-
公开(公告)号：KR101458077B1
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020080041004
申请日：2008-05-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/507 , H01L33/44 , H01L2224/48091 , H01S5/005 , H01S5/02292 , H01L2924/00014
Abstract: 본 발명은 수명 특성이 향상된 발광 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 오목부를 갖는 회로 기판, 상기 오목부의 바닥면에 실장된 반사면 및 여기원, 상기 반사면 및 여기원 상부의 몰드 수지부, 상기 몰드 수지부 상부에 형성된 표면유도막, 및 상기 표면유도막 상부의 광전환층을 포함하는 발광 소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
발광 소자, 발광 다이오드 칩, 몰드 수지부, 표면유도막, 수명 특성Abstract translation: 本文公开了具有改善寿命特性的发光器件。 发光装置包括具有设置在凹部中的凹部，反射面和激发源的电路板，覆盖反射面和激发源的包覆成型，形成在二次成型上的表面感应膜，以及光转换层 覆盖表面诱导膜。 本文还公开了一种制造发光器件的方法。
-
公开(公告)号：KR100990303B1
公开(公告)日：2010-10-26
申请号：KR1020080035284
申请日：2008-04-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 안정성이 향상된 구조를 갖는 나노결정 발광 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 여기원과 나노결정을 포함하는 광전환층을 포함하고, 상기 여기원과 나노결정 광전환층 사이에 공기층을 포함하여 외부로 노출된 구조로 되어있어 안정성이 향상되는 나노결정 발광 소자를 제공한다.
나노결정 발광 소자, 공기층-
公开(公告)号：KR100871961B1
公开(公告)日：2008-12-08
申请号：KR1020070037385
申请日：2007-04-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C01B19/007 , B82Y30/00 , C01B25/08 , C01B25/082 , C01G11/02 , C01P2002/84 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2004/80 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/70 , C09K11/883 , Y10T428/2982
Abstract: 본 발명은 인 전구체로서 포스파이트 화합물을 이용한 인화 금속 나노결정의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 용매 중에서 금속 전구체와 포스파이트 화합물을 반응시켜 인화 금속 결정을 성장시켜 나노 크기의 결정 상으로 합성하거나, 용매 중에서 금속 전구체와 포스파이트 화합물을 반응시켜 나노결정 코아 표면에 인화 금속 결정층을 패시베이션 시키는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의해 균일한 크기의 나노 입자를 제조할 수 있고, 원하는 결정 구조를 선택적으로 얻을 수 있으며, 다양하게 형태를 조절하여 인화 금속 나노결정을 제조할 수 있다.
인화 금속 나노결정, 포스파이트 화합물, 나노결정 코아, 습식 합성법, 화합물 반도체, 패시베이션-
公开(公告)号：KR101460155B1
公开(公告)日：2014-11-10
申请号：KR1020080004431
申请日：2008-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/13357 , B82Y40/00
CPC classification number: G02F1/133603 , G02F2001/133614 , Y10S977/952
Abstract: 액정 디스플레이 장치용 백라이트 유닛이 개시된다. 개시된 백라이트 유닛은, LED 광원; 및 이 LED 광원에 이격되게 설치되어 상기 LED 광원으로부터 입사된 광을 백색광으로 전환시켜 액정 패널 쪽으로 출사시키는 것으로, 반도체 나노 결정을 포함하는 광전환층;을 구비한다.
-
公开(公告)号：KR101421619B1
公开(公告)日：2014-07-22
申请号：KR1020080050835
申请日：2008-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B82B3/00
CPC classification number: C09K11/883 , C09K11/02 , C09K11/565 , H01L33/50
Abstract: 본 발명은 금속산화물 매트릭스 내에 다수의 나노결정들을 포함하고, 상기 금속산화물 매트릭스의 유기 활성기에 공유결합에 의해 연결된 올리고머 또는 폴리머를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노결정-금속산화물-폴리머 복합체 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 나노결정-금속산화물-폴리머 복합체는 각종 전자 소자에 적용시 소자의 성능 저하를 예방하고 안정성을 향상시킬 수 있다.
