公开(公告)号：KR1020150068876A

公开(公告)日：2015-06-22

申请号：KR1020140012406

申请日：2014-02-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양준혁 ,  김세기 ,  안세라 ,  고형종

IPC: H01L23/34

CPC classification number: H01L23/367 ,  H01L23/4012 ,  H01L2023/4037

Abstract: 반도체칩은제1 회로층및 제1 열전층을포함한다. 제1 회로층은복수의능동소자들및 복수의수동소자들을구비한다. 제1 열전층은제1 회로층의일면상에형성되고, 제1 회로층의제1 영역에서발생하는열을제1 회로층의제2 영역으로수평적으로분산시키는수평적열 분산기능을수행하는적어도하나의제1 온-다이(on-die) 열전소자를구비한다.

Abstract translation: 半导体芯片包括第一电路层和第一热电层。 第一电路层包括多个有源器件和多个无源器件。 第一热电层包括形成在第一电路层的一个表面上的至少一个第一管芯上热电装置，并且执行水平分布功能，其将在第一电路层的第一区域中产生的热水平地水平分布到第一电路层的第二区域 电路层。

公开(公告)号：KR1020160012871A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：KR1020140166117

申请日：2014-11-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김광호 ,  양준혁 ,  고형종 ,  김세기 ,  박호진 ,  안세라

IPC: H01L35/04 ,  H01L35/34

CPC classification number: H01L35/32 ,  H01L35/04 ,  H01L35/34

Abstract: 열전소자는반도체기판, 복수의제1 및제2 반도체핀 구조들, 복수의제1 및제2 반도체나노와이어들및 제1 내지제3 전극들을포함한다. 제1 및제2 반도체핀 구조들은반도체기판으로부터돌출되고, 제1 방향으로연장된다. 제1 반도체나노와이어들은제1 반도체핀 구조들상에형성되고, 제1 불순물들을포함한다. 제2 반도체나노와이어들은제2 반도체핀 구조들상에형성되고, 제2 불순물들을포함한다. 제1 전극은제1 반도체나노와이어들의일 단들및 제2 반도체나노와이어들의일 단들과연결된다. 제2 전극은제1 반도체나노와이어들의타 단들과연결된다. 제3 전극은제2 반도체나노와이어들의타 단들과연결된다.

Abstract translation: 热电元件包括​​半导体衬底，多个第一和第二半导体鳍结构; 多个第一和第二半导体纳米线; 和第一至第三电极。 第一和第二半导体鳍片结构从半导体衬底突出并沿第一方向延伸。 第一半导体纳米线形成在第一半导体鳍结构上并且包括第一杂质。 第二半导体纳米线形成在第二半导体鳍结构上，并且包括第二杂质。 第一电极连接到第一半导体纳米线的一端和第二半导体纳米线的一端。 第二电极连接到第一半导体纳米线的另一端。 第三电极连接到第二半导体纳米线的另一端。 本发明的目的是提供热电元件有效地分配半导体器件内产生的热量。