公开(公告)号：KR1019990026219A

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019970048271

申请日：1997-09-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최정혁 ,  염광현

IPC: H01L21/30

Abstract: 반도체 장치의 웰 형성 방법이 개시되어 있다. 제1 도전형의 반도체 기판의 제1 영역에 제2 도전형의 불순물을 이온주입하여 제2 도전형의 웰을 형성한다. 상기 제1 영역의 상부에 외확산 방지막을 형성한다. 상기 제1 영역을 제외한 반도체 기판의 제2 영역 및 상기 제1 영역 내의 제3 영역에 제1 도전형의 불순물을 이온주입한다. 드라이브-인 공정을 실시하여 상기 이온주입된 불순물들을 확산시킴으로써, 상기 제2 영역에 제1 도전형의 제1 웰을 형성하고 상기 제3 영역에 상기 제1 웰보다 높은 농도를 갖는 제1 도전형의 제2 웰을 형성한다. 그리고, 상기 외확산 방지막을 제거한다. 한번의 이온주입 공정만으로 서로 다른 벌크 농도를 구현할 수 있으므로 공정을 단순화시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100200074B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960035454

申请日：1996-08-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 염광현 ,  김건수

IPC: H01L27/115

Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 특히 불휘발성 반도체 메모리 장치의 제조방법에 관한 것으로, 써멀 사이클을 줄여 오버-이레이즈 특성을 개선시키기 위한 불휘발성 반도체 메모리 장치의 제조방법을 제공함에 있다. 이러한 목적을 달성하기 위한 기술적 사상에 따르면, 휘발성 반도체 메모리 장치의 제조방법은 제1도전형의 반도체 기판 또는 반도체 기판에 형성된 제1도전형의 웰의 일부상에 제1절연막과 플로팅게이트를 순차적으로 형성하는 과정과, 상기 플로팅게이트상에 제2절연막과 제어게이트를 순차적으로 형성하는 과정과, 상기 제어게이트를 자기 정렬로 제2도전형의 불순물을 이온주입한후 드라이브인으로 졍션을 형성하는 과정과, 상기 이온주입된 불순물이 전기적으로 활성화되는 온도에서 행해지는 열산화공정을 통하여 상기 반도체 기판 또는 웰 상에 산화막을 성장시키는 과정을 포함함을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100506269B1

公开(公告)日：2005-10-21

申请号：KR1019970048271

申请日：1997-09-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최정혁 ,  염광현

IPC: H01L21/30

Abstract: 반도체 장치의 웰 형성 방법이 개시되어 있다. 제1 도전형의 반도체 기판의 제1 영역에 제2 도전형의 불순물을 이온주입하여 제2 도전형의 웰을 형성한다. 상기 제1 영역의 상부에 외확산 방지막을 형성한다. 상기 제1 영역을 제외한 반도체 기판의 제2 영역 및 상기 제1 영역 내의 제3 영역에 제1 도전형의 불순물을 이온주입한다. 드라이브-인 공정을 실시하여 상기 이온주입된 불순물들을 확산시킴으로써, 상기 제2 영역에 제1 도전형의 제1 웰을 형성하고 상기 제3 영역에 상기 제1 웰보다 높은 농도를 갖는 제1 도전형의 제2 웰을 형성한다. 그리고, 상기 외확산 방지막을 제거한다. 한번의 이온주입 공정만으로 서로 다른 벌크 농도를 구현할 수 있으므로 공정을 단순화시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980015972A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960035454

申请日：1996-08-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 염광현 ,  김건수

IPC: H01L27/115

Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 특히 불휘발성 반도체 메모리 장치의 제조방법에 관한 것으로, 써멀 사이클을 줄여 오버-이레이즈 특성을 개선시키기 위한 불휘발성 반도체 메모리 장치의 제조방법을 제공함에 있다. 이러한 목적을 달성하기 위한 기술적 사상에 따르면, 휘발성 반도체 메모리 장치의 제조방법은 제1도전형의 반도체 기판 또는 반도체 기판에 형성된 제1도전형의 웰의 일부상에 제1절연막과 플로팅게이트를 순차적으로 형성하는 과정과, 상기 플로팅게이트상에 제2절연막과 제어게이트를 순차적으로 형성하는 과정과, 상기 제어게이트를 자기 정렬로 제2도전형의 불순물을 이온주입한후 드라이브인으로 졍션을 형성하는 과정과, 상기 이온주입된 불순물이 전기적으로 활성화되는 온도에서 행해지는 열산화공정을 통하여 상기 반도체 기판 또는 웰 상에 산화막을 성장시키는 과정을 포함함을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019980047459A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960065953

申请日：1996-12-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 염광현 ,  김건수

IPC: H01L27/11

Abstract: 본 발명은 노아형 플래시 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 소자분리된 인접 단위셀의 소오스영역들을 서로 전기적 연결하기 위한 셀프 얼라인 소오스영역(또는 제 2도전형의 도펀트 확산영역)을 정의하기 위하여 종래의 그 소오스영역에 상당하는 필드절연막층을 선택적으로 식각하여 단위셀의 게이트들을 열화시키는 문제점이 있었으나 본 발명에 따라 그 필드절연막층을 식각하지 않고 고에너지의 이온주입으로 그 소오스영역을 필드절연막층 아래에 형성하여 플래시 메모리 단위셀의 신뢰도를 유지하고 워드라인의 저항증가를 억제할 수 있는 효과가 있다.