公开(公告)号：KR1020170044578A

公开(公告)日：2017-04-25

申请号：KR1020160106010

申请日：2016-08-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정훈 ,  김우진 ,  이민아 ,  고관협 ,  송윤종

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: MTJ 구조물은수직자화방향을갖는고정막패턴구조물, 상기고정막패턴구조물상의터널배리어패턴, 상기터널배리어패턴상에형성되며, 수직자화방향을갖는자유막패턴, 상기자유막패턴상에형성되어, 상기자유막패턴표면에수직방향의자기를유도하는제1 표면자기유도패턴, 상기제1 표면자기유도패턴상의도전패턴, 및상기도전패턴상의강자성패턴을포함할수 있다.

Abstract translation: MTJ结构包括具有垂直磁化方向的固定膜图案结构，在固定膜图案结构上的隧道势垒图案，形成在隧道势垒图案上的自由膜图案，具有垂直磁化方向的自由膜图案， 第一表面磁感应图案，用于感应垂直于自由层图案的表面的磁性，第一表面磁感应图案上的导电图案以及导电图案上的铁磁图案。

公开(公告)号：KR1020170083221A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：KR1020160002398

申请日：2016-01-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이기석 ,  심정섭 ,  이민아 ,  홍진우 ,  박제민 ,  성혜진 ,  오승민 ,  이도영 ,  이지승 ,  이진성

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L27/10885 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10891

Abstract: 반도체장치및 이의제조방법이제공된다. 상기반도체장치는서로이격되는액티브영역과상기액티브영역을이격시키는소자분리영역을포함하는기판; 및상기액티브영역과오버랩되고, 제1 방향및 상기제1 방향과교차하는제2 방향으로서로동일한간격으로이격되는복수의필라패턴을포함하는필라어레이패턴을포함하되, 상기복수의필라패턴은상기제1 방향및 상기제2 방향으로서로교대로배치되는제1 및제2 필라패턴을포함하고, 상기제1 패턴의수평단면형상은상기제2 패턴의수평단면형상과서로다르다.

Abstract translation: 提供了一种半导体器件及其制造方法。 该半导体器件包括：衬底，包括彼此间隔开的有源区和用于间隔有源区的元件隔离区; 并且多个柱状图案与有源区重叠并且在第一方向和与第一方向交叉的第二方向上以等间隔隔开， 第一方向和所述第一图案的横截面形状包括第一支柱mitje被在第二方向上布置成交替两个图案彼此和所述第二图案的水平横截面形状不同。