公开(公告)号：WO2022164018A1

公开(公告)日：2022-08-04

申请号：PCT/KR2021/018845

申请日：2021-12-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동섭 ,  유효석 ,  조우종 ,  김병준

IPC: H04B1/401 ,  H04B1/50 ,  H04B1/04 ,  G06F1/16 ,  H01Q1/24 ,  H01Q1/38

Abstract: 안테나로 유기되는 신호를 소멸시켜 불요파방사를 개선할 수 있는 전자 장치는, 제1 안테나; 제2 안테나; 상기 제1 안테나 또는 상기 제2 안테나를 통해 송신되는 신호를 처리하고, 상기 제1 안테나를 통해 수신되는 신호를 처리하는 제1 프런트엔드 모듈; 상기 제2 안테나를 통해 수신되는 신호를 처리하는 제2 프런트엔드 모듈; 상기 제1 프런트엔드 모듈을 상기 제1 안테나 또는 제1 경로 중 어느 하나와 연결시키는 제1 스위치; 상기 제2 안테나를 상기 제2 프런트엔드 모듈 또는 상기 제1 경로 중 어느 하나와 연결시키는 제2 스위치; 및 상기 제1 안테나를 통해 통신 신호를 송신하는 경우, 상기 제1 안테나가 상기 제1 프런트엔드 모듈과 연결되고 상기 제2 안테나가 상기 제1 경로와 연결되도록 상기 제1 스위치와 상기 제2 스위치를 제어하는 프로세서;를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020060111157A

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：KR1020050033581

申请日：2005-04-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유효석

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70433 ,  G03F9/7076 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446

Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to prevent overlapping exposure by forming sequentially a shot division mark according to an exposure process. A method for manufacturing a semiconductor device includes an exposure process for forming a shot division mark having a uniform shape on a wafer. A first shot region(200S1), a second shot region(200S2), a third shot region(200S3) and a fourth shot region(200S4) are formed on the wafer by exposing sequentially using a mask with a pattern for forming an independent shot division mark(260abcd) at each four edges. The shot division mark having a uniform shape is completed by performing a combination of independent shot division mark in a portion of the four shot regions overlapped.

Abstract translation: 提供了一种用于制造半导体器件的方法，以根据曝光处理顺序地形成分割标记来防止重叠曝光。 一种制造半导体器件的方法包括用于在晶片上形成具有均匀形状的注射分割标记的曝光工艺。 通过使用具有用于形成独立镜头的图案的掩模依次曝光，在晶片上形成第一照射区域（200S1），第二射击区域（200S2），第三射击区域（200S3）和第四射击区域（200S4） 划分标记（260abcd）在每四个边缘。 通过在重叠的四个拍摄区域的一部分中执行独立拍摄分割标记的组合来完成具有均匀形状的拍摄分割标记。