각공정을 수행하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 금속막 하부의 패드가 습기 또는 케미컬에 노출되는 것을 방지할 수 있고, 향후 패드 및 범프의 크기가 작아져도 고집적화된 반도체장치를 제조할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980039944A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019960059062
申请日：1996-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60 , H01L21/321
Abstract: 범프 하부의 패드에 케미컬 또는 습기가 침투하는 것을 방지하는 반도체장치의 범프 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은, 패드가 형성된 웨이퍼의 전면에 절연보호막을 형성한 후 상기 패드의 일부를 노출시키는 개구부를 형성하는 단계, 상기 개구부를 포함하는 웨이퍼 전면에 복수의 금속막을 적층하는 단계, 상기 개구부를 포함하는 상기 패드의 상측에 범프를 형성하는 단계, 상기 범프를 식각마스크로 하여 상기 최상층의 금속막을 식각하는 단계, 상기 소정의 패턴으로 식각된 최상층의 금속막을 식각마스크로 하여 그 하부의 금속막을 식각하는 단계; 및 상기 최상층의 금속막에 대하여 추가로 식각공정을 수행하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 금속막 하부의 패드가 습기 또는 케미컬에 노출되는 것을 방지할 수 있고, 향후 패드 및 범프의 크기가 작아져도 고집적화된 반도체장치를 제조할 수 있는 효과가 있다.
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.025 seconds)
