公开(公告)号：KR100682937B1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：KR1020050013143

申请日：2005-02-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서동석 ,  강윤호 ,  바실리레니아신 ,  송미정 ,  안토노브세르게이

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16

Abstract: 상전이 메모리 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 상전이 메모리 소자는, 제1전극 상에 형성된 유전층; 상기 유전층에 형성된 콘택홀에 형성된 도전성 콘택; 상기 유전층 상에서 상기 콘택을 덮는 상전이 물질막; 상기 상전이 물질막 상에 형성된 제2전극; 및 상기 제1전극에 전기적으로 연결되는 트랜지스터;를 구비한다. 상기 도전성 콘택의 폭은 30 nm 이하로 형성된다.

公开(公告)号：KR100633091B1

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：KR1020050008837

申请日：2005-01-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최호석 ,  안토노브세르게이 ,  안형민 ,  하정수 ,  바실리레냐신 ,  송미정 ,  바실리레냐신

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N23/00 ,  G01R31/307 ,  G09G3/006 ,  Y10S345/904

Abstract: 본 발명은 다수의 픽셀이 형성된 박막 트랜지스터 기판의 검사장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 검사장치는 상기 박막 트랜지스터 기판과 대향하게 이격 배치되며, 상기 픽셀에 대응하는 기준 패턴이 형성된 기준 기판과; 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 기준 기판 사이의 이격 공간에 전계가 형성되도록 상기 픽셀 및 상기 기준 패턴에 전원을 공급하는 전원공급부와; 상기 이격 공간의 일측으로부터 타측을 향해 전자빔을 방출하는 전자빔 방출 유닛과; 상기 전자빔 방출 유닛으로부터 방출되어 상기 이격 공간을 통과한 전자빔을 검출하기 위한 전자빔 검출 유닛과; 상기 전자빔 검출 유닛에 의해 검출된 전자빔의 검출 위치에 기초하여, 상기 박막 트랜지스터 기판의 상기 픽셀의 결함 여부를 판단하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 박막 트랜지스터 기판의 결함 여부를 검사함에 있어서 저 진공 상태에서도 정확한 검사가 가능하고, 박막 트랜지스터 기판의 사이즈의 변화에 적응적으로 대처할 수 있고, 검사 시간을 단축할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060092398A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：KR1020050013143

申请日：2005-02-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서동석 ,  강윤호 ,  바실리레니아신 ,  송미정 ,  안토노브세르게이

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16

Abstract: 상전이 메모리 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 상전이 메모리 소자는, 제1전극 상에 형성된 유전층; 상기 유전층에 형성된 콘택홀에 형성된 도전성 콘택; 상기 유전층 상에서 상기 콘택을 덮는 상전이 물질막; 상기 상전이 물질막 상에 형성된 제2전극; 및 상기 제1전극에 전기적으로 연결되는 트랜지스터;를 구비한다. 상기 도전성 콘택의 폭은 30 nm 이하로 형성된다.

公开(公告)号：KR1020060087946A

公开(公告)日：2006-08-03

申请号：KR1020050008837

申请日：2005-01-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최호석 ,  안토노브세르게이 ,  안형민 ,  하정수 ,  바실리레냐신 ,  송미정 ,  바실리레냐신

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N23/00 ,  G01R31/307 ,  G09G3/006 ,  Y10S345/904

Abstract: 본 발명은 다수의 픽셀이 형성된 박막 트랜지스터 기판의 검사장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 검사장치는 상기 박막 트랜지스터 기판과 대향하게 이격 배치되며, 상기 픽셀에 대응하는 기준 패턴이 형성된 기준 기판과; 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 기준 기판 사이의 이격 공간에 전계가 형성되도록 상기 픽셀 및 상기 기준 패턴에 전원을 공급하는 전원공급부와; 상기 이격 공간의 일측으로부터 타측을 향해 전자빔을 방출하는 전자빔 방출 유닛과; 상기 전자빔 방출 유닛으로부터 방출되어 상기 이격 공간을 통과한 전자빔을 검출하기 위한 전자빔 검출 유닛과; 상기 전자빔 검출 유닛에 의해 검출된 전자빔의 검출 위치에 기초하여, 상기 박막 트랜지스터 기판의 상기 픽셀의 결함 여부를 판단하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 박막 트랜지스터 기판의 결함 여부를 검사함에 있어서 저 진공 상태에서도 정확한 검사가 가능하고, 박막 트랜지스터 기판의 사이즈의 변화에 적응적으로 대처할 수 있고, 검사 시간을 단축할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成有多个像素的薄膜晶体管基板的检查装置。 根据本发明的检查装置包括：参考衬底，与薄膜晶体管衬底相对设置并具有与像素对应的参考图案; 电源单元，用于向所述像素和所述参考图案供电，使得在所述薄膜晶体管基板和所述参考基板之间的空间中形成电场; 电子束发射单元，其从所述间隔空间的一侧向另一侧发射电子束; 电子束检测单元，用于检测从电子束发射单元发射并穿过间隔空间的电子束; 以及控制单元，用于基于由电子束检测单元检测到的电子束的检测位置来确定薄膜晶体管基板的像素是否有缺陷。 因此，在检查薄膜晶体管基板的缺陷时，即使在低真空状态下也能够准确地进行检查，从而适应薄膜晶体管基板的尺寸变化，缩短检查时间。