나노결정, 금속산화물, 폴리머, 복합체, 공유결합-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090124550A
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：KR1020080050835
申请日：2008-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B82B3/00
CPC classification number: C09K11/883 , C09K11/02 , C09K11/565 , H01L33/50
Abstract: PURPOSE: A nanocrystal-metal oxide-polymer composite, and a method for manufacturing the composite are provided to reduce the deterioration of performance with time, thereby providing an electronic device capable of operated stably for a long time. CONSTITUTION: A nanocrystal-metal oxide-polymer composite comprises a plurality of nanocrystal(10) inside a metal oxide matrix(20); and an oligomer or polymer(30) which is connected to the organic active group(70) of the metal oxide matrix by a covalent bond. The composite comprises a metal oxide composite layer surrounding the nanocrystal, and an organic polymer layer coating the metal oxide composite layer. The nanocrystal has a core-shell structure.
Abstract translation: 目的：提供一种纳米晶体 - 金属氧化物 - 聚合物复合材料以及该复合材料的制造方法，以便随时间降低性能的劣化，从而提供能够长时间稳定运行的电子器件。 构成：纳米晶体 - 金属氧化物 - 聚合物复合材料包括在金属氧化物基质（20）内的多个纳米晶体（10）; 和通过共价键与金属氧化物基质的有机活性基团（70）连接的低聚物或聚合物（30）。 复合材料包括围绕纳米晶体的金属氧化物复合层和涂覆金属氧化物复合层的有机聚合物层。 纳米晶体具有核 - 壳结构。
-
公开(公告)号：KR1020090078547A
公开(公告)日：2009-07-20
申请号：KR1020080004431
申请日：2008-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/13357 , B82Y40/00
CPC classification number: G02F1/133603 , G02F2001/133614 , Y10S977/952
Abstract: A backlight unit and a liquid crystal display device including the same are provided to use an LED(Light Emitting Diode) as a light source. A light converting layer(120) is separated and installed from an LED light source(110) to convert the light being incident from the LED light source into the white light, and emits the white light toward a liquid crystal panel. The light converting layer includes the semiconductor nano-crystal which is coated on a transparent substrate. A diffusion plate(130) is formed between the light converting layer and liquid crystal panel or between the LED light source and light converting layer.
Abstract translation: 提供背光单元和包括该背光单元的液晶显示装置以使用LED（发光二极管）作为光源。 从LED光源（110）分离并安装光转换层（120），将从LED光源入射的光转换成白光，并将白光发射到液晶面板。 光转换层包括涂覆在透明基板上的半导体纳米晶体。 在光转换层和液晶面板之间或LED光源与光转换层之间形成漫射板（130）。
-
公开(公告)号：KR1020080107578A
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：KR1020070055496
申请日：2007-06-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C01B19/007 , B82Y30/00 , C01P2002/54 , C01P2002/84 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C09K11/883 , Y10T428/2989
Abstract: A core/shell nano-crystalline is provided to have an excellent luminous efficiency and an excellent crystalline at the same time and to be synthesized easily by adjusting a form and a size of the nano-crystalline and to have a structure including the shell nano-crystalline in which metal is doped on a surface. A core/shell nano-crystalline comprises (a) a core nano-crystalline and (b) a shell nano-crystalline which is formed on the core nano-crystalline and is doped to metals. A material comprising the core nano-crystalline is 12 group-16 group, 13 group-15 group and 14 group-16 group compounds and a mixture thereof. A material comprising the core nano-crystalline is selected from a group consisting of CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs and a mixture thereof.
