公开(公告)号：KR100695135B1

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：KR1020040108033

申请日：2004-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황순원 ,  김태완 ,  정석재 ,  유용환 ,  정지원

IPC: H01L27/04

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3929 ,  G11B2005/3996 ,  H01L43/12

Abstract: 본 발명은 TiN을 상지층으로 사용한 자기 저항 소자에 관한 것이다. 자기 저항 소자에 있어서, 자기 저항 구조체 상에 상지층으로 TiN을 사용한 자기 저항 소자의 제조 방법을 제공한다. 보다 간단한 제조 공정으로 형성시키며, 안전성 및 신뢰성이 향상된 자기 저항 소자를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060069039A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：KR1020040108033

申请日：2004-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황순원 ,  김태완 ,  정석재 ,  유용환 ,  정지원

IPC: H01L27/04

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3929 ,  G11B2005/3996 ,  H01L43/12

Abstract: 본 발명은 TiN을 상지층으로 사용한 자기 저항 소자에 관한 것이다. 자기 저항 소자에 있어서, 자기 저항 구조체 상에 상지층으로 TiN을 사용한 자기 저항 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 보다 간단한 제조 공정으로 형성시키며, 안전성 및 신뢰성이 향상된 자기 저항 소자를 제공할 수 있다.