公开(公告)号：KR1019970008453A

公开(公告)日：1997-02-24

申请号：KR1019950023187

申请日：1995-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신정우 ,  와다마사키 ,  이명섭

IPC: H01L21/66

Abstract: 반도체장치의 박막두께 계측기 SRM을 개시한다. 더블폴리싱된(Double-Polished)웨이퍼를 사용하여 제작된 박막 두께 계측기 SRM은 고집적 반도체장치의 두께 측정의 정확도를 높일 수 있다. 본 발명에 의하면, 첫째, 더블 폴리싱된 웨이퍼로 제작하여 막두께에 대해서 계측기의 소자 스테이지에 의한 기판의 영향을 고려할 수 있다. 둘째, 동일막 두께에 대해 동일제조조건으로 제조설비, 온도, 가스, 압력등을 적용함으로서, 향후 박막제작시 동일막두께의 재현이 가능하다. 셋째, 여러 다양한 두께별로 나누어(Split thickness)제작 되어 소자의 전스텝에 대해 보증이 가능하다. 50~7000Å까지 50Å 간격으로 나누어진 두께의 SiO
2 SRM이 제공되었다. 넷째, 8인치 막두께 SRM 제작으로 국제적인 검증을 거쳐 향후 16M, 64M, 256MDRAM인 고집적 소자에 보증할 수 있는 표준 계측기준시료(Standard Reference)로 사용 할 수 있다.