Abstract translation: 提供核/壳纳米晶体以同时具有优异的发光效率和优异的晶体，并且可以通过调节纳米晶体的形式和尺寸而容易地合成，并且具有包括壳纳米晶体的结构， 在其表面上掺杂有金属的结晶。 核/壳纳米晶体包括（a）芯纳米晶体和（b）壳纳米晶体，其形成在芯纳米晶体上并掺杂到金属上。 包含核心纳米晶体的材料是12组16组，13组-15组和14组16组化合物及其混合物。 包含核心纳米晶体的材料选自CdS，CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，HgS，HgSe，HgTe，PbS，PbSe，PbTe，AlN，AlP，AlAs，GaN，GaP，GaAs ，InN，InP，InAs及其混合物。
-
公开(公告)号：KR1020080099438A
公开(公告)日：2008-11-13
申请号：KR1020070044974
申请日：2007-05-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/502 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: An LED with a superior luminous efficiency, dispersibility and stability of nano-crystalline is provided. The cathode(20) and anode(10) electrode are connected to the light emitting diode chip(30). The nano-crystalline - metal oxide complex monolith(40) is mounted on the light emitting surface of the light emitting diode chip and then the mold layer(50) is formed. The exterior seals this mold layer of structure. The package structure includes the cavity in which the inner sidewall is inclined to the top. A cavity is provided to the built-in region of the light emitting diode.
Abstract translation: 提供了具有优异的发光效率，分散性和纳米晶体稳定性的LED。 阴极（20）和阳极（10）电极连接到发光二极管芯片（30）。 纳米晶金属氧化物复合体整料（40）安装在发光二极管芯片的发光表面上，然后形成模层（50）。 外部密封该模具结构层。 封装结构包括内侧壁相对于顶部倾斜的空腔。 向发光二极管的内置区域提供空腔。
-
公开(公告)号：KR100853087B1
公开(公告)日：2008-08-19
申请号：KR1020070040803
申请日：2007-04-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C09K11/02 , C01B21/0632 , C01B25/087 , C01P2004/80 , C09K11/562 , C09K11/621 , C09K11/70 , Y10T428/2991
Abstract: A nanocrystal, a preparation method thereof and electronics having the nanocrystal are provided to improve emission characteristics and color purity of the electronic device having the nanocrystal by employing buffer layer of non-semiconductive material surrounding nanocrystal core consisting of semiconductor. A nanocrystal has: a nanocrystal core(10) consisting of semiconductor; and a buffer layer(20) of non-semiconductive material surrounding the nanocrystal core. The nanocrystal core contains semiconductor of group III-V. The buffer layer is a calcogenic buffer layer. The nanocrystal optionally has at least one shell layer consisting of material selected from a group consisting of group II-VI compound, group II-V compound, group III-VI compound, group III-V compound, group IV-VI compound, group I-III-VI compound, group II-IV-VI compound, group II-IV-V compound and alloys thereof on the buffer layer. A preparation method of the nanocrystal comprises steps of: synthesizing the nanocrystal core by reacting semiconductor precursor in a reaction system having solvent and dispersant; and putting non-semiconductive material into the nanocrystal core solution and forming a buffer layer on the surface of the nanocrystal core. An electronic device such as display, electric luminous element, laser, linear optical device, sensor and photoelectric transformation element contains at least one nanocrystal prepared by the method. Further, the calcogenic buffer layer is selected from S, Se, Te and a mixture thereof.
Abstract translation: 提供纳米晶体及其制备方法和具有纳米晶体的电子器件，以通过采用由半导体构成的纳米晶体核心的非半导体材料的缓冲层来改善具有纳米晶体的电子器件的发射特性和色纯度。 纳米晶体具有由半导体构成的纳米晶核（10） 以及围绕纳米晶核的非半导体材料的缓冲层（20）。 纳米晶核含有III-V族的半导体。 缓冲层是钙质缓冲层。 纳米晶体任选具有至少一个由选自由II-VI族化合物，II-V族化合物，III-VI族化合物，III-V族化合物，IV-VI族化合物，I组 III-VI族化合物，II-IV-VI族化合物，II-IV-V族化合物及其合金。 纳米晶体的制备方法包括以下步骤：通过在具有溶剂和分散剂的反应体系中使半导体前体反应合成纳米晶核; 并将非半导体材料放入纳米晶核心溶液中并在纳米晶核的表面上形成缓冲层。 诸如显示器，发光元件，激光器，线性光学器件，传感器和光电转换元件的电子器件包含至少一种通过该方法制备的纳米晶体。 此外，钙化缓冲层选自S，Se，Te及其混合物。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.027 seconds)
