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公开(公告)号：KR1019980074495A
公开(公告)日：1998-11-05
申请号：KR1019970010358
申请日：1997-03-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/12
Abstract: 본 발명은 불소가 함유된 산화막(SiOF)을 이용한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터는 절연 기판상에 게이트 전극, 활성층 및 소스/드레인 전극이 형성된 박막 트랜지스터에 있어서, 고농도 이온 주입을 위해 활성층 상부에 식각 마스크/이온 주입 마스크로서 SiOF 박막이 형성되어 있다. 따라서, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에서는 SiOF 박막을 식각 마스크/이온 주입 마스크 또는 게이트 절연막으로 이용함으로써, 우수한 절연 특성을 제공할 수 있는 동시에 유전 상수가 작으므로 전극 사이에서 발생하는 기생 용량을 감소시킴으로써 이미지상의 깜빡거림 현상과 잔상현상을 개선함으로써 전반적인 TFT-LCD의 화질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
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